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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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以往,具備低漏電、高性能特性的先進(jìn)制程工藝多用于邏輯芯片,特別是PC、服務(wù)器和智能手機(jī)用CPU,如今,這些工藝開(kāi)始在以DRAM為代表的存儲(chǔ)器中應(yīng)用,再加...
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議
近日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布,就原動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的...
2019-12-10 標(biāo)簽:DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 4.1k 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)采購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)DRAM內(nèi)存專利,數(shù)量相當(dāng)可觀
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM內(nèi)存專利,長(zhǎng)...
2019-12-06 標(biāo)簽:dram內(nèi)存奇夢(mèng)達(dá) 4.1k 0
DRAM廠商合肥長(zhǎng)鑫正在啟動(dòng)超百億融資
雖然受相關(guān)禁令的影響,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被籠罩在一片陰云下,但有壓力才有動(dòng)力。
2021年NAND Flash價(jià)格仍將逐季下跌 季跌約10~15%
市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢(TrendForce)旗下半導(dǎo)體研究處的最新報(bào)告稱,由于NAND Flash的供應(yīng)商數(shù)量遠(yuǎn)高于DRAM,加上供給位元成長(zhǎng)的幅度居高不下...
兆易創(chuàng)新擬定增43億元籌劃DRAM芯片自研及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
9月23日,北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“兆易創(chuàng)新”)在股票交易異常波動(dòng)公告中表示,擬定增43億元,籌劃DRAM芯片自研及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。如今,此...
2019-10-08 標(biāo)簽:DRAM兆易創(chuàng)新 4.1k 0
中國(guó)存儲(chǔ)器廠商幾乎都是“新進(jìn)者 面臨的困難將有很多
中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)正進(jìn)入一個(gè)新時(shí)期,在大基金等國(guó)有資金為主推動(dòng)下,加上科創(chuàng)板的支持,產(chǎn)業(yè)正從全方位向前推進(jìn),其中實(shí)現(xiàn)更多的IC國(guó)產(chǎn)化是“命門(mén)”,顯然存儲(chǔ)器成為...
一文解析DRAM市場(chǎng)的未來(lái)走勢(shì)
臺(tái)灣存儲(chǔ)器芯片廠廠商南亞科昨(17)日舉行法說(shuō)會(huì),公布今年第一季度毛利率沖上51.8%,優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。南亞科總經(jīng)理李培瑛分析上季毛利率沖高,主因 DRA...
2018-04-21 標(biāo)簽:dram 4.1k 0
兆易創(chuàng)新積極布局DRAM領(lǐng)域 將實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)在DRAM領(lǐng)域的突破
3月26日晚間,兆易創(chuàng)新發(fā)布2019年年度財(cái)報(bào),公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入32.03億元,比2018年同期增長(zhǎng)42.62%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)6.07億元...
2020-03-27 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片兆易創(chuàng)新 4.1k 0
西安紫光國(guó)芯亮相第十六屆“中國(guó)芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)
在第十六屆“中國(guó)芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)上,西安紫光國(guó)芯憑借世界領(lǐng)先的異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)成功斬獲含金量極高的“中國(guó)芯”年度重大創(chuàng)新突...
貿(mào)易戰(zhàn),存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)未來(lái)將會(huì)怎樣?
Memory產(chǎn)業(yè)自18年下半年以來(lái)跌跌不休,產(chǎn)能產(chǎn)出順利而需求疲軟。
那么,像Spin Memory這樣的MRAM公司在DRAM領(lǐng)域能做什么呢?事實(shí)證明,開(kāi)發(fā)超高密度、高性能MRAM存儲(chǔ)與垂直外延晶體管有很大關(guān)系,這在DR...
中美半導(dǎo)體巨頭重磅和解 美光和福建晉華達(dá)成全球和解協(xié)議
中美半導(dǎo)體巨頭重磅和解 美光和福建晉華達(dá)成全球和解協(xié)議 據(jù)外媒彭博社的報(bào)道,美光和福建晉華已經(jīng)達(dá)成全球和解協(xié)議,據(jù)稱原始信息來(lái)源于美光科技發(fā)言人的郵件。...
Achronix針對(duì)數(shù)據(jù)中心應(yīng)用推出具有最高FPGA存儲(chǔ)帶寬的PCIe加速板
Achronix Semiconductor市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁Steve Mensor表示:“Accelerator-6D加速板為采用PCIe擴(kuò)展卡的數(shù)據(jù)中...
5G通信引領(lǐng),DRAM和NAND閃存市場(chǎng)需求將增加
據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè),基于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND閃存需求將增加,5G通信、人工智能、深度學(xué)...
2019年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)下滑的最大因素
相較于穩(wěn)定的DRAM產(chǎn)業(yè),NANDFlash產(chǎn)業(yè)則明顯慘烈的許多,在各家64層堆棧的3D-NAND Flash良率普遍提升至80%以上的情況下,產(chǎn)出供給...
三星宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片
3月21日,三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯...
2021年集成電路產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
近日IC Insights發(fā)布了2021年版的對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)行了分析和預(yù)測(cè),其中就包括了對(duì)按產(chǎn)品類型劃分的中國(guó)集成電路市場(chǎng)的分析。
SK海力士宣布開(kāi)發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb DDR4 DRAM
10月21日,SK海力士宣布開(kāi)發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
三星電子與SK海力士為確保營(yíng)收“孝子”DRAM的未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)力
但三星電子、因特爾、美光、TSMC、GF等設(shè)備采購(gòu)量卻越來(lái)越多。TSMC為確保EUV設(shè)備開(kāi)始了對(duì)賭競(jìng)爭(zhēng),再加上SK海力士,預(yù)計(jì)EUV設(shè)備很快會(huì)進(jìn)入“一臺(tái)...
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