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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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英飛凌推出高功率模塊平臺(tái),為業(yè)界提供免授權(quán)費(fèi)封裝設(shè)計(jì)許可
2014年12月17日,德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日宣布推出兩款全新功率模塊平臺(tái),用...
igbt在電動(dòng)汽車上的作用 IGBT是一種由控制電路控制、是否導(dǎo)電的半導(dǎo)體;由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)...
2023-05-17 標(biāo)簽:IGBT 2.8k 0
據(jù)參考消息網(wǎng)報(bào)道,美國(guó)太空探索技術(shù)公司計(jì)劃未來(lái)數(shù)月內(nèi)將4400顆“星鏈”衛(wèi)星軌道高度從550公里降至約480公里。目前已有9000余顆“星鏈”衛(wèi)星在軌運(yùn)...
寬禁帶半導(dǎo)體可以改進(jìn)可再生能源設(shè)計(jì)嗎
隨著全球?qū)δ茉瓷a(chǎn)與消費(fèi)問(wèn)題愈發(fā)重視,可再生能源解決方案已成為大家關(guān)注的焦點(diǎn)。更加頻繁的極端天氣事件等與氣候變化相關(guān)的挑戰(zhàn)迫使整個(gè)社會(huì)不得不重新思考其與...
2023-02-02 標(biāo)簽:IGBT可再生能源寬禁帶半導(dǎo)體 2.8k 0
華潤(rùn)微可提供全套功率器件解決方案 滿足細(xì)分應(yīng)用的需求
隨著國(guó)家“雙碳”目標(biāo)政策(即“2030 碳達(dá)峰,2060 碳中和”)的出臺(tái)以及碳中和政策正在從全球共識(shí)向全球行動(dòng)推進(jìn),新能源行業(yè)(如新能源汽車,光伏及儲(chǔ)...
IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示,與GTR的伏安特性基本相似,
2010-11-09 標(biāo)簽:IGBT 2.8k 0
熱發(fā)射顯微鏡下芯片失效分析案例:IGBT 模組在 55V 就暴露的問(wèn)題!
分享一個(gè)在熱發(fā)射顯微鏡下(Thermal EMMI) 芯片失效分析案例,展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^(guò) IV測(cè)試 與 紅外熱點(diǎn)成像,快速鎖定 IGBT 模組的失效點(diǎn)。
Microchip宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合
如今為商用車輛推進(jìn)系統(tǒng)提供動(dòng)力的節(jié)能充電系統(tǒng),以及輔助電源系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴于高壓開關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求,...
超結(jié)MOS/IGBT在儲(chǔ)能變流器(PCS)上的應(yīng)用
功率器件在儲(chǔ)能變流器(PCS)上的應(yīng)用,雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路,推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)...
本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā),總結(jié)了過(guò)壓、過(guò)流與過(guò)熱保護(hù)的相關(guān)問(wèn)題和各種保護(hù)方法,適用性強(qiáng)、應(yīng)用效果好。
變化激烈的替代能源市場(chǎng)讓過(guò)去一直十分穩(wěn)定的功率電子業(yè)務(wù)領(lǐng)域產(chǎn)生了動(dòng)蕩?;旌蟿?dòng)力車(HEV)與純電動(dòng)汽車(EV)的巨大潛在市場(chǎng)規(guī)模或許也會(huì)為該領(lǐng)域帶來(lái)進(jìn)一...
川土微電子CA-IS3215/6-Q1車規(guī)級(jí)單通道增強(qiáng)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
川土微電子CA-IS3215/6-Q1適用于SiC/IGBT 的具有主動(dòng)保護(hù)功能、高 CMTI、15A 拉/灌電流的單通道增強(qiáng)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布!
IGBT模塊的功率范圍從幾百瓦到幾兆瓦,作為能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,是電力電子裝置的“CPU” 。通用驅(qū)動(dòng)器,牽引,伺服單元和可再生能源應(yīng)用,如工業(yè)自...
根據(jù)這幾年IGBT領(lǐng)域龍頭廠商英飛凌的交期及訂單看,其去年IGBT訂單已處于超負(fù)荷接單狀態(tài),整體積壓訂單金額超過(guò)420億歐元,排單交期基本超一年以上,最...
華潤(rùn)上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺(tái)
華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”)宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵...
2012-05-29 標(biāo)簽:UPSIGBT太陽(yáng)能逆變器 2.7k 0
影響變頻器IGBT模塊安全的因素主要可以歸結(jié)為 電氣應(yīng)力 (過(guò)壓、過(guò)流)、 環(huán)境與熱應(yīng)力 (過(guò)熱)以及 機(jī)械與操作 三大類。其中,過(guò)熱往往是多數(shù)物理?yè)p壞...
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