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PI技術(shù)白皮書(shū) 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應(yīng)用

白皮書(shū)?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢(shì)，展示了其經(jīng)過(guò)實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證的可靠性以及滿足800...

2025-10-14 標(biāo)簽：PI 數(shù)據(jù)中心 SiC 1.4k 0

殺入新能源汽車(chē)市場(chǎng)的GaN，勝算幾何

SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，G...

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC GaN 1.4k 0

適用于集成驅(qū)動(dòng)器的三相1.25kW、200VAC 小型 GaN逆變器參考設(shè)計(jì)

此參考設(shè)計(jì)是一款三相逆變器，在 50°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 1.25 kW，在 85°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 550 W，用于驅(qū)動(dòng) 2...

2025-02-25 標(biāo)簽：伺服電機(jī)FET 電源模塊 1.4k 0

生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)GAN的七大開(kāi)放性問(wèn)題

生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)在過(guò)去一年仍是研究重點(diǎn)，我們不僅看到可以生成高分辨率（1024×1024）圖像的模型，還可以看到那些以假亂真的生成圖像。此外，我們還很興奮能...

2023-03-17 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN 1.4k 0

BiGaN開(kāi)關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用

保護(hù)USB端口、為來(lái)自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)免受浪涌影響，都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止，設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFE...

2024-10-24 標(biāo)簽：MOSFET 電源管理 GaN 1.4k 0

TIDA-010042 基于GaN的400W MPPT充電控制器和電源優(yōu)化器參考設(shè)計(jì)

該參考設(shè)計(jì)是一款適用于 12V 和 24V 電池的最大功率點(diǎn)跟蹤 (MPPT) 太陽(yáng)能充電控制器，未來(lái)可用作電源優(yōu)化器。該參考設(shè)計(jì)布局緊湊，適用于中小型...

2025-02-21 標(biāo)簽：微控制器太陽(yáng)能控制器 1.4k 0

基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標(biāo)簽：電感氮化鎵蝕刻 1.4k 0

LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET，帶集成驅(qū)動(dòng)器介紹

LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵（GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on）和最大電流版本，L...

2025-02-21 標(biāo)簽：電平轉(zhuǎn)換器 FET GaN 1.4k 0

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之四：寬禁帶材料測(cè)試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。

2021-03-26 標(biāo)簽：萬(wàn)用表 SiC GaN 1.4k 0

GaN快充芯片U8609的工作原理

GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365m?，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降...

2025-04-22 標(biāo)簽：充電器 GaN 快充芯片 1.4k 0

HMC1099 10W GaN功率放大器，0.01-1.1GHz技術(shù)手冊(cè)

HMC1099是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在瞬時(shí)帶寬范圍為0.01 GHz至1.1 GHz時(shí)提供>10 W功率、69% PAE，增益平坦...

2025-03-12 標(biāo)簽：功率放大器 GaN 1.4k 0

使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開(kāi)關(guān)

眾所周知，因?yàn)?GaN PA 需要使用特定的偏置時(shí)序，所以在某些設(shè)計(jì)中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會(huì)具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng)，可能會(huì)導(dǎo)致組件損壞...

2023-02-22 標(biāo)簽：功率放大器電源管理 GaN 1.4k 0

HMC8500PM5E 10W (40dBm) 0.01GHz至2.8 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)

HMC8500PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 30 dBm 的輸入功率下，在 0.01 GHz 至 2.8 GHz 瞬時(shí)帶寬上...

2025-03-11 標(biāo)簽：功率放大器引腳 GaN 1.4k 0

下一代射頻芯片工藝路徑是什么樣的

在建模實(shí)驗(yàn)中，imec 的研究人員比較了140GHz工作頻率下三種不同功率放大器實(shí)現(xiàn)的性能：全 CMOS 實(shí)現(xiàn)、帶有 SiGe 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HB...

2023-08-14 標(biāo)簽：功率放大器移動(dòng)通信 GaN 1.4k 0

應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)

德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵（GaN）功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無(wú)引腳（QFN）封裝中實(shí)現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...

2025-02-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 1.4k 0

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過(guò)hvpe (氫化物氣相)生長(zhǎng)法等進(jìn)行生長(zhǎng)...

2022-04-15 標(biāo)簽：晶片 GaN 清洗 1.4k 0

TMS320F280038-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，專(zhuān)為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)，包...

2025-09-30 標(biāo)簽：微控制器 PWM 電力電子 1.4k 0

集成的專(zhuān)業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案

氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無(wú)可爭(zhēng)議的技術(shù)，例如 X 波段（8–12 GHz）的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...

2023-05-20 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.4k 0

高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧方案免費(fèi)下載

高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）具有極高的開(kāi)關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測(cè)...

2025-02-27 標(biāo)簽：測(cè)量 GaN HEMT 1.4k 0

ADPA1105 46 dBm (40W)、0.9GHz至1.6GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè)

ADPA1105是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在帶寬范圍為0.9 GHz至1.4 GHz時(shí)提供46 dBm (40 W)功率和60%典型功率附加...

2025-03-10 標(biāo)簽：放大器功率放大器 GaN 1.4k 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類(lèi)也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類(lèi)終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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無(wú)線收發(fā)模塊

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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂(lè)鑫

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樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專(zhuān)業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
KeyStone

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lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
5G毫米波

5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
802.11ax

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JN5168

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無(wú)線設(shè)備

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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷(xiāo)售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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