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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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逆變器中MOS管和IGBT的選型對(duì)EMC有什么影響
逆變器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)或IGBT(Insula...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 2.8k 0
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)...
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.8k 0
傳統(tǒng)的 IGBT 在歷史上一直受到開關(guān)損耗的影響。為了高效運(yùn)行,IGBT 需要像硅 FRD 一樣的續(xù)流二極管 (FRD),如圖 1 所示。隨著 Rohm...
有的現(xiàn)場(chǎng)使用變頻器控制電機(jī)會(huì)出現(xiàn)漏電問題,漏電電壓有幾十伏到200伏不等,在這里針對(duì)此故障的原因進(jìn)行理論的分析。我們都知道電動(dòng)機(jī)的三相定子繞組流過電流產(chǎn)...
如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和IGBT芯片的溫升
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二...
通過IGBT簡化裸片溫度計(jì)算方法優(yōu)化應(yīng)用系統(tǒng)性能
大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)溫的計(jì)算過程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測(cè)裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計(jì)算外...
高效節(jié)能電機(jī)與變頻節(jié)能電機(jī)工作原理
高效節(jié)能電機(jī)工作原理: 采用新型電機(jī)設(shè)計(jì)、新工藝及新材料,通過降低電磁能、熱能和機(jī)械能的損耗,提高輸出效率。
2023-01-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT節(jié)能電機(jī) 2.8k 0
如今全球的汽車已經(jīng)進(jìn)入到智能化時(shí)代,汽車對(duì)于芯片的需求劇烈增加,以往一個(gè)傳統(tǒng)汽車需要的芯片數(shù)量是在五六百顆,到如今一臺(tái)具備L2駕駛級(jí)別的高配燃油車就需要...
下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)
今天講解的是下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 之前梵易R(shí)yan對(duì)模塊分層的現(xiàn)象進(jìn)行了三期的分享,有興趣的朋...
新能源汽車焊接材料五大失效風(fēng)險(xiǎn)與應(yīng)對(duì)指南——從焊點(diǎn)看整車可靠性
本文從廠家視角解析新能源汽車焊接封裝材料四大失效模式:機(jī)械失效(熱循環(huán)與振動(dòng)導(dǎo)致焊點(diǎn)疲勞)、熱失效(高溫下焊點(diǎn)軟化與散熱不足)、電氣失效(電遷移與接觸電...
如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù),工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件,的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽能逆變器應(yīng)用來說,絕緣柵雙極晶體管 (I...
國內(nèi)龐大的市場(chǎng)基礎(chǔ)、 潛在的電力電子裝備關(guān)鍵器件完全依靠進(jìn)口的風(fēng)險(xiǎn)和國家產(chǎn)業(yè)升級(jí)共同推動(dòng)了本土IGBT芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新。
開通、導(dǎo)通和關(guān)斷損耗構(gòu)成了 IGBT 芯片損耗的總和。關(guān)斷狀態(tài)損耗可以忽略不計(jì),不需要計(jì)算。為了計(jì)算 IGBT 的總功率損耗,須將這三個(gè)能量之和乘以開關(guān)頻率。
600V/15A三相全橋驅(qū)動(dòng)智能功率模塊-DPM15C60DG1概述
DPM15C60 是一款三相 IGBT 逆變器模塊,內(nèi)置 IGBT 及其柵驅(qū)動(dòng)芯片,可用于無刷直流電機(jī)、永磁無刷電機(jī)等的驅(qū)動(dòng)。
一堆壞了的AXV300系統(tǒng)模塊(2個(gè)電源模塊SM24080-BX、2個(gè)伺服模塊21020、2個(gè)伺服模塊10413、另外1個(gè)ADV200、1個(gè)XVY)
半導(dǎo)體IGBT采用銀燒結(jié)工藝(LTJT)的優(yōu)勢(shì)探討
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。其中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以其顯著優(yōu)點(diǎn)在功率半導(dǎo)體器件中...
結(jié)溫是判定IGBT是否處于安全運(yùn)行的重要條件,IGBT的工作結(jié)溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過熱,可能會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞,影響設(shè)備的性能、壽命甚至引...
隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大,以及工作環(huán)境嚴(yán)苛,使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量,由于模塊內(nèi)的熱量無法及時(shí)得到釋放,從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 標(biāo)簽:IGBT開關(guān)頻率 2.7k 0
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