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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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PWM是脈寬調(diào)制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對三相電來說,就需要三個(gè)橋臂。 以兩電平為例,每個(gè)橋臂上有兩個(gè)...
2023-03-28 標(biāo)簽:PWMIGBT脈寬調(diào)制 2.9k 0
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國重大科技專項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器...
2023-02-22 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 2.9k 0
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...
2024-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 2.9k 0
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 2.9k 0
光伏逆變器的分類、構(gòu)成及保護(hù)技術(shù)
自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機(jī)以來,太陽能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國高度重視,光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展,經(jīng)過多年的研究和技術(shù)開發(fā),太陽能光伏組件價(jià)格已大幅...
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對系統(tǒng)性...
IGBT模塊關(guān)斷電阻對關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響
在IGBT模塊的使用過程中,關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對于模塊電壓尖峰要求更高
2023-10-10 標(biāo)簽:IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路 2.9k 0
未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件,用于在高電壓、高電流的情況下控...
2024-03-12 標(biāo)簽:電流IGBT驅(qū)動(dòng)電路 2.9k 0
隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,市場對高效率、高功率快充基礎(chǔ)設(shè)施的需求日益增強(qiáng)。充電樁核心部件——電源模塊,正面臨能量轉(zhuǎn)換效率、小型化集成與散熱性能等方面...
STGWA30M65DF2AG汽車級IGBT深度解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽車級IGBT設(shè)計(jì)采用獲得專利的先進(jìn)溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelect...
碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢
本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢,以及如何通過技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來滿足不同應(yīng)用的需求。其中,英飛凌作為國際品牌的代表,其第四代產(chǎn)品已...
FHA60T65A型號(hào)戶外儲(chǔ)能電源IGBT介紹
好IGBT選FHA60T65A型號(hào),代換FGH60N60SMD型號(hào)參數(shù)的IGBT也是選FHA60T65A型號(hào)。
2023-04-20 標(biāo)簽:IGBT快恢復(fù)二極管儲(chǔ)能電源 2.9k 0
面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品
電動(dòng)汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上,硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng),例如用于主逆變器電機(jī),泵,HVAC壓縮機(jī),制動(dòng)...
2021-05-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車二極管IGBT 2.9k 0
運(yùn)動(dòng)控制設(shè)備的具體表現(xiàn)
無刷直流電機(jī)提供穩(wěn)健性和可靠性,并且易于構(gòu)建和控制。無刷直流電機(jī)是一種將直流電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能的電動(dòng)機(jī)。它使用磁場來產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)。由永磁轉(zhuǎn)子和旋轉(zhuǎn)磁場定子組成...
2021-06-26 標(biāo)簽:PWMIGBT數(shù)字信號(hào)處理器 2.9k 0
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