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基于GaN交錯(cuò)式臨界導(dǎo)通模式圖騰柱功率因數(shù)校正的新型數(shù)字控制策略

論文《A Novel Digital Control Strategy for GaN-based Interleaving CrM Totem-pol...

2025-04-23 標(biāo)簽：功率因數(shù)數(shù)字控制 GaN 2k 0

納芯微GaN HEMT驅(qū)動(dòng)芯片NSD2017在激光雷達(dá)中的優(yōu)勢(shì)

自動(dòng)駕駛是新能源汽車(chē)智能化的重要發(fā)展方向，而具備強(qiáng)感知能力的激光雷達(dá)則是L2+及以上級(jí)別自動(dòng)駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)芯片NSD...

2024-07-01 標(biāo)簽：GaN 驅(qū)動(dòng)芯片激光雷達(dá) 2k 0

芯干線科技GaN功率器件及應(yīng)用

第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展，第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb...

2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 GaN 2k 0

45W電源芯片U8765的高壓?jiǎn)?dòng)功能

高壓?jiǎn)?dòng)是電源芯片在工作中啟動(dòng)的一種方式，通常是在電源芯片啟動(dòng)時(shí)加入一個(gè)高壓信號(hào)，使其能夠快速地進(jìn)入正常工作狀態(tài)。45W電源芯片U8765集成了高壓?jiǎn)?dòng)...

2024-12-12 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路 GaN 電源芯片 2k 0

GaN基耐輻射DC/DC變換器在衛(wèi)星應(yīng)用中提高效率

在過(guò)去幾年中，航天市場(chǎng)通過(guò)采用以前在空間系統(tǒng)中看不到的新技術(shù)，朝著更高效的電源解決方案發(fā)展?？臻g硬件受到惡劣環(huán)境條件的影響，包括電離輻射，因此必須使用抗...

2023-05-25 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器變換器衛(wèi)星 2k 0

基于GAN先驗(yàn)的退化感知特征插值人臉修復(fù)網(wǎng)絡(luò)

人臉修復(fù)是一種典型的ill-posed問(wèn)題、可逆圖像修復(fù)問(wèn)題，其解不唯一且必存在。高度退化和多退化的場(chǎng)景下，高質(zhì)量的人臉修復(fù)明顯更具有挑戰(zhàn)性。

2023-02-23 標(biāo)簽：編碼器 GaN 圖像編碼 2k 0

廈門(mén)大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

近日，廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進(jìn)展，相關(guān)成果以“Green Vertical-C...

2023-11-10 標(biāo)簽：激光器氮化鎵 VCSEL 2k 0

GaN和SiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下...

2022-07-29 標(biāo)簽：充電器功率器件 SiC 2k 0

利用缺陷信息數(shù)據(jù)庫(kù)探索界面工程，助力GaN基肖特基勢(shì)壘二極管的研究

在電力電子器件的外延生長(zhǎng)和器件制備過(guò)程中，特別是對(duì)于具有凹槽結(jié)構(gòu)的GaN基肖特基勢(shì)壘二極管（TMBS）而言，ICP刻蝕將不可避免地?fù)p傷材料的表面，產(chǎn)生大...

2022-10-08 標(biāo)簽：二極管數(shù)據(jù)庫(kù)GaN 2k 0

TMS320F280039微控制器技術(shù)文檔總結(jié)

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，專(zhuān)為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)，包...

2025-09-30 標(biāo)簽：微控制器 cpu SiC 2k 0

多孔GaN的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性

摘要本文報(bào)道了鉑輔助化學(xué)化學(xué)蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時(shí)間的增加而增加，而蝕刻時(shí)間對(duì)孔隙的大小和形狀沒(méi)...

2022-04-27 標(biāo)簽：光學(xué)GaN 2k 0

氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì)

當(dāng)今市場(chǎng)上有許多晶體管選擇，它們將各種技術(shù)與不同的半導(dǎo)體材料相結(jié)合。因此，縮小哪一個(gè)最適合特定設(shè)計(jì)的范圍可能會(huì)令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...

2023-05-24 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵 GaN 2k 0

電源設(shè)計(jì)中的模擬GaN晶體管

GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 ...

2022-08-05 標(biāo)簽：晶體管 GaN 2k 0

航空航天領(lǐng)域中的GaN功率器件（下）

由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn)，GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是，隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動(dòng)方式的創(chuàng)新改良，宇航電源將會(huì)得到更大...

2024-01-05 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體 GaN 1.9k 0

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前...

2023-05-17 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 1.9k 0

LMG342x 評(píng)估模塊LMG342X-BB-EVM概述

LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG342xR0x0 半橋板（如 LMG3422EVM-043）配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。...

2025-02-21 標(biāo)簽：降壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵 GaN 1.9k 0

基于RC熱阻SPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝的熱特性建模

GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶(hù)能夠使用SPICE進(jìn)行詳細(xì)的熱模擬。模型基于有限元分析（FEA）熱模擬創(chuàng)建，并已由GaN Systems...

2025-03-11 標(biāo)簽：RC GaN 熱仿真 1.9k 0

650V氮化鎵芯片U8722AH的工作原理

針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿(mǎn)足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...

2024-09-06 標(biāo)簽：芯片氮化鎵 GaN 1.9k 0

氮化鎵E-HEMT器件在反激快充應(yīng)用中的測(cè)試對(duì)比

隨著GaN器件在一線品牌（小米、OPPO、華為、VIVO、聯(lián)想等）大功率適配器等應(yīng)用場(chǎng)景的優(yōu)勢(shì)展示和產(chǎn)品推出，推動(dòng)了GaN器件在更廣泛的電源領(lǐng)域的使用，...

2023-02-02 標(biāo)簽：適配器 GaN 電源系統(tǒng) 1.9k 0

GaN功率放大器熱設(shè)計(jì)中金剛石的應(yīng)用解析

為了降低芯片的工作結(jié)溫，基本理念是提高芯片有源區(qū)近端封裝體的熱導(dǎo)率，通過(guò)熱傳導(dǎo)的方式將熱量迅速傳輸出去，避免熱累積效應(yīng)引起的局部溫度升高。

2022-09-07 標(biāo)簽：功率放大器衛(wèi)星通信 GaN 1.9k 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣龋h(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng)，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類(lèi)也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿(mǎn)關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類(lèi)終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
AD9361

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nRF52832

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無(wú)線收發(fā)模塊

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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾。可在擁擠的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂(lè)鑫

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樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專(zhuān)業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
KeyStone

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lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
5G毫米波

5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿(mǎn)足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
802.11ax

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JN5168

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無(wú)線設(shè)備

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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱(chēng)為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷(xiāo)售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱(chēng)。英文全稱(chēng)為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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