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dram

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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

存儲(chǔ)芯片的升溫狀況究竟如何?半導(dǎo)體周期出現(xiàn)拐點(diǎn)

存儲(chǔ)芯片的升溫狀況究竟如何?半導(dǎo)體周期出現(xiàn)拐點(diǎn)

分析顯示,這是由于下半年需求方重啟備貨,使得各存儲(chǔ)原廠營(yíng)收都有明顯增加。從統(tǒng)計(jì)來看,SK海力士在第三季度的同比增長(zhǎng)為34.4%表現(xiàn)最為出色,三星以15.9%次

2023-12-05 標(biāo)簽:DRAM服務(wù)器存儲(chǔ)芯片 1.1k 0

內(nèi)存大漲價(jià)!DDR5正邁向主流規(guī)格之路

內(nèi)存大漲價(jià)!DDR5正邁向主流規(guī)格之路

為滿足對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求,DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升,具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。

2023-12-05 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器內(nèi)存 1.3k 0

DRAM庫(kù)存高 Q4出貨增長(zhǎng)或有限

DRAM庫(kù)存高 Q4出貨增長(zhǎng)或有限

trendforce表示,第三季度三家企業(yè)的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)均有所增加,由于ai話題的擴(kuò)散,對(duì)高用量產(chǎn)品的需求保持穩(wěn)定,而且在批量生產(chǎn)1 alpha nm dd...

2023-12-05 標(biāo)簽:DRAMAIDDR5 1.1k 0

半導(dǎo)體設(shè)備銷售2023不盡如人意,2024強(qiáng)勢(shì)復(fù)蘇

半導(dǎo)體設(shè)備銷售2023不盡如人意,2024強(qiáng)勢(shì)復(fù)蘇

據(jù)semi提供的最新數(shù)據(jù)顯示,2023 年第三季度,全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比收縮 11%至256 億美元,而 2023 年第三季度環(huán)比下滑 1%。

2023-12-05 標(biāo)簽:DRAM晶圓半導(dǎo)體設(shè)備 1.5k 0

金士頓強(qiáng)攻中國(guó)大陸布局NAND相關(guān)應(yīng)用 群聯(lián)、力成、點(diǎn)序沾光

金士頓目前在世界存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上的占有率超過78%,10多年來一直占據(jù)業(yè)界第1的位置。兩位共同創(chuàng)業(yè)者孫大衛(wèi)、杜紀(jì)川與臺(tái)灣的關(guān)系非常友好。金融海嘯發(fā)生時(shí),金...

2023-12-05 標(biāo)簽:DRAM金士頓嵌入式存儲(chǔ) 1.9k 0

SK海力士超過三星電子成為市場(chǎng)領(lǐng)頭羊

服務(wù)器DRAM是一種價(jià)值較高且至關(guān)重要的半導(dǎo)體產(chǎn)品,對(duì)企業(yè)云服務(wù)和數(shù)據(jù)中心發(fā)揮著重要作用,約占整個(gè)DRAM市場(chǎng)的35-40%。

2023-12-04 標(biāo)簽:英特爾DRAMSK海力士 1.7k 0

中國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自主研發(fā) LPDDR5 完成

中國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自主研發(fā) LPDDR5 完成

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最近在其官網(wǎng)上宣布,已研發(fā)出中國(guó)首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片,并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5...

2023-12-03 標(biāo)簽:芯片DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2.6k 0

HBM4為何備受存儲(chǔ)行業(yè)關(guān)注?

HBM4為何備受存儲(chǔ)行業(yè)關(guān)注?

當(dāng)前,生成式人工智能已經(jīng)成為推動(dòng)DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)的關(guān)鍵因素,與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長(zhǎng)。未來,隨著AI技術(shù)不斷演進(jìn),HBM將成為數(shù)據(jù)中...

2023-12-02 標(biāo)簽:DRAMgpu內(nèi)存 1.2k 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5正式進(jìn)軍移動(dòng)終端市場(chǎng)

資料顯示,LPDDR是低功耗的DRAM存儲(chǔ)器,由DDR內(nèi)存演化而來。LPDDR的架構(gòu)和接口針對(duì)低功耗應(yīng)用進(jìn)行了專門優(yōu)化,提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工...

2023-12-01 標(biāo)簽:DRAMDDRLPDDR 1.5k 0

NAND閃存現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲

大部分頻道及存儲(chǔ)器模塊生產(chǎn)企業(yè)已經(jīng)完成了9、10月份年末旺季的出貨。消息人士補(bǔ)充說:“由于顧客對(duì)價(jià)格進(jìn)一步上漲的期待心理,短期再供應(yīng)需求得到消除,因此,...

2023-12-01 標(biāo)簽:DRAMNAND存儲(chǔ)器 1.3k 0

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢問...

2023-12-01 標(biāo)簽:芯片DRAM三星電子 1.6k 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)跨入LPDDR5領(lǐng)域

 相比上一代LPDDR4,長(zhǎng)鑫的LPDDR5單顆芯片容量和速率都提升了50%,達(dá)到12Gb和6400Mbps,并且功耗降低了30%。從產(chǎn)品應(yīng)用和市場(chǎng)角度...

2023-11-29 標(biāo)簽:DRAM封裝技術(shù)數(shù)據(jù)安全 2.7k 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片

長(zhǎng)鑫12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝,這是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產(chǎn)品。

2023-11-29 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2.9k 0

國(guó)內(nèi)首家,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出多款 LPDDR5產(chǎn)品

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國(guó)主流手機(jī)制造商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成了驗(yàn)證。lpddr5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)針對(duì)中高端移動(dòng)機(jī)器市場(chǎng)推出的產(chǎn)品,...

2023-11-29 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體DRAM 3.2k 0

淺談DRAM的常用封裝技術(shù)

淺談DRAM的常用封裝技術(shù)

目前,AI服務(wù)器對(duì)HBM(高帶寬內(nèi)存)的需求量越來越大,因?yàn)镠BM大大縮短了走線距離,從而大幅提升了AI處理器運(yùn)算速度。HBM經(jīng)歷了幾代產(chǎn)品,包括HBM...

2023-11-28 標(biāo)簽:DRAM封裝技術(shù)存儲(chǔ)芯片 3.4k 0

AI PC推動(dòng)存儲(chǔ)規(guī)格升級(jí) 預(yù)期明年上半年DDR5將會(huì)超越DDR4

隨著三大國(guó)際DRAM廠商三星、SK海力士、美光科技擴(kuò)大減產(chǎn)幅度,業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,供給減少疊加AI帶動(dòng)的需求擴(kuò)大,存儲(chǔ)器市場(chǎng)有望揚(yáng)升。

2023-11-25 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器DDR4 1.5k 0

未來四年HBM市場(chǎng)將飆升52%

DRAM產(chǎn)業(yè)在生成式AI中受益匪淺,未來DRAM產(chǎn)業(yè)格局將發(fā)生重大變化。

2023-11-25 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片機(jī)器學(xué)習(xí) 1.9k 0

DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程

DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程

DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代(不到20nm世代)已經(jīng)過去五年了。過去五年,DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此,本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品...

2023-11-25 標(biāo)簽:芯片DRAM半導(dǎo)體制造 3.2k 0

DDR5實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng) 美光計(jì)劃明年初大量出貨HBM3E

預(yù)計(jì)2023年第4季度移動(dòng)DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%,而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢(shì)預(yù)計(jì)...

2023-11-24 標(biāo)簽:DRAMNANDHBM 2k 0

機(jī)構(gòu):未來四年HBM市場(chǎng)將飆升52%

omdia首席研究員Jung Sung-kong表示:“dram產(chǎn)業(yè)正在充分享受生成式AI帶來的好處。今后dram產(chǎn)業(yè)的地形圖將發(fā)生巨大變化。”在生成型...

2023-11-24 標(biāo)簽:DRAMAI機(jī)器學(xué)習(xí) 1.4k 0

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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