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gan技術(shù)

利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性

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與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

2023-07-23 標(biāo)簽:mcu數(shù)字電源GaN 1.2k 0

技術(shù)文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流感應(yīng)

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LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 ...

2025-02-24 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動器 1.2k 0

氮化鎵GaN快充芯片U8732的特點(diǎn)

氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比,性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議,如PD、QC等,能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率,實(shí)現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手...

2025-05-23 標(biāo)簽:氮化鎵GaN快充芯片 1.2k 0

LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報(bào)告數(shù)據(jù)手冊

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LMG352xR030 集成了一個硅驅(qū)動器,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) S...

2025-08-06 標(biāo)簽:emi電感零電壓 1.2k 0

HMC8205BF10 0.3或0.4 GHz至6 GHz、35W、GaN功率放大器技術(shù)手冊

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HMC8205BF10是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在瞬時(shí)帶寬范圍為0.3 GHz至6 GHz時(shí)提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功...

2025-03-11 標(biāo)簽:放大器功率放大器GaN 1.2k 0

ADPA1116 0.3GHz至6GHz,39.5dBm,GaN功率放大器技術(shù)手冊

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ADPA1116是一款0.3 GHz至6 GHz的功率放大器,飽和輸出功率(POUT)為39.5 dBm,功率附加效率(PAE)為40%,在輸入功率(P...

2025-04-22 標(biāo)簽:功率放大器輸出功率GaN 1.2k 0

DC/DC隔離電源助力綠色低碳新發(fā)展

在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機(jī)驅(qū)動效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化...

2024-04-07 標(biāo)簽:MOSFET電池充電隔離電源 1.2k 0

TPS7H6101-SEP 耐輻射 200V 10A GaN 功率級,集成驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

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2025-08-06 標(biāo)簽:FETGaN柵極驅(qū)動器 1.2k 0

Texas Instruments UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

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Texas Instrument UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側(cè)柵極驅(qū)動器是一款有效驅(qū)動MOSFET和GaN電源開關(guān)的高速、雙通道、...

2025-08-05 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)GaN 1.2k 0

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LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...

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HMC1086F10 25W GaN MMIC功率放大器技術(shù)手冊

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LMG3522EVM-042 在半橋中配置了兩個 LMG3522R030 GaN FET,具有逐周期過流保護(hù)、鎖存短路保護(hù)功能和所有必要的輔助外圍電路。...

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HMC1099PM5E 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 0.01 GHz 到 1.1 GHz 瞬時(shí)帶寬上實(shí)現(xiàn) >10 W 輸出,P...

2025-03-11 標(biāo)簽:功率放大器引腳GaN 1.2k 0

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GaN開始為人所知是在光電LED市場,廣為人知則是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場。但實(shí)際上,GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說是新能源汽車市場,而非消...

2023-06-29 標(biāo)簽:氮化鎵GaN華燦光電 1.2k 0

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TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...

2025-09-30 標(biāo)簽:微控制器電力電子SiC 1.2k 0

TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...

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     hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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