DRAM價(jià)格飆升，三星和美光計(jì)劃Q1漲幅高達(dá)20%

根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價(jià)格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲器制造商計(jì)劃在Q1上調(diào)DRAM價(jià)格，漲...

2024-01-03 標(biāo)簽：DRAMNAND美光 2k 0

三星電子業(yè)績下滑：存儲芯片市場復(fù)蘇速度低于預(yù)期

　　三星電子報(bào)告2023年第四季度營業(yè)利潤下降35%至2.8萬億韓元（約合21.3億美元），而分析師平均預(yù)期為3.7萬億韓元；營業(yè)收入同比下降4.9%至...

2024-01-09 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 2k 0

紫光國芯亮相ICCAD-Expo 2024

近日，備受矚目的上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨第三十屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)（ICCAD-Expo 2024）在上海隆重舉行。來自全球的集成電路產(chǎn)...

2024-12-14 標(biāo)簽：集成電路DRAMICCAD 2k 0

存儲芯片廠商紫光國芯登陸新三板

在科技與創(chuàng)新的浪潮中，西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司正式揚(yáng)帆新三板，這一里程碑事件標(biāo)志著紫光國芯在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域的深厚積淀與強(qiáng)勁實(shí)力得到了資本市場的廣泛...

2024-07-03 標(biāo)簽：DRAM存儲芯片紫光國芯 2k 0

三星將于2020年推出16nm工藝 DRAM 芯片 15nm或成為 DRAM 終點(diǎn)

三星不僅是智能手機(jī)市場的老大，更重要的是三星還掌握了產(chǎn)業(yè)鏈至關(guān)重要的DRAM內(nèi)存、NAND閃存及OLED屏幕，這三大部件上三星遙遙領(lǐng)先其他對手，手機(jī)OL...

2017-04-20 標(biāo)簽：dram三星電子16nm 2k 0

3倍薪水猛挖角 大陸存儲器廠瞄準(zhǔn)臺灣IC設(shè)計(jì)和DRAM廠

大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并...

2016-11-22 標(biāo)簽：DRAMIC設(shè)計(jì)美光 2k 0

大數(shù)據(jù)分析，半導(dǎo)體技術(shù)必不可少?

進(jìn)行大數(shù)據(jù)分析時(shí)，半導(dǎo)體技術(shù)是必不可少的。雖然存儲器本身的技術(shù)開發(fā)也很重要，但對于大數(shù)據(jù)分析，使存儲器物盡其用的控制器和中間件的技術(shù)似乎更加重要。

2013-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存DRAM 2k 0

美光宣稱內(nèi)存供應(yīng)吃緊，將漲價(jià)

美光公司日前發(fā)布了截至11月的2021財(cái)年Q1財(cái)報(bào)，該季度營收57.7億美元，環(huán)比下滑4.8%，同比增長12.3%，優(yōu)于之前預(yù)期的57億美元。

2021-01-10 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存美光 2k 0

狠甩SK海力士、美光！三星 10納米DRAM 量產(chǎn)，記憶體脫離20納米世代

相較于 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導(dǎo)入量產(chǎn)，加速 20 納米製程轉(zhuǎn)換，在 2016 年才要進(jìn)入 18/16 納米製程競賽的同時(shí)...

2016-04-07 標(biāo)簽：DRAM三星電子海力士 2k 0

存儲器供需結(jié)構(gòu)已反轉(zhuǎn)，1月份存儲器價(jià)格進(jìn)入上升循環(huán)

最新發(fā)布的存儲器價(jià)格報(bào)告指出，存儲器產(chǎn)業(yè)新年伊始就迎來供需結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)的消息。

2020-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM存儲器 2k 0

三星發(fā)布容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組

2023-09-01 標(biāo)簽：DRAM三星電子人工智能 2k 0

三星與臺積電的競爭加劇，臺積電要進(jìn)入存儲芯片行業(yè)勢不可擋

近日臺積電新任董事長劉德音接受采訪的時(shí)候暗示有意進(jìn)入存儲芯片行業(yè)，甚至表示“不排除收購一家內(nèi)存芯片公司”，這意味著它將與存儲芯片的老大三星形成更激烈的...

2018-09-20 標(biāo)簽：DRAM三星電子臺積電 2k 0

DRAM、NAND和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析

最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技...

2020-12-24 標(biāo)簽：嵌入式DRAMNAND 2k 0

全球最小DRAM芯片：采用新工藝技術(shù)，將在全球率先量產(chǎn)

韓國三星電子公司20日說，已經(jīng)研制出全球最小DRAM芯片，將在全球率先量產(chǎn)。

2018-07-02 標(biāo)簽：DRAM三星電子 2k 0

三星與SK海力士DRAM繼續(xù)漲價(jià)

筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價(jià)，10 月也較9 月上漲11.5%，到每單位33 美元。智能手機(jī)DRAM合約價(jià)也開始漲價(jià)。...

2023-11-03 標(biāo)簽：DRAM存儲器SK海力士 2k 0

三星計(jì)劃提高DRAM和NAND芯片價(jià)格

日前有消息稱，存儲芯片領(lǐng)域正在迎來一輪明顯的復(fù)蘇，特別是移動(dòng)DRAM芯片銷售行業(yè)。

2023-09-14 標(biāo)簽：芯片DRAMNAND 1.9k 0

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E，向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備...

2023-08-22 標(biāo)簽：芯片DRAM英偉達(dá) 1.9k 0

三星將展示16Gb GDDR7技術(shù)，重點(diǎn)關(guān)注PAM3優(yōu)化TRX均衡和ZQ校準(zhǔn)

該款高性能的 DRAM 采用 PAM3 編碼技術(shù)，兼具 PAM4 和 NRZ 的優(yōu)點(diǎn)，相較于 NRZ，它能夠以更高的數(shù)據(jù)傳輸率運(yùn)行，且無需過高的內(nèi)存總線...

2024-01-29 標(biāo)簽：DRAM編碼技術(shù)GDDR 1.9k 0