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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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企業(yè)增值逾13倍!核力創(chuàng)芯完成首輪2.95億元股權(quán)融資
1月17日消息,核力創(chuàng)芯近日完成首輪2.95億元股權(quán)融資,企業(yè)增值逾13倍,標(biāo)志著核力創(chuàng)芯在功率半導(dǎo)體質(zhì)子輻照領(lǐng)域取得的進展和成績得到資本市場的充分認可。
2024-01-19 標(biāo)簽:IGBT快恢復(fù)二極管功率半導(dǎo)體 1.9k 0
銀燒結(jié)技術(shù)在IGBT行業(yè)的應(yīng)用:實現(xiàn)高性能與小型化的雙重突破
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件作為其核心組成部分,在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域扮演著越來越重要的角色。其中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以其...
2024-01-18 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體封裝電力轉(zhuǎn)換器 4.4k 0
揚杰科技兩個產(chǎn)品獲得江蘇省重點創(chuàng)新項目支持計劃
揚杰科技再創(chuàng)輝煌,其“高壓大功率IGBT”產(chǎn)品成功入選省重點推廣應(yīng)用的新技術(shù)新產(chǎn)品目錄。這一突破性的成就彰顯了揚杰科技在電力電子領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
電磁爐的整流橋和Igbt如何搭配? 電磁爐是目前主流的一種炊具,其使用電磁感應(yīng)原理進行加熱。而電磁感應(yīng)需要一種特殊的電源供給方式,這就需要通過整流橋和I...
2024-01-15 標(biāo)簽:IGBT整流橋電磁感應(yīng) 3.3k 0
一個IGBT用不同的驅(qū)動板會得到不一樣的效果嗎?為什么?
一個IGBT用不同的驅(qū)動板會得到不一樣的效果嗎?為什么? 當(dāng)使用不同的驅(qū)動板驅(qū)動同一個 IGBT 時,會產(chǎn)生不同的效果。這是因為驅(qū)動板在控制 IGBT ...
IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,常用于驅(qū)動大功率負載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和B...
2024-01-12 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動電路功率半導(dǎo)體 1.0萬 0
如何去識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢? IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了雙極型晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(FET)的特點。I...
2024-01-12 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1.7k 0
Wolfspeed SiC助力實現(xiàn)太陽能基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型
如今,世界各地的人們越來越多地盡可能選擇可再生能源。各類消費者和大大小小的企業(yè)都將太陽能視為一種可行、清潔、便利的能源形式。
英飛凌 | SiC MOSFET用于電機驅(qū)動的優(yōu)勢在哪里
低電感電機有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應(yīng)電機。它們也可被用 在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關(guān)頻率(5...
最近很多朋友和我聊到IGBT單管和模塊的區(qū)別,優(yōu)缺點對比等。本人從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)十幾年有余,對單管和模塊都有一定的應(yīng)用,開發(fā)過的產(chǎn)品包括工頻塔式機U...
2025年預(yù)測電動車國內(nèi)市場達到100-150億以上;2019-2020年新能源汽車銷量沒怎么漲,但是2020年10月開始又開始增長,一輛車功率半導(dǎo)體價...
2024-01-08 標(biāo)簽:IGBT新能源車功率半導(dǎo)體 2.1k 0
自2021年起,芯聯(lián)集成與比亞迪在多個領(lǐng)域展開深度合作,涵蓋晶圓電力MOSFET、IGBT、Si基MOSFET等功率器件及車載主驅(qū)功率模塊、模擬IC等多個板塊。
IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點說明 IGBT是一種高壓開關(guān)器件,它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點,具有許多獨特的優(yōu)勢。在本文中,我們將詳細地探討IGBT的優(yōu)...
IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領(lǐng)域中常用的晶體管器件。它由一個IGBT芯片和一個驅(qū)動電路組成,用于控制高電壓和高電流的開關(guān)操作。相比...
超結(jié)MOS/IGBT在儲能變流器(PCS)上的應(yīng)用
功率器件在儲能變流器(PCS)上的應(yīng)用,雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路,推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)...
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