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硅基氮化鎵未來發(fā)展趨勢分析

GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標(biāo)簽：射頻無線電氮化鎵 2.4k 0

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用？

如今，越來越多的設(shè)計人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降...

2023-09-13 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 GaN 1.1k 0

IGBT的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù)，但它在高功率應(yīng)用中仍然發(fā)揮著重要作用。

2023-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT SiC 2k 0

氮化鎵的市場在哪些領(lǐng)域？封裝技術(shù)是怎樣的？

氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導(dǎo)熱系數(shù)高、開關(guān)頻率高、抗輻射能力強等優(yōu)點。其中，高開關(guān)頻率意味著應(yīng)用電路...

2023-09-07 標(biāo)簽：封裝技術(shù)氮化鎵 GaN 1.1k 0

通過單片GaN集成提高性能，同時減小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵（GaN）異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和激光雷達脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標(biāo)簽：emi 雷達柵極 1.1萬 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展階段

作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一，半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天，從人工智能到生物醫(yī)學(xué)，半導(dǎo)體無處不在，深刻地塑造著我們生活的方方面面。

2023-09-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 SiC 2.4k 0

氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況氮化鎵襯底技術(shù)是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電...

2023-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵 GaN 1.7k 0

GaNFast氮化鎵功率芯片有何優(yōu)勢？

納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護...

2023-09-01 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 GaN 1.8k 0

量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片...

2023-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓功率器件 2.1k 0

氮化鎵襯底和外延片哪個技術(shù)高襯底為什么要做外延層

氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、...

2023-08-22 標(biāo)簽：功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 6.3k 1

氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上？

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場等特性來看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的...

2023-08-18 標(biāo)簽：led 半導(dǎo)體氮化鎵 1.7k 0

電腦電源為什么不用氮化鎵氮化鎵充電器好還是原裝充電器好

雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力，但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟上的挑戰(zhàn)，使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個主要因素是成本。目前，GaN的制造...

2023-08-17 標(biāo)簽：充電器功率器件氮化鎵 1.4萬 0

數(shù)明半導(dǎo)體SiLM824x系列隔離雙通道門級驅(qū)動器介紹

數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級驅(qū)動器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動，而SiLM824...

2023-08-15 標(biāo)簽：驅(qū)動器功率器件 GaN 2.6k 0

華林科納的化合物半導(dǎo)體異質(zhì)集成

定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國襯底上的能力可以帶來卓越或新穎的功能，并對電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡要描...

2023-08-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 GaN 1.5k 0

下一代射頻芯片工藝路徑是什么樣的

在建模實驗中，imec 的研究人員比較了140GHz工作頻率下三種不同功率放大器實現(xiàn)的性能：全 CMOS 實現(xiàn)、帶有 SiGe 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HB...

2023-08-14 標(biāo)簽：功率放大器移動通信 GaN 1.4k 0

下一代射頻芯片工藝路在何方？

年復(fù)一年，越來越多的用戶通過無線方式傳輸越來越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效，第五代移動通信 (5G) 正在推出，業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來...

2023-08-14 標(biāo)簽：CMOS 功率放大器發(fā)射器 2.8k 0

Kyosemi Gan型紫外線傳感器產(chǎn)品概述

用于深紫外線傳感應(yīng)用的GaN型紫外線傳感器。與Si型紫外線傳感器相比，新產(chǎn)品對UV-B和UV-C深紫外線具有更高的靈敏度。通過使用GaN,產(chǎn)品的...

2023-08-11 標(biāo)簽：傳感器 GaN 紫外線傳感器 934 0

幾種led襯底的主要特性對比氮化鎵同質(zhì)外延的難處

GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延...

2023-08-10 標(biāo)簽：led 功率器件氮化鎵 2.8k 0

功率器件的材料演進之路

如今，我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中，功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。

2023-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1.1k 0

基于GD32F303的高頻DC/DC變換器解決方案

車載充電器（OBC）是電動汽車和混合動力汽車的重要組成部分(HEV)。OBC通常由一個AC/DC(功率因數(shù)校正電路)和一個隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。

2023-08-10 標(biāo)簽：電動汽車變換器 DC-DC 2.4k 0

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藍牙5

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藍牙5是藍牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標(biāo)準(zhǔn)。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達300米。
Qorvo

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5G手機

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨特優(yōu)點的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

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三星集團是韓國最大的企業(yè)集團，包括85個下屬公司及若干其他法人機構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍牙5.0

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藍牙5.0是由藍牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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LoRaWAN基于LoRa遠距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進行遠距離通信的唯一手段。由發(fā)信機、收信機、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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LoRa是一種線性調(diào)頻擴頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
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超外差接收機

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　　超外差接收機是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
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藍牙Mesh是基于ble廣播進行消息傳遞的一種藍牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實現(xiàn)藍牙設(shè)備與藍牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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