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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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紫光成立DRAM事業(yè)群完善“從芯到云”產(chǎn)業(yè)布局

紫光集團(tuán)DRAM戰(zhàn)略正式起航

2019-07-03 標(biāo)簽：DRAM 紫光 2.8k 0

中芯國(guó)際以1.13億美元將LFoundry轉(zhuǎn)賣給錫產(chǎn)微芯

作為初創(chuàng)企業(yè)，錫產(chǎn)微芯購(gòu)得LFoundry后，將利用其技術(shù)實(shí)力，開發(fā)出應(yīng)用面很廣的產(chǎn)品，進(jìn)軍利潤(rùn)豐厚的汽車和工業(yè)領(lǐng)域。

2019-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 中芯國(guó)際 5.9k 0

Everspin 試生產(chǎn)1Gb STT-MRAM

Everspin 近日宣布，其已開始試生產(chǎn)最新的 1Gb STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻）非易失性隨機(jī)存取器。

2019-06-27 標(biāo)簽：DRAM 1.1萬 0

受中美貿(mào)易和DRAM跌價(jià)影響 SK海力士將放緩?fù)懂a(chǎn)計(jì)劃

據(jù)報(bào)道，由于中美貿(mào)易摩擦愈演愈烈，韓國(guó)內(nèi)存芯片大廠SK海力士有意放緩在中國(guó)工廠的投產(chǎn)計(jì)劃。

2019-06-24 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 DRAM 3.7k 0

美光因華為被禁延緩新廠投資計(jì)劃向后推遲7個(gè)月

近日，據(jù)報(bào)道，由于美國(guó)對(duì)華為的禁令，美光延遲了在日本廣島的新廠投資計(jì)劃。

2019-06-24 標(biāo)簽：DRAM 華為美光 3.7k 0

美國(guó)依舊強(qiáng)勢(shì) 國(guó)內(nèi)無廠半導(dǎo)體份額有提升

近幾年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)生了很多變化，由于前些年DRAM、NAND閃存芯片的需求上升及價(jià)格上漲導(dǎo)致如三星等在DRAM、NAND閃存領(lǐng)域非常強(qiáng)勢(shì)的廠商市場(chǎng)份...

2019-06-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 DRAM 4.3k 0

DRAM大廠工藝推進(jìn)1z納米導(dǎo)入EUV設(shè)備擴(kuò)大競(jìng)爭(zhēng)門檻

2019年上半DRAM價(jià)格下跌壓力沉重，盡管上游產(chǎn)能調(diào)節(jié)以及傳統(tǒng)旺季拉貨需求逐漸回升，預(yù)料將有望支撐跌價(jià)趨緩，為了提高生產(chǎn)效益及拉大競(jìng)爭(zhēng)差距，DRAM大...

2019-06-21 標(biāo)簽：DRAM EUV 3k 0

DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格不斷下跌海力士推遲無錫新廠投產(chǎn)計(jì)劃

據(jù)外媒報(bào)道，由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格不斷下跌，近期又有華為事件的影響，SK海力士正在計(jì)劃推遲位于中國(guó)無錫的全球最先進(jìn)內(nèi)存芯片工廠的投產(chǎn)計(jì)劃。

2019-06-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 內(nèi)存芯片 4.6k 0

DRAM開始進(jìn)入EUV時(shí)代？

根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)導(dǎo)，曾表示目前制程技術(shù)還用不上EUV技術(shù)的各大DRAM廠在目前DRAM價(jià)格直直落，短期看不到止跌訊號(hào)的情況下，也頂不住生產(chǎn)成本的壓力，開始...

2019-06-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 三星電子 4.5k 0

模糊內(nèi)存與存儲(chǔ)的邊界讓數(shù)據(jù)離計(jì)算更近

針對(duì)于智能數(shù)據(jù)的爆炸式增長(zhǎng)。IDC預(yù)測(cè),全球每年新增數(shù)據(jù)將從2018年的33ZB增至2025年的175ZB。同時(shí)到2021年，75%的商用企業(yè)級(jí)應(yīng)用將使...

2019-06-21 標(biāo)簽：DRAM NAND SSD 3.4k 0

DRAM廠將陸續(xù)導(dǎo)入EUV技術(shù)

DRAM廠商在面對(duì)DRAM價(jià)格不斷下跌的困境下，已經(jīng)在考慮導(dǎo)入EUV技術(shù)用于制造DRAM，主要目的是為了降低成本。

2019-06-21 標(biāo)簽：DRAM EUV 2.8k 0

受華為事件影響,SK海力士無錫二工廠將推遲投產(chǎn)計(jì)劃

對(duì)于SK海力士而言，無錫工廠將承擔(dān)SK海力士存儲(chǔ)半導(dǎo)體生產(chǎn)總量的一半份額。

2019-06-21 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 5k 0

巨頭大舉投入研發(fā) 下一代存儲(chǔ)技術(shù)何時(shí)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；l(fā)展？

一方面，應(yīng)用極為廣泛的DRAM和NAND Flash，是目前存儲(chǔ)市場(chǎng)上當(dāng)之無愧的主流產(chǎn)品，但都面臨制程持續(xù)微縮的物理極限挑戰(zhàn)，未來持續(xù)提升性能與降低成本...

2019-06-19 標(biāo)簽：芯片 DRAM 存儲(chǔ)技術(shù) 3.5k 0

PCB產(chǎn)業(yè)第3季度受貿(mào)易戰(zhàn)影響較小對(duì)景氣看法較樂觀

PCB業(yè)第2季耀華、華通及健鼎等廠，單季營(yíng)收都較去年同期成長(zhǎng)，但第3季景氣，業(yè)者坦言，美中貿(mào)易戰(zhàn)不確定性影響大，不過相比較之下，泰鼎- KY則認(rèn)為，轉(zhuǎn)單...

2019-06-19 標(biāo)簽：pcb DRAM 電子產(chǎn)業(yè) 3.3k 0

新型存儲(chǔ)器有望取代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和閃存驅(qū)動(dòng)器

業(yè)界普遍認(rèn)為未來從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注...

2019-06-25 標(biāo)簽：DRAM FlaSh 存儲(chǔ)器 3.9k 0

多家DRAM廠商開始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)

繼臺(tái)積電、三星晶圓代工、英特爾等國(guó)際大廠在先進(jìn)邏輯制程導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)后，同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評(píng)估采用EUV技術(shù)...

2019-06-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM EUV 3.4k 0

下一代存儲(chǔ)器何時(shí)方能實(shí)現(xiàn)規(guī)?；l(fā)展成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)之一

眼下的存儲(chǔ)市場(chǎng)正處于多種技術(shù)路線并行迭代的關(guān)鍵時(shí)期。一方面，應(yīng)用極為廣泛的DRAM和NAND Flash，是目前存儲(chǔ)市場(chǎng)上當(dāng)之無愧的主流產(chǎn)品，但都面臨制...

2019-06-17 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 3.1k 0

臥薪嘗膽40年擊敗日系半導(dǎo)體怎樣以三星的方式擊敗三星

全年銷售額2191億美元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)530億美元，雙雙創(chuàng)下新高的三星電子在2018年再次交出了一份令人驚艷的答卷。在傳統(tǒng)業(yè)務(wù)紛紛萎靡不振，原董事長(zhǎng)李健熙涉...

2019-06-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 DRAM 3.4k 0

日本專家自省我們的半導(dǎo)體為何輸了？

日本《鉆石》周刊近日刊登了日本早稻田大學(xué)商務(wù)金融研究中心顧問野口悠紀(jì)雄的一篇文章，題為《日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)衰退的根本原因是什么？》。普遍認(rèn)為，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2019-06-15 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 DRAM 3.2k 0

中國(guó)五到十年內(nèi)IC需求仍難以自給自足

近日，IC Insights的最新報(bào)告指出，在中國(guó)和美國(guó)之間的關(guān)稅和貿(mào)易緊張局勢(shì)之后，中國(guó)各地的政府官員和企業(yè)正在加倍努力，迅速而有意義地發(fā)展國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體...

2019-06-15 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 DRAM 3.4k 0

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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類別，并特別專注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開關(guān)和傳感器、電路保護(hù)與熱管理、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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