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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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嵌入式系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)
SRAM表示靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,只要供電它就會(huì)保持一個(gè)值,它沒(méi)有刷新周期,由觸發(fā)器構(gòu)成基本單元,集成度低,每個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元由6個(gè)晶體管組成,因此其成本較高。
2019-09-11 標(biāo)簽:DRAM嵌入式系統(tǒng) 3.7k 0
美光推出內(nèi)容量最高的單片式的LPDDR4X DRAM
美光科技股份有限公司推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智...
威剛8月合并營(yíng)收較7月成長(zhǎng)14.04% 有機(jī)會(huì)迎接至第四季的存儲(chǔ)器補(bǔ)貨潮
受惠DRAM及NAND Flash合約價(jià)在7月底與8月底分別落底反彈,存儲(chǔ)器模組廠威剛科技營(yíng)運(yùn)持續(xù)升溫,8月合并營(yíng)收較7月成長(zhǎng)14.04%,達(dá)新臺(tái)幣23...
時(shí)值DRAM仍供過(guò)于求,美光在臺(tái)灣加碼投資
據(jù)消息報(bào)道,全球第三大DRAM廠美光(Micron)將在臺(tái)灣加碼投資,要在現(xiàn)有廠區(qū)旁興建2座晶圓廠,總投資額達(dá)4000億元新臺(tái)幣(約合人民幣903億元)...
美光回應(yīng)于臺(tái)中的無(wú)塵室將有助于推進(jìn)臺(tái)灣美光現(xiàn)有晶圓產(chǎn)能DRAM制程轉(zhuǎn)換
美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)對(duì)于臺(tái)灣地區(qū)臺(tái)中廠擴(kuò)建一案提出正式回應(yīng)說(shuō)明。美光表示,如同美光于公布2019會(huì)計(jì)年度第三季度財(cái)報(bào)時(shí)所言,今年4月美光于...
新型超低功耗存儲(chǔ)器或?qū)⑷〈鶧RAM和Flash
業(yè)界普遍認(rèn)為未來(lái)從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值,但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外,數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。
8月27日,重慶市人民政府與紫光集團(tuán)簽署紫光存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目合作協(xié)議。紫光集團(tuán)將在重慶建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DR...
中國(guó)存儲(chǔ)芯片逐漸起步 可望逐漸降低對(duì)外國(guó)存儲(chǔ)芯片的依賴(lài)
在早前長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布它已研發(fā)出64層NAND flash芯片之后,近日合肥長(zhǎng)鑫也宣布已解決DRAM芯片的技術(shù)難題并已進(jìn)入小規(guī)模生產(chǎn),這意味著困擾中國(guó)制造業(yè)...
紫光集團(tuán)將在重慶建設(shè)DRAM總部研發(fā)中心及芯片制造工廠 開(kāi)始進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域
繼6月底宣布組建DRAM事業(yè)群后,日前紫光集團(tuán)DRAM開(kāi)始落地工廠建設(shè)。8月27日,重慶市政府與紫光集團(tuán)簽署紫光存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目合作協(xié)議。
全球2Q19 DRAM市場(chǎng)下跌9% NAND閃存持平
DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示,第二季度全球DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值連續(xù)下降9%,而NAND閃存業(yè)則持平。 DRAMeXchange表示,第二季度DR...
美光開(kāi)始量產(chǎn)1z nm工藝節(jié)點(diǎn)的DRAM內(nèi)存
美光科技(Micron)16日宣布進(jìn)一步推動(dòng)DRAM產(chǎn)品的革新,其開(kāi)始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y n...
美光科技正式宣布將采用第3代10納米級(jí)制程生產(chǎn)新一代DRAM
根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出,日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代...
存儲(chǔ)芯片或面臨價(jià)格下降 四季度需要進(jìn)行調(diào)整
產(chǎn)業(yè)鏈消息人士表示,在今年四季度,存儲(chǔ)芯片制造商將忙于調(diào)整庫(kù)存。
日韓貿(mào)易爭(zhēng)端引7月份DRAM現(xiàn)貨價(jià)反彈 研調(diào)單位仍保守看合約市場(chǎng)
6月東芝停電事件,加上7月開(kāi)始日韓貿(mào)易戰(zhàn)延燒,推動(dòng)了已跌到虧損流血的NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)率先反彈,結(jié)束了2年多來(lái)的空頭走勢(shì),此波存儲(chǔ)器價(jià)格由NAN...
2019-08-16 標(biāo)簽:DRAM 2.7k 0
大陸存儲(chǔ)發(fā)展要如何才能有效的避免落得血本無(wú)歸
2018年,全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模為1000億美元,其中三星、SK海力士、美光三大巨頭市場(chǎng)占有率超過(guò)90%,呈現(xiàn)寡頭壟斷態(tài)勢(shì)。近年來(lái),在關(guān)鍵核心技術(shù)國(guó)產(chǎn)替...
日韓紛爭(zhēng)下的DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)應(yīng)何去何從?
眾所周知,2017年正是憑借存儲(chǔ)產(chǎn)品的強(qiáng)勢(shì),使得韓國(guó)半導(dǎo)體迎來(lái)了高光時(shí)刻,尤其是其存儲(chǔ)產(chǎn)品更是獨(dú)占鰲頭。其中,韓國(guó)三星與SK海力士的DRAM的市占率更是...
貿(mào)易戰(zhàn)爭(zhēng)不斷升溫,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)何去何從?
短期上述美中、日韓貿(mào)易戰(zhàn)的糾葛,對(duì)于半導(dǎo)體業(yè)來(lái)說(shuō)利弊并存,同時(shí)供應(yīng)鏈依舊存在高度不確定性
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)亮相閃存技術(shù)峰會(huì) 引領(lǐng)中國(guó)DRAM技術(shù)突破
作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)腄RAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專(zhuān)利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
DRAM產(chǎn)業(yè)一擲千金 “存儲(chǔ)教父”高啟全能否扛起萬(wàn)億重?fù)?dān)
臺(tái)灣的DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)端于1983年與美國(guó)合作研發(fā)內(nèi)存,到2006年,臺(tái)灣僅存六家DRAM廠商,其中三家為自主品牌,另外三家為代工廠。2008年,全球金融...
2019-09-19 標(biāo)簽:DRAM 672 0
SK海力士計(jì)劃明年開(kāi)始量產(chǎn)HBM2E DRAM
SK海力士開(kāi)發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比,新款HBM2E擁有大約50%的帶寬和100%的額外容量。 該公司透露,...
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