華邦電子：DRAM與閃存價(jià)格上漲，3、4月份存儲業(yè)務(wù)營收增長

2月22日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，英文媒體此前曾多次報(bào)道，DRAM的價(jià)格在今年一季度將上漲，二季度仍將持續(xù)，相關(guān)的廠商將從中獲益。 在此前的報(bào)道中，英文媒...

2021-02-22 標(biāo)簽：閃存DRAM存儲 2.5k 0

存儲、汽車芯片再迎“缺貨潮”?

近日，美國德克薩斯州（以下簡稱德州）由于遭遇罕見的暴雪，導(dǎo)致天然氣管道被凍結(jié)，全州大面積停電。由于半導(dǎo)體工廠一般都是24小時(shí)不間斷運(yùn)轉(zhuǎn)，電力供應(yīng)緊張也造...

2021-02-22 標(biāo)簽：芯片mcu半導(dǎo)體 2.9k 0

三星1z納米EUV制程DRAM完成量產(chǎn)

韓國三星近期積極將極紫外（EUV）曝光技術(shù)應(yīng)用在采用1z納米制程的DRAM記憶體生產(chǎn)上，并且完成了量產(chǎn)。而根據(jù)半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)《TechInsights》...

2021-02-22 標(biāo)簽：DRAM 3.6k 0

2021年集成電路產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模預(yù)測

近日IC Insights發(fā)布了2021年版的對集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)行了分析和預(yù)測，其中就包括了對按產(chǎn)品類型劃分的中國集成電路市場的分析。

2021-02-22 標(biāo)簽：集成電路DRAMIC 4k 0

DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲勢加速

2月22日消息，由于5G智能手機(jī)、筆記本電腦及平板、游戲機(jī)、服務(wù)器等市場的需求維持強(qiáng)勁，在預(yù)期DRAM第二季可能出現(xiàn)缺貨情況下，近期DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲勢加...

2021-02-22 標(biāo)簽：處理器智能手機(jī)DRAM 2.1k 0

新型無電容DRAM能否迎來爆發(fā)?

當(dāng)今計(jì)算中最大的問題之一是“內(nèi)存墻”，即處理時(shí)間與將數(shù)據(jù)從單獨(dú)的DRAM內(nèi)存芯片傳送到處理器所花費(fèi)的時(shí)間之間的差。AI 應(yīng)用的日益普及使該問題更加明顯，...

2021-02-20 標(biāo)簽：處理器芯片DRAM 2.1k 0

英飛凌廠和三星Line S2廠區(qū)斷電停工，影響全球12英寸總產(chǎn)能約1~2% ?

據(jù)悉，美國德州暴風(fēng)雪惡劣天氣，對當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體晶圓廠帶來巨大影響。外媒報(bào)道，英飛凌在美國德州奧斯汀的8寸廠有1萬片產(chǎn)能是生產(chǎn)NOR Flash芯片，這次大停...

2021-02-20 標(biāo)簽：英飛凌DRAMNor 4.5k 0

半導(dǎo)體芯片需求看漲 應(yīng)用材料最新財(cái)報(bào)凈利潤和營收雙增長

據(jù)美國雅虎網(wǎng)站最新報(bào)道，半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料 (AMAT-US) 周四公布的第 1 季財(cái)報(bào)和第2季財(cái)測雙雙優(yōu)于市場預(yù)期，顯示在全球芯片大缺貨下，生產(chǎn)設(shè)...

2021-02-19 標(biāo)簽：芯片DRAM應(yīng)用材料 3.7k 0

聚集顯示器和DRAM，合肥在“缺芯少屏”上突圍

聚集顯示器和DRAM，合肥在“缺芯少屏”上突圍。 長期以來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展就以技術(shù)、資金和人才密集著稱，發(fā)展周期長也是其重要特點(diǎn)之一，因此不少半導(dǎo)體產(chǎn)...

2021-02-19 標(biāo)簽：顯示器半導(dǎo)體DRAM 3.2k 0

SK海力士2020年Q4季度月產(chǎn)能將達(dá)4.5萬片晶

從去年底開始，DRAM內(nèi)存市場價(jià)格下滑趨勢已經(jīng)止住了，在停電、火災(zāi)等意外因素影響下開始漲價(jià)，2021年全球內(nèi)存漲價(jià)已經(jīng)是定局。

2021-02-18 標(biāo)簽：DRAM晶圓內(nèi)存 2.6k 0

開始供不應(yīng)求！2021年DRAM內(nèi)存將全面漲價(jià)

DRAM內(nèi)存從2018年進(jìn)入周期性下跌，經(jīng)過兩年多的低潮期之后，內(nèi)存市場在2020年底開始止跌，部分產(chǎn)品甚至開始漲價(jià)。 內(nèi)存漲價(jià)的主要原因在于三星、美光...

2021-02-05 標(biāo)簽：DRAM服務(wù)器內(nèi)存 8.9k 0

華邦電LPDDR4X DRAM 技術(shù)助力邊緣運(yùn)算

存儲器廠商華邦電 3 日宣布，旗下低功耗、高效能的 LPDDR4X DRAM 技術(shù)將用于 Flex Logix 全新 InferX X1 邊緣推理加速器...

2021-02-04 標(biāo)簽：DRAM華邦電 3.5k 0

華邦4Gb LPDDR4x DRAM助力Flex Logix X1 AI推理加速器樹立邊緣AI新標(biāo)桿

Flex Logix推出的InferX X1邊緣推理加速器芯片采用了獨(dú)步業(yè)界的開創(chuàng)性架構(gòu)，具有可重構(gòu)的張量處理器陣列。

2021-02-03 標(biāo)簽：DRAM數(shù)據(jù)傳輸華邦電子 2.3k 0

DRAM合約價(jià)格全面上漲 美光1a DRAM制程量產(chǎn)能否解決燃眉之急？

美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana認(rèn)為，全新的 1α 技術(shù)將為手機(jī)行業(yè)帶來最低功耗的 DRAM，針對今年云端市場、5G手機(jī)和汽車內(nèi)存...

2021-02-02 標(biāo)簽：DRAMNANDSSD 9k 0

分析師預(yù)期2021全年內(nèi)存依然供不應(yīng)求

從去年11月、12月開始，內(nèi)存市場變得敏感了，美光的內(nèi)存工廠還出現(xiàn)了火災(zāi)事故，再加上全球性的半導(dǎo)體缺貨，漲價(jià)風(fēng)聲不斷。

2021-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM服務(wù)器 2.1k 0

內(nèi)存顆粒市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢

從去年年底，內(nèi)存顆粒就停止了兩年來的降價(jià)潮，價(jià)格開始逐漸上漲。這和三大內(nèi)存顆粒廠商的態(tài)度不無關(guān)系，美光和三星都因?yàn)閮?nèi)存顆粒的低價(jià)，而降低了內(nèi)存顆粒的產(chǎn)能...

2021-02-01 標(biāo)簽：amdDRAMNAND 5.6k 0

美光宣布已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片

美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片，尤其適用于最新旗艦手機(jī)標(biāo)配的LPDDR5，相比于1z工藝可以將容量密度增加多達(dá)40％，同時(shí)還能讓...

2021-01-31 標(biāo)簽：閃存DRAM美光 2.6k 0

美光1αDRAM芯片工藝可提升密度40%

美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來...

2021-01-29 標(biāo)簽：芯片DRAM美光 3.1k 0

日本半導(dǎo)體設(shè)備廠商Advantest占據(jù)中國40%的市場

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，日本是全球領(lǐng)先的國家之一，在半導(dǎo)體設(shè)備、材料等領(lǐng)域都有這不錯(cuò)的表現(xiàn)。

2021-01-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM存儲器 9.1k 0

疫情復(fù)發(fā)或?qū)е氯荄RAM芯片產(chǎn)能不足

今天上午，三星電子正式公布了2020年第四季度財(cái)報(bào)。

2021-01-29 標(biāo)簽：芯片DRAM三星電子 1.9k 0