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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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為什么要擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的電源?
在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌處于正確值之前,不應(yīng)由 PWM 信號(hào)主動(dòng)驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET。然而,當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 上電或斷電時(shí),即使 PWM 信號(hào)處于...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBTdcdc轉(zhuǎn)換器 2.7k 0
瑞能RC-IGBT產(chǎn)品在電磁爐中的應(yīng)用方案
電磁爐由于集中加熱效率高、 無明火、 安全性佳、 體積小便于移動(dòng)等效能,越來越受到人們的喜愛。
2025-02-19 標(biāo)簽:IGBT電磁爐瑞能半導(dǎo)體 2.7k 0
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...
DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題
引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對(duì)散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料,以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度...
浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥區(qū)別?一文說清!
在做電力電子設(shè)計(jì)的朋友,經(jīng)常會(huì)遇到一個(gè)選擇題:IGBT和MOSFET,到底該用哪個(gè)?這兩個(gè)器件都是“功率半導(dǎo)體”的代表選手,常出現(xiàn)在變頻器、充電樁、電動(dòng)...
2025-08-26 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2.7k 0
功率因數(shù)校正電路的開關(guān)管驅(qū)動(dòng)方案
常用的有橋PFC為boost PFC電路,如圖1所示,在整流橋之后使用一個(gè)boost電路完成功率因素校正和輸出電壓穩(wěn)定的功能。選用boost電路的一個(gè)重...
變頻器的制動(dòng)單元和逆變部分的續(xù)流二極管不是矛盾了嗎?
通過制動(dòng)單元外接制動(dòng)電阻,該方式配合母線電壓檢測(cè)。當(dāng)電機(jī)迅速停機(jī)時(shí),電機(jī)繞組上的能量會(huì)通過逆變側(cè)的反并聯(lián)二極管倒灌入母線電容,此時(shí)母線電壓升高;當(dāng)高于設(shè)...
變頻驅(qū)動(dòng)器VFD/IGBT逆變器的過壓保護(hù)6KV介紹
在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)/逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。
2023-03-30 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)逆變器IGBT 2.7k 0
詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(2)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源整流器 2.7k 0
?UCC21330 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器總結(jié)
該UCC21330是一個(gè)隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MO...
功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中,IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化,失效模式可能存在 多個(gè)影響因素,如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條 件等。
伺服系統(tǒng)破局點(diǎn):如何實(shí)現(xiàn)工業(yè)機(jī)器人的小型化
磁電式編碼器使用磁場感應(yīng)元器件代替碼盤,因此可以在提高精度的同時(shí)保證體積相對(duì)較小。但是磁電編碼器價(jià)格比較昂貴,目前僅在精度要求、工況要求相對(duì)較高的領(lǐng)域適...
2022-09-08 標(biāo)簽:IGBT光電編碼器工業(yè)機(jī)器人 2.6k 0
IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關(guān)重要的作用。以下是從多個(gè)角度對(duì)這些環(huán)氧材料的詳細(xì)分析:1.熱管理導(dǎo)熱性能:環(huán)氧樹脂需要具...
SKiN技術(shù)由2011年開始使用,包括將芯片燒結(jié)到DCB基板,將芯片的頂部側(cè)燒結(jié)到柔性電路板,以及將基板燒結(jié)到針翅片散熱器。該技術(shù)減小了模塊的體積和重量...
龍騰半導(dǎo)體MOS和IGBT在充電樁上的應(yīng)用
充電樁是指為電動(dòng)汽車提供能量補(bǔ)充的充電裝置,其功能類似于加油站里面的加油機(jī),可以固定在地面或墻壁,安裝于公共建筑(公共樓宇、商場、公共停車場等)和居民小...
2023-10-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET半導(dǎo)體 2.6k 0
.通電導(dǎo)通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT,用萬用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“~”之間的導(dǎo)通性,顯示導(dǎo)通,壓降為0...
可能會(huì)出現(xiàn)尖峰和低峰現(xiàn)象。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和B...
承受現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器絕緣能力的最大功率限制
對(duì)于IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器電氣過應(yīng)力測(cè)試(EOS測(cè)試),設(shè)置了一個(gè)非常接近真實(shí)條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電...
2022-12-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.6k 0
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