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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))
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DRAM和NAND Flash市場需求量不斷增加,南亞科和旺宏業(yè)績往高處走
隨物聯(lián)網(wǎng)時代來臨,數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視,研調(diào)單位指出,協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫,南亞科(240...
CXL是CXL聯(lián)盟開發(fā)的一項開放式互聯(lián)新標準,基于PCIe物理層的高速、低延遲CPU到設備互連技術(shù)。CXL可在主機CPU和互聯(lián)設備(例如加速器和存儲器擴...
中國廠商進入存儲芯片市場志在必得 韓國預估中國能力瘋狂搶食存儲
存儲芯片DRAM 未來幾年中國公司就會進入存儲芯片市場。對于這一點,韓國公司也在擔憂中國競爭對手的加入,他們測算在2022年因為中國競爭的影響,韓國公司...
美光HBM3E解決方案,高帶寬內(nèi)存助力AI未來發(fā)展
美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能,功耗...
適用于ADAS和自動駕駛系統(tǒng)的高可靠性和高性能深度學習加速器
內(nèi)存空間隔離機制在CNNA、LDMAC和內(nèi)存管理單元(MMU)的內(nèi)存保護表中實現(xiàn)。當前運行任務的上下文索引被賦予來自CNNA和LDMAC的事務輸出。...
MOSFET、存儲器IC等繼續(xù)看漲 硅晶圓是罪魁禍首
臺系MOSFET芯片供應商指出,由于外商仍主導MOSFET芯片價格走勢,臺系IC設計公司寧可先搶市占率,不敢輕易跟漲芯片報價,包括英飛凌(Infineo...
三星電子Fab 17工廠斷電 DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線受到波及
1 月 2 日訊,據(jù)悉,2019 年的最后一天,三星電子對外確認,周二下午在韓國華城芯片工廠發(fā)生斷電事故,持續(xù)大約一分鐘,導致其部分生產(chǎn)線暫停。
隨著對高性能半導體需求的增加,半導體市場越來越重視“封裝工藝”的重要性。根據(jù)這一趨勢,SK海力士正在大規(guī)模生產(chǎn)基于HBM3(高帶寬存儲器3)的高級封裝產(chǎn)...
DRAM 的價格在今年三季度預計仍將上漲,四季度會進行相應的調(diào)整
1 月 22 日消息,據(jù)國外媒體報道,英文媒體在上周的報道曾表示,DRAM(動態(tài)隨機存儲器)的合約價格在今年上半年將上漲,相關的廠商也將從中受益。 在當...
SK海力士全面推進全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化
據(jù)sk海力士透露,LPDDR5T是迄今為止最能大幅提高智能手機性能的存儲產(chǎn)品中速度最快的產(chǎn)品。公司方面強調(diào)說,將繼續(xù)擴大產(chǎn)品適用范圍,引領移動dram領...
從最近幾年過去類似罰金或和解金來看案件,XTAL在2019年曾被判賠償8.45億美元給ASML,業(yè)界曾分析如果法院最終判決聯(lián)電可能遭到高達200億美元的...
從單片SoC向異構(gòu)芯片和小芯片封裝的轉(zhuǎn)變正在加速
關于異構(gòu)集成和高級封裝的任何討論的一個良好起點是商定的術(shù)語。異構(gòu)集成一詞最常見的用途可能是高帶寬內(nèi)存 (HBM) 與某種 GPU/NPU/CPU 或所有...
據(jù)媒體報道,近期已有下游廠商接到存儲原廠通知,第四季度將調(diào)漲合約價格,其中NAND閃存第四季度合約價可能漲一至二成,DRAM合約價漲幅約一成。
存儲芯片因供需失衡,今年以來價格延續(xù)下跌趨勢且久未見底。而近日三星、海力士發(fā)布的財報顯示,存儲芯片業(yè)務大幅下滑,使得不同調(diào)研機構(gòu)對行業(yè)給予悲觀預期。
近日,存儲大廠美光發(fā)布示警信息稱,由于PC客戶面臨其他零件短缺,導致對存儲器拉貨減少。受此影響,美光的營收和凈利水平預計將低于市場預期。 在全球缺芯的大...
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