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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

igbt啟動最低電壓多少伏正常

IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)是一種高性能功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于...

2024-03-12 標(biāo)簽:電壓IGBT集電極 5.8k 0

IGBT和MOSFET該用誰?你選對了嗎?

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2023-12-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 5.8k 0

T型三電平雙脈沖測試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

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雙脈沖測試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號,以模擬實際工作中的開關(guān)動作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿足測試需求。

2024-03-11 標(biāo)簽:測試系統(tǒng)IGBT功率器件 5.8k 0

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 如何確定IGBT的額定電壓?

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集電極-發(fā)射極額定電壓(UCES) :IGBT在截止?fàn)顟B(tài)下,集電極與發(fā)射極之間能夠承受的最大電壓。

2024-05-01 標(biāo)簽:電動機IGBT電源轉(zhuǎn)換 5.8k 0

igbt功率管柵極和集電極并聯(lián)電容的作用

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGB...

2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT柵極集電極 5.8k 0

淺談SiC MOSFET芯片的短路能力

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SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時間(SCWT:shor...

2023-12-13 標(biāo)簽:芯片MOSFETIGBT 5.7k 0

Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計使用注意事項

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在IGBT驅(qū)動電路中有時會用到鉗位電路,其主要目的是為了保護IGBT器件,避免運行參數(shù)超過集電極或者門極的極限參數(shù),今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位...

2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動電路IGBT器件 5.7k 0

什么是窄脈沖現(xiàn)象?

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IGBT作為一種功率開關(guān),從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。

2023-02-07 標(biāo)簽:電壓功率開關(guān)IGBT 5.7k 0

Littelfuse專為電機控制和逆變器設(shè)計的IGBT模塊,有何特點

Littelfuse公司是全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),已擴充其專為電機控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝...

2018-09-05 標(biāo)簽:模塊電機控制逆變器 5.7k 0

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1:短路保護時間

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IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說,在一定的短路耐受時間(short circuit withstand time SCWT)

2023-05-30 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶閘管 5.7k 0

IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些?

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2023-02-23 標(biāo)簽:變壓器IGBT功率半導(dǎo)體 5.7k 0

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2024-04-09 標(biāo)簽:傳感器MOSFETIGBT 5.7k 0

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igbt功率管型號參數(shù)意義

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...

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2023-02-22 標(biāo)簽:模塊半導(dǎo)體IGBT 5.7k 0

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電磁干擾嚴(yán)重。隨著頻率提高,電路中的di/dt和du/dt增大,從而使電磁干擾增大,影響變換器和周圍電子設(shè)備的工作。

2024-04-12 標(biāo)簽:二極管IGBT電磁干擾 5.6k 0

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如測量旋變阻值正常,但不能判斷是否線束以及插件虛接問題,可以將兩端低壓插件安裝好之后,抓住線束用力搖晃,如果儀表轉(zhuǎn)速出現(xiàn)異常波動,則仍需仔細(xì)排查線束和低壓插件。

2023-07-31 標(biāo)簽:電機控制電機IGBT 5.6k 0

GaN和SiC器件或?qū)⒊蔀楣β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案

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基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。

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電動汽車電機控制器硬件功能安全

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純電動或混動動力汽車上的電機控制器MCU(Motor Control Unit),其主要功能就是將電池的高壓直流電,轉(zhuǎn)換為交流電,來驅(qū)動電機運行。

2023-07-12 標(biāo)簽:電池電壓IGBT電機控制器 5.6k 1

合泰半橋電磁爐應(yīng)用方案

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2023-10-20 標(biāo)簽:mcuadcIGBT 5.6k 0

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