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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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過(guò)去，人工智能研究人員使用一種稱(chēng)為數(shù)據(jù)增強(qiáng)的方法來(lái)規(guī)避此問(wèn)題。在這種方法中，以圖像算法為例，如果材料不足，則復(fù)制現(xiàn)有材料。在復(fù)制期間，會(huì)對(duì)原始圖像進(jìn)行更...

2020-12-16 標(biāo)簽：人工智能 GaN 英偉達(dá) 1.8k 0

GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)硅基,引領(lǐng)科技新紀(jì)元

在開(kāi)關(guān)模式電源中使用 GaN 開(kāi)關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并...

2025-02-11 標(biāo)簽：GaN 硅基 1.8k 0

羅姆GaN器件被臺(tái)達(dá)電子采用

羅姆半導(dǎo)體公司近日宣布，其旗下高性能的650V GaN器件（EcoGaN）已被全球知名的綠色解決方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)電子旗下的Innergie品牌成功采用，用...

2024-03-12 標(biāo)簽：適配器 GaN 羅姆半導(dǎo)體 1.8k 0

IMEC開(kāi)發(fā)出最新的硅襯底芯片

IMEC與其合作伙伴共同開(kāi)發(fā)了在200毫米硅芯片上生長(zhǎng)GaN/AlGaN的技術(shù),IMEC介紹了該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)大尺寸生產(chǎn)和兼容性好的優(yōu)勢(shì)

2011-06-08 標(biāo)簽：IMEC GaN 襯底芯片 1.8k 0

香港科技大學(xué)陳敬課題組揭示GaN與SiC材料的最新研究進(jìn)展

香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組，在第70屆國(guó)際電子器件大會(huì)（IEEE International Electron Devices Mee...

2025-02-19 標(biāo)簽：SiC GaN 1.8k 0

用于電動(dòng)機(jī)的GaN器件

考慮在 ≥ 40 kHz 的開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行的硅基功率器件。在這些條件下，開(kāi)關(guān)損耗大于傳導(dǎo)損耗，對(duì)總功率損耗產(chǎn)生連鎖效應(yīng)。散發(fā)產(chǎn)生的多余熱量需要散熱器，從...

2022-08-08 標(biāo)簽：電動(dòng)機(jī)晶體管 GaN 1.8k 0

利用國(guó)產(chǎn)C2000實(shí)時(shí)DSP，QX320F280049，提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù) 字電源轉(zhuǎn)...

2024-08-15 標(biāo)簽：dsp 數(shù)字電源 GaN 1.8k 0

2023年第三代半導(dǎo)體GaN與SiC MOSFET的發(fā)展前景

2023-02-24 標(biāo)簽：MOSFET SiC GaN 1.8k 0

高密度GaN基功率級(jí)的熱設(shè)計(jì)

由于 eGaN FET 和 IC 具有緊湊的尺寸、超快速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻，因此能夠?qū)崿F(xiàn)非常高密度的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。大多數(shù)高密度轉(zhuǎn)換器中輸出功率的限制因素...

2022-08-09 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器散熱器 GaN 1.8k 0

智能電力開(kāi)啟高效用電之門(mén)

試想你在離家1,000英里遠(yuǎn)的地方，卻能夠監(jiān)測(cè)和控制家里和辦公樓中的每一度電。你能運(yùn)用這種能力做什么呢？ ? 你有時(shí)或許想要遠(yuǎn)程調(diào)節(jié)恒溫器，開(kāi)燈...

2022-01-11 標(biāo)簽：集成電路電源管理 PFC 1.8k 0

AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻

寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEM...

2023-10-10 標(biāo)簽：蝕刻 GaN HEMT 1.8k 0

納微半導(dǎo)體2.0的轉(zhuǎn)型之路

自我正式擔(dān)任納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）首席執(zhí)行官至今，已有 60 天時(shí)間。今天，我們迎來(lái)了關(guān)鍵時(shí)刻：納微正加速轉(zhuǎn)型，成為一...

2025-11-21 標(biāo)簽：電網(wǎng)gpu GaN 1.8k 0

GaAs和GaN混合集成微波功率放大器已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

隨著目前美國(guó)對(duì)我國(guó)各個(gè)行業(yè)的限制，特別是在包括Sub-1G的自組網(wǎng)等射頻通信領(lǐng)域的限制更加嚴(yán)格，我們需要發(fā)展自己的好性能芯片，尤其是通信裝備就更加敏感了...

2020-07-22 標(biāo)簽：功率放大器 GaN GaAs 1.8k 0

了解氮化鎵芯片的應(yīng)用和發(fā)展

GaN（KT65C1R200D）具有高帶隙、高飽和電子遷移速度、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。因此，GaN比Si更適合于大功率和高頻功率器件。具有體積小、散熱容易、損...

2023-09-18 標(biāo)簽：芯片氮化鎵 GaN 1.8k 0

GaN-on-Si 大功率 LED 芯片技術(shù)如何改變燈具設(shè)計(jì)

微反射器和預(yù)聚焦 LED 制造工藝顯著節(jié)省空間

2022-08-24 標(biāo)簽：led 芯片大功率 1.8k 0

CG2H80060D?C波段GaN HEMT管芯CREE

Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能指標(biāo)；CG2H800...

2022-11-01 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 管芯 1.8k 0

功率 GaN 技術(shù)和銅夾封裝

越來(lái)越多的社會(huì)壓力和越來(lái)越多的減少二氧化碳排放的立法正在推動(dòng)從汽車(chē)到電信的行業(yè)投資于更高效的電力轉(zhuǎn)換和增加電氣化。傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)體技術(shù)如絕緣柵雙極晶...

2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝 GaN 1.8k 0

Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設(shè)計(jì)，可將溫度降低30%，采用集成半有源橋，效率高達(dá)96%

2024 年 8 月 22 日：位于英國(guó)劍橋的電力電子技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的 65W USB-C GaN優(yōu)化參考...

2024-08-22 標(biāo)簽：GaN USB-C Pulsiv 1.8k 0

Navitas發(fā)布2024財(cái)年Q3財(cái)報(bào):營(yíng)收微降,但技術(shù)與市場(chǎng)布局加速

近日，Navitas半導(dǎo)體公司發(fā)布了其截至2024年9月30日的第三季度未經(jīng)審計(jì)的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)報(bào)告。盡管總營(yíng)收微降至2170萬(wàn)美元，相比2023年第三季度的...

2024-11-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)SiC GaN 1.8k 0

E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦

2025-04-03 標(biāo)簽：GaN 電源芯片 1.8k 0

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藍(lán)牙5

藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng)，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類(lèi)也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
Keysight

Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
智慧家庭

智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類(lèi)終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
AD9361

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nRF52832

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無(wú)線收發(fā)模塊

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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂(lè)鑫

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樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專(zhuān)業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
KeyStone

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lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
5G毫米波

5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
802.11ax

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JN5168

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無(wú)線設(shè)備

無(wú)線設(shè)備

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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱(chēng)為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷(xiāo)售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱(chēng)。英文全稱(chēng)為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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