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本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...
遠山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...
適配MOSFET柵極驅(qū)動器以驅(qū)動GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設(shè)計的柵...
氮化鎵（GaN）是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與碳化硅（SiC）并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...
GaN-on-Si功率技術(shù):器件和應(yīng)用
在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WB...
2022-07-29 標簽：升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2.2k 0
納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護技術(shù)
這是一款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿足高功率應(yīng)用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...
消費者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊...
缺陷檢測是工業(yè)生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其檢測結(jié)果的好壞直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而在現(xiàn)實場景中，但產(chǎn)品瑕疵率非常低，甚至是沒有，缺陷樣本的不充足使得需要深度學...
2023-06-26 標簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN缺陷檢測 2.2k 0
? 3D對象的生成模型在VR和增強現(xiàn)實應(yīng)用中越來越受歡迎。但使用標準的3D表示(如體素或點云)來訓(xùn)練這些模型是具有挑戰(zhàn)性的，并且需要復(fù)雜的工具來進行適當...
隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展，SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來越廣泛，工程師經(jīng)常要測量頻率高達數(shù)百 kHz，電流高達數(shù)十安培的功率電路。
本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。閱讀本白皮書后，您應(yīng)該對平面磁性技術(shù)的優(yōu)勢以及自動化工作流程如何輕松...
2023-02-22 標簽：意法半導(dǎo)體電力電子SiC 2.2k 0
UPS（不間斷電源）作為一種保障電力供應(yīng)穩(wěn)定和可靠的設(shè)備，被廣泛應(yīng)用在計算機、通訊和工業(yè)等領(lǐng)域。
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因為在同等導(dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的...
過去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司，已交付到能夠一次處理7個6英寸的晶片的Aixtron（愛思強）公司，并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自...
TMS320F280033微控制器數(shù)據(jù)手冊總結(jié)
TMS320F28003x （F28003x） 是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，專為提高電力電子效率而設(shè)計，包...
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一...
例如，多家半導(dǎo)體制造商開發(fā)了片上系統(tǒng) （SoC），其中包括整個射頻 （RF） 信號鏈和有源相控陣天線，該天線在微型封裝中集成了數(shù)十個元件。硅鍺（SiGe...
安森美垂直GaN技術(shù)賦能功率器件應(yīng)用未來
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在...
如何用一個Hercules微控制器來驅(qū)動GaN功率級
今天的博文是一個動手操作項目：你將用一個氮化鎵 （GaN） 功率級、一個Hercules? 微控制器和一個滾輪來調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會談到其中的硬件和...
#參考設(shè)計#用于工業(yè)應(yīng)用的60W雙輸出反激式電源（使用InnoMux2-EP（1700V PowiGaN））
60 W反激式轉(zhuǎn)換器，具有兩個獨立調(diào)節(jié)的CV輸出，使用基于1700 V PowiGaN的InnoMux2-EP（IMX2353F-H415），用于具有高...
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