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如何利用單根GaN納米柱實(shí)現(xiàn)低功耗的微型人工突觸器件呢？
近年來，人工智能、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)對數(shù)據(jù)處理的速度和效率有更高的要求，而傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)由于存儲和計(jì)算結(jié)構(gòu)的分離，其在處理數(shù)據(jù)密集型任務(wù)和人工智能任務(wù)時面臨著...
2023-12-26 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)物聯(lián)網(wǎng)人工智能 1.7k 0
12 月 23 日，由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十四屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”在深圳正式召開，本次活動涉及小功率、高功率、消費(fèi)類電子、汽車、工業(yè)、5G、光伏儲能...
2023-12-25 標(biāo)簽：功率開關(guān)AC-DCGaN 2k 0
增強(qiáng)GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用
熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要，而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...
2023-12-24 標(biāo)簽：場效應(yīng)管FET氮化鎵 1.6k 0
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。
柵極驅(qū)動DC/DC系列產(chǎn)品擴(kuò)展
非對稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動 - 現(xiàn)在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、S...
2023-12-21 標(biāo)簽：驅(qū)動器GaNdcdc轉(zhuǎn)換器 1.3k 0
全球大廠帶節(jié)奏，日本功率半導(dǎo)體市場承受壓力
近日，日本電子元器件領(lǐng)域的兩家重要企業(yè)羅姆半導(dǎo)體和東芝，聯(lián)合發(fā)布聲明，計(jì)劃進(jìn)行一項(xiàng)巨額投資。
具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。
韓國研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法
外媒消息，韓國首爾國立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)生長出了LED微型陣列，并...
2023-12-18 標(biāo)簽：ledLED技術(shù)LED芯片 1.9k 0
Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選？
氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對點(diǎn)無線電和其他應(yīng)用。
隨著電動汽車（EVs）的銷售量增長，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此...
意法半導(dǎo)體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片
2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬...
2023-12-15 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 1.9k 0
韓國開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法
12月11日，外媒消息，韓國首爾國立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)生長出了LE...
2023-12-13 標(biāo)簽：LED技術(shù)LED芯片GaN 1.5k 0
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和...
據(jù)晶湛半導(dǎo)體消息，晶湛半導(dǎo)體業(yè)界公認(rèn)的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術(shù)開拓者程凱博士將于2012年3月回國創(chuàng)業(yè)。國際先進(jìn)的氮化鎵外延材料開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地
基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)
第三代半導(dǎo)體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件...
GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管
近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“氮化鎵功率電子器件技術(shù)分論壇...
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。
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