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意法半導(dǎo)體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片

2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬...

2023-12-15 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 1.9k 0

繼續(xù)深入藍(lán)海市場：布局Micro LED和GaN

雖然中國是屏幕生產(chǎn)、出口大國，但屏幕驅(qū)動芯片，卻主要靠進(jìn)口。市場日益擴(kuò)大的電源管理芯片同樣如此，被ST、TI、ADI等國外廠商占據(jù)絕大部分市場。隨著第三...

2020-12-30 標(biāo)簽：電源管理 GaN Micro LED 1.9k 0

納芯微電子推出基于電容隔離技術(shù)的隔離式比較器NSI22C1x系列

納芯微今日宣布推出基于電容隔離技術(shù)的隔離式比較器NSI22C1x系列，該系列包括用于過壓和過溫保護(hù)的隔離式單端比較器NSI22C11和用于過流保護(hù)的隔離...

2024-02-20 標(biāo)簽：比較器 GaN 電流保護(hù) 1.9k 0

SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020年破10億美元

市場研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采用；與此...

2016-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 1.9k 0

將GaN用于射頻應(yīng)用的所有優(yōu)勢

與傳統(tǒng)技術(shù)相比，氮化鎵已被證明是射頻領(lǐng)域多種應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)材料，其中可靠性、效率和減少吸收是基本要求。在制造過程中，氮化鎵通常在高于 1000 °C 的溫度...

2022-07-26 標(biāo)簽：射頻 RF SiC 1.9k 0

5G 和 GaN：未來的創(chuàng)新

很容易忘記 GaN 仍然是一項相對年輕的技術(shù)。我們?nèi)蕴幱陂_發(fā)的前幾代，具有很大的改進(jìn)和改進(jìn)潛力。本文著眼于即將出現(xiàn)的一些 GaN 創(chuàng)新，并預(yù)測它們在未來...

2022-07-20 標(biāo)簽：GaN 5G 1.9k 0

TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計

貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將...

2020-04-13 標(biāo)簽：電池充電器 ti 電源轉(zhuǎn)換 1.9k 0

基于GaN的功率技術(shù)引發(fā)電子轉(zhuǎn)換革命

基于GaN的功率技術(shù)引發(fā)電子轉(zhuǎn)換革命功率MOSFET出現(xiàn)之前，雙極性晶體管在功率電子領(lǐng)域一直占據(jù)主導(dǎo)地位，而且線性供電支配著整個電源世界。但是，30...

2010-04-13 標(biāo)簽：功率 GaN 1.9k 0

了解GaN器件熱分析

您的工作是否涉及有源/無源微電子電路和設(shè)計?如果涉及，您可能非常了解高溫會對這些器件產(chǎn)生哪些不利影響。高工作溫度會導(dǎo)致性能下降，服務(wù)壽命縮短。因此，工程...

2022-12-26 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 熱分析 1.9k 0

實(shí)現(xiàn)集成低側(cè)GaN FET的DC-DC變換器設(shè)計的小尺寸與高功率密度——HD1001應(yīng)用指南2

在HD1001應(yīng)用指南1中，我們介紹了超高速GaNFET驅(qū)動器作為激光二極管開關(guān)器件驅(qū)動的應(yīng)用，除應(yīng)用于激光雷達(dá)發(fā)射端外，超高速GaNFET驅(qū)動器同樣可...

2023-04-09 標(biāo)簽：變換器 GaN 1.9k 0

硅襯底GaN LED技術(shù)的應(yīng)用機(jī)遇與挑戰(zhàn)

Micro LED作為“終極顯示技術(shù)”其在未來擁有千億級的市場，報告指出了Micro LED的優(yōu)勢及面臨的挑戰(zhàn)。面向AR應(yīng)用，Micro LED在亮度、...

2023-04-08 標(biāo)簽：led GaN Micro LED 1.9k 0

英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革

2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN...

2024-09-12 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵 GaN 1.9k 0

瑞薩收購Transphorm，利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Tran...

2024-01-11 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵 GaN 1.9k 0

WiBotic 為無人機(jī)和機(jī)器人提供新型基于 GaN 的充電器和發(fā)射器

大功率自主充電系統(tǒng)市場正在以驚人的速度增長。WiBotic 公布了其在臺式電池充電器和無線充電發(fā)射器方面的最新創(chuàng)新成果，用于無人機(jī)和采用 GaN 技術(shù)的...

2022-08-03 標(biāo)簽：充電器機(jī)器人 GaN 1.9k 0

探討 GaN FET 在人形機(jī)器人中的應(yīng)用優(yōu)勢

德州儀器的 Eason Tian 和 Kyle Wolf 撰寫，主要探討了 GaN FET（氮化鎵場效應(yīng)晶體管）在人形機(jī)器人中的應(yīng)用優(yōu)勢，旨在說明其如何...

2025-02-14 標(biāo)簽：GaN 人形機(jī)器人 1.9k 0

SiC和GaN功率電子器件的優(yōu)勢和應(yīng)用

　　隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對...

2023-02-05 標(biāo)簽：RF SiC GaN 1.9k 0

基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究國家重點(diǎn)研發(fā)計劃項目啟動

據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1.9k 0

如何通過GaN更好地發(fā)展智能快充

近年來智能快充市場爆火，GaN給智能快充領(lǐng)域帶來不少新機(jī)會，同時也進(jìn)入多個新應(yīng)用場景。如何通過GaN更好地發(fā)展智能快充成為行業(yè)內(nèi)廣大廠商面臨的重大挑戰(zhàn)。

2022-07-14 標(biāo)簽：適配器 GaN 智能快充 1.9k 0

阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢

近年來，隨著材料生長、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，并正在打開應(yīng)用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。

2021-01-06 標(biāo)簽：阿里巴巴 GaN 量子計算 1.9k 0

InGaAs被發(fā)現(xiàn)可用于制造更小更節(jié)能的非硅基晶體管

麻省理工新聞報道稱：科學(xué)家們已經(jīng)找到了用于制造更小、更節(jié)能的非硅基晶體管的新方法，它就是此前被用于高速通信系統(tǒng)的砷化銦鎵（InGaAs）材料。此前該材料...

2020-12-10 標(biāo)簽：晶體管 GaN 硅基 1.9k 0

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藍(lán)牙5

藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
Keysight

Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗(yàn)。
智慧家庭

智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
AD9361

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nRF52832

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無線收發(fā)模塊

無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
KeyStone

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lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
5G毫米波

5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
802.11ax

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JN5168

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無線設(shè)備

無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
HBT

HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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