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使用環(huán)球儀器FuzionSC半導(dǎo)體貼片機(jī)高速組裝HBM內(nèi)存

隨著當(dāng)前AI應(yīng)用,云機(jī)算成為各大科技巨頭必爭之地,帶火了硬件行業(yè),HBM因而水漲船高。

2024-09-14 標(biāo)簽:內(nèi)存貼片機(jī)HBM 1.5k 0

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星...

2024-03-08 標(biāo)簽:三星電子存儲器HBM 1.5k 0

三星否認(rèn)MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)

實現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊,市場主要采用兩種鍵合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后...

2024-03-14 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 1.5k 0

全球三大存儲器廠商競逐新市場,華邦臺灣廠搶先提價

行業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,華邦對DDR3報價的大幅調(diào)整有利于其基本面的表現(xiàn),有實力的供應(yīng)商如鈺創(chuàng)和晶豪科或許也能順應(yīng)此輪漲勢實現(xiàn)盈利增長。他們認(rèn)為,人工智能已成為...

2024-03-11 標(biāo)簽:供應(yīng)商人工智能HBM 1.5k 0

SK海力士與Amkor攜手推進(jìn)硅中介層合作,強(qiáng)化HBM市場競爭力

在半導(dǎo)體行業(yè)日益激烈的競爭中,SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術(shù)創(chuàng)新的決心。近日,有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務(wù)(OSAT)大廠Amk...

2024-07-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SK海力士HBM 1.5k 0

HBM需求強(qiáng)勁,美光科技預(yù)測第一財季營收將超87億美元

美光科技在盤后交易中股價飆升約14%,這一顯著漲幅源自其發(fā)布的樂觀第一財季營收預(yù)測,背后驅(qū)動力在于人工智能(AI)計算領(lǐng)域?qū)?nèi)存芯片,尤其是高帶寬內(nèi)存(...

2024-09-26 標(biāo)簽:內(nèi)存AIHBM 1.5k 0

人工智能熱潮驅(qū)動HBM需求飆升,行業(yè)巨頭競相擴(kuò)產(chǎn)

7月12日,隨著人工智能技術(shù)的日新月異,作為其核心技術(shù)支撐的高頻寬存儲器(HBM)正成為市場關(guān)注的焦點,供不應(yīng)求的態(tài)勢愈發(fā)明顯。面對這一挑戰(zhàn),存儲器行業(yè)...

2024-07-12 標(biāo)簽:人工智能SK海力士HBM 1.5k 0

SK海力士強(qiáng)化HBM業(yè)務(wù)實力的戰(zhàn)略規(guī)劃

隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現(xiàn)了顯著的增長,為SK海力士在去年實創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要...

2025-04-18 標(biāo)簽:存儲器SK海力士HBM 1.5k 0

韓國半導(dǎo)體設(shè)備商積極開發(fā)新一代HBM加工工具

 目前,hbm在整個dram市場中所占比重不到1%,但隨著人工智能和ai半導(dǎo)體市場的迅速增長,對hbm的需求正在增加。市場調(diào)查機(jī)構(gòu)預(yù)測說,到2023年全...

2023-09-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM人工智能 1.5k 0

2025年英偉達(dá)HBM市場采購比重將超70%

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的HBM市場報告,隨著AI芯片技術(shù)的不斷迭代升級,單一芯片所能搭載的HBM(高帶寬內(nèi)存)容量正顯著增長。作為當(dāng)前H...

2024-08-09 標(biāo)簽:英偉達(dá)HBMAI芯片 1.5k 0

三星電子考慮采用1c nm DRAM裸片生產(chǎn)HBM4內(nèi)存

早前在Memcon 2024行業(yè)會議上,三星電子代表曾表示,該公司計劃在年底前實現(xiàn)對1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn);而關(guān)于HBM4,他們預(yù)見在明年會完成研發(fā),...

2024-05-17 標(biāo)簽:三星電子納米制程HBM 1.5k 0

三星電子組建HBM4獨立團(tuán)隊,力爭奪回HBM市場領(lǐng)導(dǎo)地位

具體而言,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計團(tuán)隊將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā),而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。

2024-05-10 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 1.5k 0

SK海力士HBM營收暴漲250%

韓國存儲芯片巨頭SK海力士近日發(fā)布了其截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務(wù)報告,這份報告展現(xiàn)出了公司在復(fù)雜市場環(huán)境下的強(qiáng)勁韌性與增長潛力。...

2024-08-05 標(biāo)簽:存儲芯片SK海力士HBM 1.5k 0

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在...

2024-11-13 標(biāo)簽:芯片SK海力士HBM 1.5k 0

泰瑞達(dá)上季度營收同比增長,人工智能需求成關(guān)鍵驅(qū)動力

Teradyne的首席執(zhí)行官Greg Smith表示:“得益于高帶寬內(nèi)存(HBM)以及人工智能應(yīng)用對計算需求的增長,半導(dǎo)體測試業(yè)務(wù)中的內(nèi)存收入表現(xiàn)繼續(xù)超...

2024-10-25 標(biāo)簽:人工智能泰瑞達(dá)HBM 1.5k 0

今日看點丨Meta將率先使用英偉達(dá)最新人工智能芯片;三星計劃推出AI芯片 采用LPDDR而非HBM

1. Meta 將率先使用英偉達(dá)最新人工智能芯片 ? Facebook的所有者M(jìn)eta社交平臺的一位發(fā)言人外媒透露,預(yù)計英偉達(dá)的最新旗艦人工智能芯片將在...

2024-03-21 標(biāo)簽:Meta英偉達(dá)HBM 1.5k 0

AI PC推動存儲規(guī)格升級 預(yù)期明年上半年DDR5將會超越DDR4

隨著三大國際DRAM廠商三星、SK海力士、美光科技擴(kuò)大減產(chǎn)幅度,業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,供給減少疊加AI帶動的需求擴(kuò)大,存儲器市場有望揚升。

2023-11-25 標(biāo)簽:DRAM存儲器DDR4 1.5k 0

三星HBM技術(shù)逆襲:NVIDIA認(rèn)證助力業(yè)績飆升

在8月1日公布的最新財報中,三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示,三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長超過50%,營業(yè)利潤...

2024-08-01 標(biāo)簽:三星電子NVIDIAHBM 1.5k 0

三星HBM研發(fā)受挫,英偉達(dá)測試未達(dá)預(yù)期,如何滿足AI應(yīng)用GPU的市場需求?

據(jù)DigiTimes報道,三星HBM3E未能通過英偉達(dá)測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。三星與臺積電在晶圓代工領(lǐng)域長期競爭,但在英偉達(dá)主導(dǎo)的HBM市場...

2024-05-27 標(biāo)簽:臺積電晶圓代工HBM 1.5k 0

如何通過卓越的設(shè)計工藝來提高產(chǎn)品性能或創(chuàng)造速度優(yōu)勢

HBM的高帶寬離不開各種基礎(chǔ)技術(shù)和先進(jìn)設(shè)計工藝的支持。由于HBM是在3D結(jié)構(gòu)中將一個邏輯die與4-16個DRAM die堆疊在一起,因此開發(fā)過程極為復(fù)...

2022-11-24 標(biāo)簽:存儲器SK海力士HBM 1.5k 0

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    靜電防護(hù)
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