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GaN和SiC增利效應(yīng)拉高,市場(chǎng)競(jìng)逐日趨白熱化

Wolfspeed,英飛凌,三菱,安森美半導(dǎo)體,意法半導(dǎo)體,ROHM和Toshiba等供應(yīng)商正在推出下一波基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半...

2019-11-11 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.2萬 0

50kW/L功率密度,3.3美元/kW成本的電機(jī)實(shí)現(xiàn)難點(diǎn)是什么?

U.S. DRIVE給電機(jī)和電控的發(fā)展定了一個(gè)目標(biāo),那就是到2025年時(shí),電機(jī)控制器的效率不能低于98%;功率密度要達(dá)到100kW/L;成本要降到2.7...

2019-10-29 標(biāo)簽:新能源汽車電機(jī)SiC 2.1萬 0

OPPO 65W SuperVOOC和 30W 無線VOOC閃充 技術(shù)亮點(diǎn)全揭曉!

2019年9月17日,OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無線VOOC閃充。據(jù)O...

2019-09-18 標(biāo)簽:適配器OPPO氮化鎵 1.2萬 1

把扎克伯格的臉放到emoji表情包上是一番怎樣的體驗(yàn)?

但今天要說的這個(gè)表情包就不一樣了,有外國(guó)網(wǎng)友把真人頭像和流行的emoji表情結(jié)合在了一起。至于結(jié)合在一起之后能不能看出來是誰,甚至能不能看出來是人。那可...

2019-09-07 標(biāo)簽:算法圖像GaN 4.5k 0

半導(dǎo)體原料明日之星砷化鎵、氮化鎵產(chǎn)業(yè)分析

半導(dǎo)體原料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導(dǎo)體原料。

2019-08-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN 1.9萬 0

氮化鎵元件對(duì)于5G基地臺(tái)需求加持,穩(wěn)懋?dāng)[脫貿(mào)易戰(zhàn)陰霾

砷化鎵(GaAs)及氮化鎵(GaN)晶圓代工龍頭穩(wěn)懋公告2019年第二季營(yíng)收情形,營(yíng)收金額來到1.41億美元。

2019-08-15 標(biāo)簽:GaN5G 3.2k 0

神奇的GAN,基于生成的探索

科學(xué)家認(rèn)為機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能所運(yùn)用的前沿技術(shù),是一種研究科學(xué)的全新方法。

2019-08-15 標(biāo)簽:GaN機(jī)器學(xué)習(xí) 3.4k 0

一本書來幫助你入門深度學(xué)習(xí)生成模型

這一事實(shí)并沒有真正公正地反映AGC的輝煌。由于摩爾定律,你可以選擇任何計(jì)算機(jī)器,也可以說50年后,將會(huì)有一臺(tái)機(jī)器能夠比它的運(yùn)行速度快22?倍。

2019-08-02 標(biāo)簽:GaN深度學(xué)習(xí) 4.1k 0

關(guān)于GaN微波器件大信號(hào)模型及其應(yīng)用和發(fā)展分析

關(guān)于GaN微波器件大信號(hào)模型及其應(yīng)用和發(fā)展分析

然而上述兩種模型為了達(dá)到大信號(hào)特性高精度,仍舊需要引入較多的擬合參數(shù),加大了模型參數(shù)提取的難度和模型在大功率放大器設(shè)計(jì)中的收斂性。對(duì)此,提出了一種準(zhǔn)物理...

2019-09-08 標(biāo)簽:大功率微波GaN 8k 0

關(guān)于PA主流技術(shù)--GaN的性能分析和應(yīng)用

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作為射頻領(lǐng)域的專家,Qorvo 預(yù)測(cè), 8GHz 以下砷化鎵仍是主流, 8GHz 以上氮化鎵替代趨勢(shì)明顯。砷化 鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體,可承受更高工作電...

2019-09-05 標(biāo)簽:放大器半導(dǎo)體GaN 7.9k 0

Si襯底GaN基功率開關(guān)器件的發(fā)展?fàn)顩r

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在電力電子控制系統(tǒng)中,為了保證系統(tǒng)失效安全,器件必須具備常關(guān)型的工作特性。

2019-08-01 標(biāo)簽:GaN功率開關(guān)器件 4.9k 0

干貨 | GaN在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

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隨著工藝的進(jìn)步和缺陷率的不斷降低,GaN在交直流電力轉(zhuǎn)換、改變電壓電平、并且以一定數(shù)量的函數(shù)確??煽侩娏?yīng)的電子電源中的優(yōu)勢(shì)越來越明顯。

2019-08-01 標(biāo)簽:開關(guān)電源GaN 1.1萬 0

DeepMind把GAN又玩出了新花樣!推出的是雙視頻判別器GAN

研究人員表示,由于“高效計(jì)算”組件和技術(shù)的使用,再加上新的定制數(shù)據(jù)集,他們訓(xùn)練出的最佳性能模型:雙視頻鑒別器GAN(DVD-GAN)可以生成“高保真度”...

2019-07-27 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)集DeepMind 4.5k 0

讓照片“變臉”古典畫像,俄羅斯 AI 換臉“神器” 爆紅!

它會(huì)給人一種站在鏡子前,好像有成千上萬個(gè)倫勃朗、卡拉瓦喬和提香在畫你的錯(cuò)覺。

2019-07-24 標(biāo)簽:AIGaN 6.9k 0

GaN在射頻領(lǐng)域有哪些優(yōu)勢(shì)?

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氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。

2019-07-23 標(biāo)簽:射頻GaN 8k 0

利用語音直接畫出人臉,AI再添新能力

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聽聲辨人,利用聲紋進(jìn)行解鎖,這種技術(shù)已廣泛應(yīng)用,人類的聲音含有該個(gè)體的一定特征,從而可以進(jìn)行區(qū)分。

2019-07-17 標(biāo)簽:AIGaN 6.5k 0

技術(shù) | 東北大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)出低電流下也可高效發(fā)光的GaN Micro LED!

技術(shù) | 東北大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)出低電流下也可高效發(fā)光的GaN Micro LED!

也適應(yīng)于分辨率為2000ppi以上的顯示屏

2019-07-15 標(biāo)簽:低電流GaNMicro LED 4.8k 0

BigBiGAN問世,“GAN父”都說酷的無監(jiān)督表示學(xué)習(xí)模型有多優(yōu)秀?

BigBiGAN是一種純粹基于生成模型的無監(jiān)督學(xué)習(xí)方法,它在ImageNet上實(shí)現(xiàn)了圖像表示學(xué)習(xí)的最好的結(jié)果。

2019-07-11 標(biāo)簽:GaN無監(jiān)督學(xué)習(xí) 3.6k 0

能生成Deepfake也能診斷癌癥,GAN與惡的距離

那么,技術(shù)本身就存在原罪么?又是哪里出了錯(cuò)呢?

2019-07-09 標(biāo)簽:GaNDeepFake 4k 0

學(xué)不好人工智能,你連個(gè)披薩都做不出來?!

高科技做食物,或許可以激勵(lì)吃貨們的學(xué)習(xí)熱情?

2019-07-09 標(biāo)簽:人工智能GaN 2.6k 0

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    是德科技公司(Keysight,NYSE:KEYS)是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司,通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新,為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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    HBT
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     hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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