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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識(shí)及相關(guān)問(wèn)題分析
本文論述了IGBT的過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)與過(guò)熱保護(hù)相關(guān)問(wèn)題,并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法,這些方法實(shí)用性強(qiáng),保護(hù)效果好,是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識(shí)...
我國(guó)擁有著最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),國(guó)內(nèi)廠商在IGBT等高端器件在技術(shù)上與國(guó)際大公司相比還有著一些差距。從市場(chǎng)上看,雖然英飛凌、 三菱和富士電機(jī)等國(guó)際廠商目...
續(xù)流二極管相關(guān)參數(shù)測(cè)量與評(píng)估方法
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(即FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
雙面散熱汽車IGBT器件熱測(cè)試評(píng)估方式創(chuàng)新
封裝結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新使得雙面散熱(double-sided cooling, DSC)功率模塊比傳統(tǒng)單面散熱(single-sided cooling, SS...
SiC正在成為儲(chǔ)能主流,相關(guān)行業(yè)即將爆發(fā)?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在當(dāng)前的儲(chǔ)能系統(tǒng)中,尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應(yīng)用時(shí),寬禁帶半導(dǎo)體材料如SiC(碳化硅)正越來(lái)越受到青睞,因?yàn)檫@種材料...
給H橋電路換IGBT管子時(shí)的相關(guān)特性了解
這幾天沉下心來(lái)專門給逆變器的后級(jí),也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子,用來(lái)深入了解相關(guān)的特性。 大家都知道,IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘?..
IGBT設(shè)計(jì)思路 主變壓器用EC-35鐵氧體磁芯,初級(jí)0.2X20mm銅皮3T+3T,次級(jí)0.44漆包線45X4共180T分四段再串聯(lián)。
2011-01-13 標(biāo)簽:IGBT 5.2k 0
第7代IGBT正開(kāi)始在儲(chǔ)能領(lǐng)域大放異彩
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在儲(chǔ)能技術(shù)高速發(fā)展的今天,更強(qiáng)的發(fā)電與蓄電能力,更高的能源管理效率,更穩(wěn)定的輸送能力都是相關(guān)企業(yè)追求的方向,這就需要功...
德國(guó)慕尼黑 – 2015年2月6日 – 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/ OTCQX:IFNNY)近日推出新型低飽和壓降VCE(sat) IGBT。...
SiC SBD和 MOS是目前最為常見(jiàn)的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭(zhēng)搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS...
什么是“死區(qū)時(shí)間”?如何減小IGBT的死區(qū)時(shí)間
這個(gè)設(shè)定的原因是由于IGBT并不是理想開(kāi)關(guān)器件,其開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂功率器件,稱之為“橋臂直...
2022-12-28 標(biāo)簽:IGBT 5.2k 0
開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十大關(guān)注點(diǎn)
開(kāi)關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門的技術(shù),而它的發(fā)展趨勢(shì)又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問(wèn)題,不然一不留神就會(huì)跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)網(wǎng)做了項(xiàng)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)...
2012-12-20 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源IGBT功率半導(dǎo)體 5.2k 3
開(kāi)關(guān)電源的效率優(yōu)化方法 如何定制開(kāi)關(guān)電源解決方案
開(kāi)關(guān)電源的效率優(yōu)化方法 開(kāi)關(guān)電源的效率優(yōu)化是一個(gè)系統(tǒng)工程,涉及多個(gè)方面,以下是一些關(guān)鍵的優(yōu)化方法: 采用高品質(zhì)的變壓器 : 變壓器是開(kāi)關(guān)電源中的核心部件...
2024-11-29 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源IGBT 5.2k 0
汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介
就在德國(guó)紐倫堡PCIM Europe展會(huì)的最后一天,Power Integrations(PI)在線上舉辦新品溝通會(huì),PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Y...
2022-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器PIIGBT 5.2k 0
英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號(hào)
Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,其IGBT管產(chǎn)品在市場(chǎng)上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號(hào):一、英飛凌...
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么?
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor...
科達(dá)半導(dǎo)體有限公司是由科達(dá)集團(tuán)(股票代碼:600986)投資成立的高新技術(shù)企業(yè),注冊(cè)時(shí)間2007年10月,地處山東省東營(yíng)市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū),注冊(cè)資金5000萬(wàn)...
IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡(jiǎn)單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電子電路中獲得極廣泛的應(yīng)用。
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