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三星電子將從明年1月開始向英偉達供應(yīng)HBM3內(nèi)存
據(jù)預測,進入今年以來一直萎靡不振的三星電子半導體業(yè)績明年將迅速恢復。部分人預測,三星電子明年下半年的hbm市場占有率將超過sk海力士。
美光科技Q2業(yè)績超預期 第二季度營收達到58.2億美元
隨著全球范圍內(nèi)對人工智能技術(shù)的日益重視和應(yīng)用,美光科技的存儲芯片需求呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長的趨勢。
三星加大投資提升HBM產(chǎn)能,與SK海力士競爭加劇
近日,據(jù)報道,三星電子正計劃大規(guī)模擴大其HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
美光與客戶簽下2025年HBM訂單,HBM內(nèi)存預計擴增50%
為了滿足HBM領(lǐng)域的旺盛需求,美光決定將本財年的資本支出預算由原計劃的75~80億美元調(diào)整為80億美元(約合人民幣579.2億元)。
據(jù)韓媒報道,韓國三星電子公司正在加緊努力,更深入地滲透到HBM3市場,由于其在整個內(nèi)存芯片市場中所占的份額很小,因此相對于其他高性能芯片來說,該公司一直...
大量數(shù)據(jù)生成式人工智能應(yīng)用對傳統(tǒng)存儲芯片的性能產(chǎn)生了巨大挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這個問題,我們需要更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的處理效率,從而導致更密集的芯片布局以及...
SK海力士斥資10億美元,加碼先進芯片封裝研發(fā)以滿足AI需求
據(jù)封裝研發(fā)負責人李康旭副社長(Lee Kang-Wook)介紹,SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞...
AI芯片需求猛增,CoWoS封裝供不應(yīng)求,HBM技術(shù)難度升級
行業(yè)觀察者預測,英偉達即將推出的B系列產(chǎn)品,如GB200, B100, B200等,將對CoWoS封裝產(chǎn)能產(chǎn)生巨大壓力。據(jù)IT之家早前報道,臺積電已計劃...
據(jù)多位知情人士透露,面對美國可能加強對華芯片出口的限制,中國科技巨頭如百度、多家大型企業(yè)及初創(chuàng)企業(yè)正積極囤積三星電子生產(chǎn)的高帶寬存儲器(HBM)芯片,以...
近日,全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——美光宣布,其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進封裝工廠項目已于當?shù)貢r間今日正式破土動工。這座工廠預計將于2026年正式投...
IDC:半導體行業(yè)借助人工智能復蘇,銷售額預計增長20%?
IDC提出,2024年全球范圍內(nèi),銷售額增長預期將使得半導體市場的年度增長率達至20%。相較于2023年下半年下跌20%的行業(yè)銷售額,IDC對此年的整體...
三星將投資1萬億韓元擴大HBM產(chǎn)能,以滿足英偉達和AMD需求
三星計劃在天安工廠安裝該設(shè)備,增加hbm的出貨量。天安工廠是三星半導體后端工程生產(chǎn)基地??紤]到hbm是垂直連接多個dram而成的形態(tài),三星為增加出貨量,...
三星下調(diào)HBM產(chǎn)能目標,強化研發(fā)與生產(chǎn)協(xié)作
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存(HBM)最大產(chǎn)能目標進行了調(diào)整。原定的每月20萬顆產(chǎn)能目標已被下調(diào)至每月17萬顆,降幅超過10%。
集邦咨詢:明年HBM TSV產(chǎn)能預計250K/m,占DRAM總產(chǎn)能14%
集邦咨詢的報告進一步強調(diào),HBM和DDR5之間的區(qū)別主要在于Die Size上。在同等制程及容量(如24GB)下,HBM Die尺寸大于DDR5的基礎(chǔ)版...
Park Jung-ho在活動中鼓勵合作伙伴公司的代表說:“由于設(shè)施投資減少,整體上有可能會變得更加困難,但是要克服難關(guān)?!彼€強調(diào)說,SK海力士將于2...
SK海力士展示業(yè)界最高標準適于AI應(yīng)用的存儲器產(chǎn)品
3月18日至21日,SK海力士在圣何塞舉辦的2024年度英偉達GPU技術(shù)大會(NVIDIA GTC 2024,NVIDIA GPU Technology...
2024-03-21 標簽:存儲器數(shù)據(jù)傳輸NVIDIA 1.4k 0
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEO...
近日,三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露,芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標,影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
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