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gan技術(shù)

快充電源芯片U8733L的簡單介紹

一些集成GaN FET的芯片能夠根據(jù)輸入電壓和負(fù)載的變化自動調(diào)整工作模式，這種自適應(yīng)調(diào)整可以使芯片在不同的工作條件下都能實現(xiàn)恒功率輸出，同時保持較高的效...

2025-03-19 標(biāo)簽：FET GaN 電源芯片 1.2k 0

如何應(yīng)用GaN 提高功率密度和效率？

集成驅(qū)動器可減小解決方案尺寸，實現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...

2023-02-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵 GaN 1.2k 0

GaN FET(場效應(yīng)晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢

本文重點介紹了一項新發(fā)展：將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)中，且無需外部供電。我們將深入探討這一解決...

2024-08-23 標(biāo)簽：傳感器場效應(yīng)晶體管 GaN 1.2k 0

HMC7885 2GHz至6GHz，45dBm功率放大器技術(shù)手冊

HMC7885是一款32 W氮化鎵(GaN)、單芯片微波集成電路(MMIC)功率放大器(PA)模塊，工作頻率范圍為2 GHz至6 GHz，提供18引腳密...

2025-03-11 標(biāo)簽：功率放大器 GaN MMIC 1.2k 0

Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊

Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動所有N溝道同步氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）功率級，輸出電壓高達(dá)100V。高性能...

2025-05-27 標(biāo)簽：FET N溝道 GaN 1.2k 0

TIDA-010236：適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設(shè)計

此參考設(shè)計是一款 4kW 連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC），具有頂部冷卻的氮化鎵（GaN）子板和TMS320F280025C...

2025-02-24 標(biāo)簽：功率因數(shù)PFC 氮化鎵 1.2k 0

碳化硅上的氮化鎵是唯一可行的長期5G解決方案

5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計帶來了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...

2023-05-24 標(biāo)簽：GaN 碳化硅 5G 1.2k 0

“后起之秀”氮化鎵未來幾大新的增長點

來源：電子工程專輯比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。...

2023-07-24 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 1.2k 0

HMC7149 10W GaN MMIC功率放大器，6-18GHz技術(shù)手冊

HMC7149是一款10W氮化鎵(GaN) MMIC功率放大器，工作頻率范圍為6至18 GHz。通常情況下，該放大器提供20 dB的小信號增益、+40...

2025-03-21 標(biāo)簽：功率放大器 GaN MMIC 1.2k 0

應(yīng)用筆記：LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET，帶集成驅(qū)動器

LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵（GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on）和最大電流版本，L...

2025-02-21 標(biāo)簽：電平轉(zhuǎn)換器 FET GaN 1.2k 0

簡述納微GaNSense技術(shù)及專利布局

充電器，已經(jīng)成為每個人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊，能否提供更高的功率和更短的充電時間，對消費電子企業(yè)和消費者都非常重要，在這種背景下，讓氮化鎵已...

2022-11-09 標(biāo)簽：充電器 GaN 納微半導(dǎo)體 1.2k 0

TMS320F280034-Q1 汽車級 C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計，包括但不...

2025-04-15 標(biāo)簽：微控制器電力電子 SiC 1.2k 0

德州儀器LMG3522R050 650V GaN FET集成驅(qū)動技術(shù)解析

Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實現(xiàn)...

2025-08-06 標(biāo)簽：驅(qū)動器電源轉(zhuǎn)換器 FET 1.2k 0

GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

2025-02-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1.2k 0

ADPA1106 46 dBm (40 W)、2.7 GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊

ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內(nèi)，可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...

2025-04-22 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 寬帶功率放大器 1.2k 0

C2000實時微控制器(MCU)應(yīng)對GaN開關(guān)挑戰(zhàn)

與碳化硅（SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)...

2023-07-24 標(biāo)簽：微控制器 mcu GaN 1.2k 0

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵（GaN） FET。該器件由兩個 ...

2025-02-21 標(biāo)簽：FET 氮化鎵 GaN 1.2k 0

LMG3410R150-031 EVM用戶指南

LMG3410EVM-031具有兩個LMG3410R150600VGaN功率晶體管，帶有集成驅(qū)動器，這些驅(qū)動器配置在-個半橋中，具有所有必需的偏置電路和...

2025-02-25 標(biāo)簽：電感 GaN 功率晶體管 1.2k 0

微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件發(fā)展中的作用

微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例，摻入五價砷（As）元素可為晶格引入多...

2025-08-27 標(biāo)簽：光電器件 GaN 半導(dǎo)體器件 1.2k 0

氮化鎵PD快充芯片U8733產(chǎn)品概述

芯片?恒功率控制，意味著無論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運行。當(dāng)檢測到系統(tǒng)溫度過高時，主動降功率功能會啟動...

2025-05-10 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 1.2k 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機

5G手機

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機開始大行其道。
智慧家庭

智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
Keysight

Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
AD9361

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nRF52832

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無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨特優(yōu)點的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個下屬公司及若干其他法人機構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
KeyStone

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lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
802.11ax

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JN5168

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機、收信機、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機

超外差接收機

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　　超外差接收機是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
HBT

HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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