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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT晶體管采用這兩種常見晶體管的最佳部分,即MOSFET的高輸入阻抗和高開關(guān)速度利用雙極晶體管的低飽和電壓,將它們組合在一起,產(chǎn)生另一種類型的晶體管...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
2019-05-28 標(biāo)簽:IGBT閂鎖效應(yīng) 2.0萬 0
工業(yè)電機驅(qū)動如何成功可靠地實現(xiàn)短路保護
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...
ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”
ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
目前,全球新能源汽車發(fā)展方興未艾,而中國是一塊重要市場,具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
MOSFET,IGBT和三極管的優(yōu)缺點分析(視頻分析)
設(shè)計開關(guān)電源要選擇合適的元器件,元器件多種多樣,要如何選,元器件的優(yōu)缺點都是怎么樣的就是本節(jié)課程要跟大家講解的。
2019-04-25 標(biāo)簽:三極管MOSFET開關(guān)電源 1.2萬 0
變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流(交流變直流)、濾波、逆變(直流變交流)、...
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常??墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很,...
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動過程中非常顯著?;陂T極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高...
2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 4.1萬 0
海上風(fēng)電柔直的行業(yè)最新趨勢及功率半導(dǎo)體解決方案
風(fēng)力發(fā)電作為清潔能源的重要方式,近年來得到快速發(fā)展與推廣。在中國,內(nèi)陸風(fēng)力開發(fā)資源已相對飽和,海上風(fēng)電將成為風(fēng)電產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的熱點;根據(jù)國家風(fēng)電“十三五...
2019-01-09 標(biāo)簽:IGBT海上風(fēng)電 7.1k 0
NPT-IGBT 結(jié)構(gòu)雖然沒有緩沖層,但是它的反向阻斷能力依然很差,因為芯片的尺寸是有限的,在切割芯片時,如果切割線穿過了承受高壓的pn結(jié),晶格損傷和應(yīng)...
因為最近工作中比較多的涉及到IGBT,所以今天我們來聊一聊IGBT的設(shè)計的相關(guān)要點,當(dāng)然只是從我們比較關(guān)心的幾點出發(fā),概括性地來說一說。而沒有深入到物理...
2019-01-01 標(biāo)簽:IGBT 9k 0
詳細(xì)IGBT的開通過程(IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理)
IGBT作為具有開關(guān)速度快,導(dǎo)通損耗低的電壓控制型開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領(lǐng)域?,F(xiàn)在IGBT的使用比較關(guān)注的是較低的導(dǎo)通壓降以及...
2019-01-01 標(biāo)簽:IGBT 5.4萬 0
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