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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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美光出貨量環(huán)比下跌21% ,第四季NAND Flash營(yíng)收恐續(xù)跌
第三季NAND Flash市場(chǎng)仍不敵需求疲弱沖擊,無(wú)論在消費(fèi)電子或服務(wù)器領(lǐng)域出貨皆劣于預(yù)期,導(dǎo)致第三季NAND Flash價(jià)格跌幅擴(kuò)大至18.3%。
2022-11-23 標(biāo)簽:DRAM美光Nand flash 660 0
IC Insights:預(yù)計(jì)今年下半年全球DRAM營(yíng)收將較上半年驟減40%
近日,研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布報(bào)告,預(yù)期下半年DRAM營(yíng)收恐將較上半年驟減40%,全年DRAM營(yíng)收將下滑18%。 報(bào)告指出,全球經(jīng)濟(jì)疲軟和高通...
2022-11-22 標(biāo)簽:DRAM 1.8k 0
x16內(nèi)存的優(yōu)勢(shì)可以抵消性能差距
“by-8”(x8) DRAM 模塊優(yōu)于“by-16”(x16) 模塊。在某些方面,這些專(zhuān)家是對(duì)的。但情況并非總是如此,我們將在這里向您展示。在大多數(shù)配...
美光表示:“最近,人們對(duì)2023年的市場(chǎng)前景有所減弱?!辈⒅赋?,預(yù)計(jì)DRAM bit的供應(yīng)同比將有所收縮,NAND bit的供應(yīng)增長(zhǎng)也將顯著低于此前預(yù)期。
2022-11-17 標(biāo)簽:DRAM 479 0
以往,具備低漏電、高性能特性的先進(jìn)制程工藝多用于邏輯芯片,特別是PC、服務(wù)器和智能手機(jī)用CPU,如今,這些工藝開(kāi)始在以DRAM為代表的存儲(chǔ)器中應(yīng)用,再加...
海力士:引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
柵極由絕緣膜(柵氧化層, gate oxide)和電極(柵電極, gate electrode)組成,在晶體管開(kāi)關(guān)功能中發(fā)揮主要作用。柵氧化層由SiON...
SK海力士全球首次在移動(dòng)端DRAM制造上采用HKMG工藝
SK海力士全球首次在移動(dòng)端DRAM采用了“HKMG(High-K Metal Gate)”*工藝,成功研發(fā)出了LPDDR5X(Low Power Dou...
DRAM:ADAS和IVI系統(tǒng)帶來(lái)顯著增量
汽車(chē)存儲(chǔ)芯片分為易失型和非易失型,易失型包含 DRAM、SRAM 兩大類(lèi),非易失型為NAND、NOR、EEPROM 等。2021 年全球車(chē)載存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)...
IC設(shè)計(jì)業(yè)者正遭逢「上下夾攻」窘境
由于研發(fā)是IC設(shè)計(jì)業(yè)的根本,所以近年IC設(shè)計(jì)業(yè)陸續(xù)進(jìn)行結(jié)構(gòu)性調(diào)薪,或大幅年度調(diào)薪以留才,之前業(yè)界口風(fēng)也大多還是盡量維持正常人員招募,但進(jìn)入第3季后半段,...
2022-11-10 標(biāo)簽:DRAMIC設(shè)計(jì)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 680 0
SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Transist...
存儲(chǔ)芯片頭部廠商正在經(jīng)歷寒冬 增長(zhǎng)率達(dá)到8年來(lái)最低
存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體市場(chǎng)占比的最高分支,2021 年市場(chǎng)空間大約 1600 億美元,但 2022 年閃存(NAND)市場(chǎng)的增長(zhǎng)率只有 23.2%,這達(dá)到近 8...
美光發(fā)布基于1-alpha技術(shù)制造的LPDDR5X芯片
美光推出了最新的DRAM芯片,其采用了1-beta制造技術(shù),大幅提高了芯片的能效和內(nèi)存密度。美光稱(chēng)計(jì)劃在明年開(kāi)始量產(chǎn)這種芯片。
美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM
2022年11月2日——中國(guó)上?!獌?nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:...
美光正式出貨全球最先進(jìn)的 1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM
2022 年?11 月?2 日;內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU...
美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM
前沿的制程技術(shù)使LPDDR5X如虎添翼,現(xiàn)已向移動(dòng)生態(tài)系統(tǒng)出樣 ? 2022年11月2日——中國(guó)上?!獌?nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Te...
三星內(nèi)存的DRAM和NAND路線(xiàn)圖解析
這家全球最大的內(nèi)存芯片制造商和智能手機(jī)生產(chǎn)商周五估計(jì),截至 9 月底的三個(gè)月?tīng)I(yíng)業(yè)利潤(rùn)為 108 億韓元(77 億美元),同比下降 32%。
評(píng)估云和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的ReRAM技術(shù)選擇
電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (ReRAM) 是開(kāi)發(fā)更具可擴(kuò)展性、高容量、高性能、更可靠的存儲(chǔ)解決方案的競(jìng)爭(zhēng)中下一個(gè)有前途的存儲(chǔ)器技術(shù)。
2022-10-24 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)中心 1.4k 0
散熱概念增強(qiáng)了DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)
再舉一個(gè)例子,一個(gè)512 MB的糾錯(cuò)碼DIMM可以使用五個(gè)64x16 DRAM芯片,而不是九個(gè)64x8 DRAM,從而減少44%的熱量。由于數(shù)據(jù)表中為 ...
車(chē)用芯片的制程和供應(yīng)鏈關(guān)系分析
近幾年,V2X 蜂巢式車(chē)聯(lián)網(wǎng)正以每年30%的年復(fù)合成長(zhǎng)率增長(zhǎng),預(yù)計(jì)在 2027 年,市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)達(dá)到 188 億美元。在數(shù)字化逐漸普及之后,未來(lái)交通工具...
南亞科預(yù)估2022年Q4 DRAM市場(chǎng)
近日,南亞科發(fā)布2022年第三季度財(cái)報(bào)顯示,合并營(yíng)收110.22億元新臺(tái)幣,歸屬母公司稅后凈利季減近六成達(dá)26.40億元。此外,南亞科今年資本支出預(yù)計(jì)由...
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