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2025年4月，國際半導體行業(yè)標準組織JEDEC正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存標準HBM4。HBM4在帶寬、通道數(shù)、電源效率等方面進行了顯著改進，將為生成式AI、高性能計算(HPC)、高端顯卡和服務器等領域帶來革命性的變化。

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SK海力士、三星電子：HBM內(nèi)存供應充足，明年HBM4將量產(chǎn)

這類內(nèi)存的售價遠高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問題，對晶圓的消費量更是達到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此，內(nèi)存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量...

2024-05-14 標簽：DRAM 晶圓 SK海力士 1.2k 0

SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道，三星電子與SK海力士預計今年內(nèi)實現(xiàn)1c...

2024-05-14 標簽：DRAM SK海力士 HBM 1.8k 0

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā)，預計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發(fā)進程，預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 H...

2024-05-14 標簽：DRAM SK海力士 HBM 1.2k 0

三星電子組建HBM4團隊，旨在縮短開發(fā)周期，提升競爭力

據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設計團隊將主要負責HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊則專攻下一代技術——HBM4。

2024-05-11 標簽：DRAM 三星電子 HBM 2.2k 0

三星電子組建HBM4獨立團隊，力爭奪回HBM市場領導地位

具體而言，現(xiàn)有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內(nèi)存的進一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。

2024-05-10 標簽：DRAM SK海力士 HBM 1.5k 0

英偉達R系列AI芯片預計2025年量產(chǎn)，內(nèi)含8顆HBM4存儲芯片，關注耗能問題

據(jù)悉，R100將運用臺積電的N3制程技術及CoWoS-L封裝技術，與之前推出的B100保持一致。同時，R100有望搭載8顆HBM4存儲芯片，以滿足高性能...

2024-05-08 標簽：臺積電封裝技術存儲芯片 2.1k 0

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年

SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基...

2024-05-06 標簽：DRAM SK海力士 HBM 1.7k 0

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。

2024-04-23 標簽：DRAM SK海力士 HBM 1.6k 0

SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄目標2026年投產(chǎn)HBM4

4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進 HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術，目標在 2026 年投產(chǎn) HBM4。根據(jù)...

2024-04-20 標簽：臺積電 SK海力士 CoWoS 696 0

SK海力士與臺積電達成研發(fā)合作，推動HBM4和下一代封裝技術發(fā)展?

據(jù)協(xié)議內(nèi)容，雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎裸片（Base Die）性能。HBM 由多個 DRAM 裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片之上，...

2024-04-19 標簽：DRAM 封裝 gpu 1.4k 0

三星計劃應用TC-NCF工藝生產(chǎn)16層HBM4內(nèi)存

TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝，相比無凸塊的混合鍵合技術更為成熟，然而由于凸塊的存在，采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會相應增加。

2024-04-19 標簽：DRAM 三星半導體 HBM 1.6k 0

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4，預計2026年投產(chǎn)

自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將...

2024-04-19 標簽：臺積電 SK海力士 HBM 1.8k 0

SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4，引領下一代DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示，憑借其在AI應用領域存儲器發(fā)展的領先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎，該公司有信心持續(xù)引領HBM技術創(chuàng)新。通過整合...

2024-04-19 標簽：存儲器晶圓代工 SK海力士 1.4k 0

三星電子HBM存儲技術進展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。...

2024-03-27 標簽：英偉達三星 HBM3 2.7k 0

HBM4為何備受存儲行業(yè)關注？

當前，生成式人工智能已經(jīng)成為推動DRAM市場增長的關鍵因素，與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長。未來，隨著AI技術不斷演進，HBM將成為數(shù)據(jù)中...

2023-12-02 標簽：DRAM gpu 內(nèi)存 1.2k 0

英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結(jié)果。但是，驗證工作可能會在2...

2023-11-29 標簽：芯片英偉達 HBM 1.9k 0

預計英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

2023-11-27 標簽：芯片英偉達 HBM 2k 0

三星正在開發(fā)HBM4 目標2025年供貨

Sangjun Hwang還表示：“正在準備開發(fā)出最適合高溫熱特性的非導電粘合膜（ncf）組裝技術和混合粘合劑（hcb）技術，并適用于hbm4產(chǎn)品?！?/p>

2023-10-11 標簽：存儲器封裝 HBM 1.6k 0

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