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GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器研究

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以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng),高電子飽和速度,高頻和高功率等特性,在射頻和電力電子器件領(lǐng)域具有巨大的性能優(yōu)勢(shì)。

2023-12-09 標(biāo)簽:晶體管諧振器GaN 2.1k 0

增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展

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作為寬帶隙材料,GaN具有擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開(kāi)關(guān)頻率高,以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。

2023-12-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 2.9k 0

助熔劑法生長(zhǎng)GaN單晶襯底的研究進(jìn)展

GaN性能優(yōu)異,在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛,發(fā)展?jié)摿薮?;進(jìn)一步發(fā)展,需提升材料質(zhì)量,制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。

2023-12-09 標(biāo)簽:激光器GaN載流子 2.3k 0

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽...

2023-12-07 標(biāo)簽:晶體管GaNHEMT 2.3k 0

具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)

具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)

氮化鎵(GaN)功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流(DC-DC)變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等...

2023-12-06 標(biāo)簽:變換器功率器件GaN 2k 0

陳敬教授:面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)

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近日,在第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇開(kāi)幕大會(huì)上,香港科技大學(xué)講席教授陳敬帶來(lái)了“面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器...

2023-12-05 標(biāo)簽:射頻氮化鎵GaN 2.2k 0

淺談寬禁帶半導(dǎo)體涉及到的幾個(gè)基礎(chǔ)問(wèn)題

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功率電子材料和器件研發(fā)基本與國(guó)際同步,GaN功率器件邁向更廣的應(yīng)用領(lǐng)域,更全電壓等級(jí),從當(dāng)前100V/650V拓展到30V~1200V,可靠性升級(jí)實(shí)現(xiàn)從...

2023-12-05 標(biāo)簽:led功率器件GaN 1.9k 0

德州儀器發(fā)布低功耗氮化鎵系列新品

德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系統(tǒng)效率,同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺...

2023-12-01 標(biāo)簽:德州儀器低功耗氮化鎵 2.7k 0

關(guān)于鋁鎵氮(AlGaN)上p-GaN的高選擇性、低損傷蝕刻

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GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)由于其高頻和低導(dǎo)通電阻的特性,近來(lái)在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中引起了廣泛關(guān)注。二維電子氣(2DEG)是由AlGaN/GaN異質(zhì)...

2023-11-27 標(biāo)簽:晶圓蝕刻GaN 2k 0

俄羅斯和印度再增2個(gè)SiC項(xiàng)目 合計(jì)超過(guò)6.3億元

最近,俄羅斯和印度新增了2個(gè)碳化硅項(xiàng)目,其中俄羅斯的碳化硅模塊項(xiàng)目是由“中國(guó)最大的制造商之一”投資建設(shè)的

2023-11-25 標(biāo)簽:晶圓SiC功率模塊 2.2k 0

羅姆國(guó)富工廠將于明年生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓 目標(biāo)增長(zhǎng)35倍

11月上旬,羅姆株式會(huì)社社長(zhǎng)松本功在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布,他們將在日本宮崎縣的國(guó)富工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓,預(yù)計(jì)將于2024年開(kāi)始。

2023-11-25 標(biāo)簽:晶圓SiCGaN 2.1k 0

LTC7891的GaN 400W電源模塊

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本次與大家分享的是世健和ADI聯(lián)合舉辦的《在ADI電源產(chǎn)品的花園里“挖呀挖”》主題活動(dòng)的一等獎(jiǎng)文章:《LTC7891的GaN400W電源模塊》及作者獲獎(jiǎng)...

2023-11-23 標(biāo)簽:電源adiGaN 2.8k 0

GaN 技術(shù)的過(guò)去和現(xiàn)在

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2023-12-06 標(biāo)簽:晶體管GaN氮化鎵晶體管 1.5k 0

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GaN是否可靠?

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2023-12-05 標(biāo)簽:電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 1.1k 0

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雖然氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段,它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域??紤]到其高功率密度和效率,氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于...

2023-11-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 1.3k 0

氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別?

氮化鎵充電器什么意思?氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別是什么? 氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵(GaN)材料制造的充電器。GaN是一種新...

2023-11-21 標(biāo)簽:充電器氮化鎵GaN 8.6k 0

氮化鎵帶來(lái)電源管理變革的3大原因

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。   氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,...

2023-11-18 標(biāo)簽:電源氮化鎵GaN 1.4k 0

巧用三個(gè)GaN器件 輕松搞定緊湊型電源設(shè)計(jì)

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本文簡(jiǎn)要討論了氮化鎵的優(yōu)勢(shì)及其設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。然后,介紹了Power Integrations的三個(gè)帶有內(nèi)部氮化鎵功率開(kāi)關(guān)的集成離線反激式轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān) IC 平臺(tái)...

2023-11-16 標(biāo)簽:電源充電器適配器 1.6k 0

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開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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