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垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被稱為第三代半導(dǎo)體，它具有更...
作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機(jī)會，以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，...
2023-04-07 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器逆變器晶體管 1.6k 0
ChatGPT核心技術(shù)：transformer的核心算法結(jié)構(gòu)
由于transformer是更高級的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)深度學(xué)習(xí)算法，對數(shù)據(jù)量有很高要求，這也催生了從小數(shù)據(jù)如何快速產(chǎn)生大數(shù)據(jù)的算法，比如GAN對抗網(wǎng)絡(luò)等。
2023-03-08 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN深度學(xué)習(xí) 1.6k 0
針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！
切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí)，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
通常GaN Hemt驅(qū)動存在2個難題：驅(qū)動電壓低，容易誤啟動；柵極耐電壓低，柵極容易損耗，因此需要專門的驅(qū)動器，不僅增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，也額外增加了系統(tǒng)成本。
TMS320F280037C微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x （F28003x） 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)，包...
氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設(shè)計(jì)出體積更小，成本更低，效率更高的電源系統(tǒng)，從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PD...
2025-02-26 標(biāo)簽：GaN熱設(shè)計(jì) 1.6k 0
? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特?fù)舸╇妷旱难菔鹃L期以來一直激勵著電力電子和其他應(yīng)用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...
使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結(jié)果、三電流探頭法原理和測量結(jié)果。
2023-02-19 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體器件 1.5k 0
?TMS320F28P55x系列微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P55x （F28P55x） 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)，包括但不...
48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用...
電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料...
絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時(shí)日，事實(shí)上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起，IGBT成為了中壓和高壓（...
如何改進(jìn)GaN-on-Si技術(shù)的射頻性能
年復(fù)一年，越來越多的用戶通過無線方式傳輸越來越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效，第五代移動通信 (5G) 正在推出，業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來...
定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國襯底上的能力可以帶來卓越或新穎的功能，并對電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡要描...
高/低功率各不相同，射頻電路電源管理這門學(xué)問你真的懂么？
電源管理是一門科學(xué)藝術(shù)，它通過優(yōu)化輸入和輸出信號來最大化 RF 設(shè)備的效率和性能，這不是一件容易的事。每臺網(wǎng)絡(luò)設(shè)備都有自己獨(dú)特的功率需求。更高的數(shù)據(jù)速率...
TMS320F28P559SJ-Q1 實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)手冊
TMS320F28P55x （F28P55x） 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包...
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