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理論性能遠(yuǎn)超SiC?GaN功率二極管的發(fā)展歷程

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)氮化鎵功率器件的大規(guī)模應(yīng)用,是從2018年開(kāi)始的。自手機(jī)快充功能在市場(chǎng)上迅速普及,經(jīng)過(guò)數(shù)年的發(fā)展,氮化鎵HEMT器件早已被...

2024-01-24 標(biāo)簽:功率二極管功率器件SiC 4.8k 0

基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目啟動(dòng)

據(jù)云塔科技消息,1月15日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異...

2024-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1.9k 0

港科大陳敬教授團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合GaN和SiC二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管

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在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開(kāi)始占領(lǐng)價(jià)值數(shù)十億美元的市場(chǎng)。例如,碳化硅現(xiàn)在是電動(dòng)汽車(chē)逆變器和充電器的首選半導(dǎo)體。如...

2024-01-19 標(biāo)簽:晶體管SiCGaN 2.7k 0

瑞薩宣布收購(gòu)Transphorm,雙方已達(dá)成最終協(xié)議

此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元(約合人民幣24.27億元)。此次收購(gòu)將為瑞薩提供GaN(功率半導(dǎo)體的下一代關(guān)鍵材料)的內(nèi)部技術(shù)。

2024-01-19 標(biāo)簽:瑞薩GaNTransphorm 788 0

高性能、小體積,GaN在智能家居中開(kāi)拓廣闊市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)隨著智能家居的發(fā)展,高效高性能的小體積電源越來(lái)越被市場(chǎng)青睞。想要將電源體積做得更小,但同時(shí)能夠保證最好的性能,氮化鎵(Ga...

2024-01-19 標(biāo)簽:智能家居氮化鎵GaN 5k 0

半導(dǎo)體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學(xué)蝕刻的 MOCVD GaN

半導(dǎo)體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學(xué)蝕刻的 MOCVD GaN

蝕刻時(shí)間和過(guò)氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜,使...

2024-02-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOCVDGaN 1.5k 0

Micro LED業(yè)務(wù)增長(zhǎng)顯著,IQE去年?duì)I收超10億

 近年,IQE開(kāi)始涉足Micro LED領(lǐng)域,IQE擁有豐富的MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)儲(chǔ)備及規(guī)?;a(chǎn)的能力,可滿足制備微米級(jí)高亮Micro LED的需求。

2024-01-18 標(biāo)簽:MOCVDGaNMicro LED 2.3k 0

BluGlass完成對(duì)GaNWorks的收購(gòu)

來(lái)源:Semiconductor Today 澳大利亞Silverwater的BluGlass Ltd基于其專(zhuān)有的低溫、低氫遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積(R...

2024-01-17 標(biāo)簽:晶圓GaNBluGlass 944 0

Luminus Devices與湖南三安半導(dǎo)體簽署合作協(xié)議

Luminus Devices近日宣布,已與湖南三安半導(dǎo)體簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,Luminus將成為湖南三安在美洲地區(qū)的獨(dú)家銷(xiāo)售渠道,負(fù)責(zé)銷(xiāo)售其...

2024-01-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1.2k 0

瑞薩電子收購(gòu)氮化鎵廠商Transphorm

瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布,雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Trans...

2024-01-17 標(biāo)簽:氮化鎵GaN瑞薩電子 1.5k 0

GaN巨頭NexGen Power Systems破產(chǎn):垂直GaN市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn)

NexGen認(rèn)為,將垂直氮化鎵逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)引入電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)可以幫助汽車(chē)制造商提高續(xù)航里程、減輕重量并提高系統(tǒng)可靠性。

2024-01-17 標(biāo)簽:逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)氮化鎵 1.5k 0

偉詮電布局GaN市場(chǎng),有望打入瑞薩供應(yīng)鏈

偉詮電在氮化鎵(GaN)快充市場(chǎng)迎來(lái)了新的機(jī)遇,因?yàn)槿毡炯稍O(shè)備制造商(IDM)瑞薩公司近期宣布成功收購(gòu)美國(guó)GaN廠商Transphorm。這對(duì)偉詮電來(lái)...

2024-01-16 標(biāo)簽:瑞薩GaN偉詮電子 1.4k 0

GaN微納結(jié)構(gòu)及其光電子器件研究

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氮化物半導(dǎo)體具有寬禁帶、可調(diào),高光電轉(zhuǎn)化效率等優(yōu)點(diǎn),在紫外傳感器,功率器件,射頻電子器件,LED照明、顯示、深紫外殺菌消毒、激光器、存儲(chǔ)等領(lǐng)域具有廣闊的...

2024-01-15 標(biāo)簽:led照明探測(cè)器激光器 3.1k 0

瑞薩24億收購(gòu)Transphorm!

此次收購(gòu)將為瑞薩電子提供自主的GaN技術(shù),從而將其業(yè)務(wù)范圍擴(kuò)大到電動(dòng)汽車(chē)、計(jì)算(數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施)、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。

2024-01-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)瑞薩氮化鎵 1.5k 0

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期,大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底,制作出了氮化鎵(GaN)晶體管,其散熱性能是使用碳化硅(SiC)襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

2024-01-15 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 1.5k 0

三安宣布進(jìn)軍美洲市場(chǎng),為市場(chǎng)提供SiC和GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷(xiāo)售渠道,...

2024-01-13 標(biāo)簽:二極管MOSFETSiC 2.5k 0

投資金額達(dá)6000萬(wàn)元!又新增2個(gè)GaN射頻項(xiàng)目

近日,國(guó)內(nèi)有2個(gè)氮化鎵項(xiàng)目公布新進(jìn)展,合計(jì)投資金額達(dá)6000萬(wàn)元。

2024-01-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝氮化鎵GaN 2.7k 0

瑞薩豪擲3.39億美元收購(gòu)Transphorm,押寶GaN技術(shù)

在科技領(lǐng)域的巨浪中,瑞薩電子以35%的溢價(jià)宣告了一項(xiàng)重磅收購(gòu)。1月11日,瑞薩電子正式宣布與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm達(dá)成最終協(xié)議,...

2024-01-12 標(biāo)簽:瑞薩GaNTransphorm 1.7k 0

瑞薩宣布收購(gòu)Transphorm,大舉進(jìn)軍GaN

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方...

2024-01-12 標(biāo)簽:瑞薩GaNTransphorm 1.5k 0

三安與朗明納斯達(dá)成美洲獨(dú)家銷(xiāo)售協(xié)議,加速寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)拓展

據(jù)了解,三安半導(dǎo)體與朗明納斯均為三安光電集團(tuán)的子公司,2013年,三安光電收購(gòu)了朗明納斯100%股權(quán)。

2024-01-12 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.5k 0

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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對(duì)4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
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劉士進(jìn) jf_38010428 jf_78150839 過(guò)過(guò)小日子 kdhaha jf_30061372 jf_75715919 書(shū)銘永恒 張偉_81592513 鄒廣田 jf_37200696 gp601

編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

電機(jī)控制 DSP 氮化鎵 功率放大器 ChatGPT 自動(dòng)駕駛 TI 瑞薩電子
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無(wú)刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
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MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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