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如果有模型能將真實(shí)畫面轉(zhuǎn)化為日漫風(fēng)格的手繪畫面,那一定非常炫酷。最近機(jī)器之心發(fā)現(xiàn)確實(shí)有這些模型,從 CartoonGAN 到 AnimeGAN 都能生成...
2020-05-12 標(biāo)簽:GaN生成器計(jì)算機(jī)圖形學(xué) 6.3萬 0
南通至晟微電子有限公司今天宣布完成新一輪近億元A輪融資,本輪融資由耀途資本與容億投資聯(lián)合領(lǐng)投,拓金資本、盛宇資本及產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)跟投,同時(shí)公司將于近期完成由頂...
65V GaN工藝正在打造新一代雷達(dá)系統(tǒng)
雷達(dá)設(shè)備在各國國防部門的安全防衛(wèi)工作中占據(jù)重要地位。這些雷達(dá)系統(tǒng)最初針對國防及軍事目的而開發(fā),現(xiàn)也廣泛用于商業(yè)領(lǐng)域,例如空中交通、海上運(yùn)輸、氣象監(jiān)測和飛...
2020-04-29 標(biāo)簽:RF技術(shù)GaN雷達(dá)系統(tǒng) 4.4k 0
前不久,Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd(HZZH)就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成...
Transphorm的GaN技術(shù)擁有逾50億小時(shí)的實(shí)際使用時(shí)間
事實(shí)上,現(xiàn)已屬于Informa Tech旗下的行業(yè)分析公司IHS Markit Technology預(yù)測,GaN電源分立器件、模塊和系統(tǒng)IC的總收入到2...
2020-04-27 標(biāo)簽:GaNTransphorm 3.2k 0
科技半導(dǎo)體公司提出的GaN基復(fù)合襯底技術(shù),結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù),在大大提高LED出光效率的同時(shí),還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本,改進(jìn)現(xiàn)有L...
隨著GaN技術(shù)的成熟,GaN市場發(fā)展將迎來黃金期
在4月8日晚間的華為春季新品發(fā)布會上,期待已久的華為P40系列國行版終于發(fā)布,與此同時(shí),華為還帶來了一款充電器新品,功率65W。這款充電器屬于 GaN(...
TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢,包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴,以及可將...
2020-04-13 標(biāo)簽:電池充電器ti電源轉(zhuǎn)換 1.9k 0
耐威科技1億元設(shè)立全資子公司 將投資建設(shè)自主GaN微波及功率器件生產(chǎn)線
4月11日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡稱“耐威科技”)公布公告稱,為了進(jìn)一步完善GaN業(yè)務(wù)的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇,逐步形成自主可控的生產(chǎn)...
第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、...
4月8日晚,華為2020春季新品發(fā)布會正式發(fā)布65W GaN雙口超級快充充電器,支持Type-A和Type-C雙口充電,能給手機(jī)、平臺和PC充電。
Transphorm和微芯達(dá)成合作 GaN和數(shù)字信號處理技術(shù)相結(jié)合以推動GaN普及
采用dsPIC? DSC快速跟蹤電源系統(tǒng)開發(fā)的4 kW PFC GaN評估板,并提供全球技術(shù)支持。
2020-04-08 標(biāo)簽:數(shù)字信號處理GaN直流電源 1.3k 0
該項(xiàng)專利通過Mg摻雜濃度高-低-高階梯分布結(jié)構(gòu)組成電容式結(jié)構(gòu),對高壓靜電的沖擊起到了分散、緩沖的作用,減少了高壓靜電的破壞力,從而提高GaN基LED器件...
用于HZZH 98%高效功率模塊的Transphorm GaN
我們在尋找一種功率晶體管,幫助我們?yōu)榭蛻糸_發(fā)一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化硅器件,但在低電壓條件下無法達(dá)到預(yù)期優(yōu)勢。
該GaN功率器件可以應(yīng)用在快速充電設(shè)備中, 令其避免出現(xiàn)受高溫熔斷的情況,進(jìn)而確保此功率器件在進(jìn)行快速充電時(shí)能夠很好的運(yùn)行使用。
倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點(diǎn)啟示
19年12月份,購買了一款 明星產(chǎn)品:倍思的雙C+A口 65W 氮化鎵GaN充電器產(chǎn)品。 京東上售價(jià) 268 元; 購買的目的就是想看看 氮化鎵GaN ...
在所有電力電子應(yīng)用中 功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵...
2020-03-14 標(biāo)簽:GaN 5.1k 0
化合物半導(dǎo)體GaN在8寸晶圓的發(fā)展備受矚目
在新型冠狀病毒疫情的影響下,已有部份晶圓代工廠調(diào)降對2020年市場成長性的預(yù)估,不過為把握5G、AI、車用與物聯(lián)網(wǎng)帶來的新興需求,晶圓代工廠仍持續(xù)進(jìn)行必...
能訊半導(dǎo)體基站發(fā)射系統(tǒng)發(fā)明專利揭秘
該項(xiàng)專利中的基站發(fā)射系統(tǒng)可以形成多個(gè)射頻發(fā)射通道,覆蓋更寬的發(fā)射頻帶,更好的適應(yīng)5G基站建設(shè)場景。此外,由于輸入了動態(tài)電壓,能夠充分發(fā)揮GaN射頻功率放...
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