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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt資訊

固然碳化硅替代IGBT還面臨哪些挑戰(zhàn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))隨著汽車電動化趨勢的崛起,2021年新賣出的車輛中,電動汽車已經(jīng)占據(jù)了5%的份額。據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)預(yù)估,到2030年電動汽車的份...

2021-12-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器IGBT 3.3k 0

影響igbt模塊散熱的因素有哪些?如何降低熱阻?

影響igbt模塊散熱的因素有哪些?如何降低熱阻?

igbt模塊散熱的過程依次為igbt在結(jié)上發(fā)生功率損耗;結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到igbt模塊殼上;igbt模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上;散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。

2022-03-11 標(biāo)簽:IGBT功率器件 9.5k 0

替代IGBT的碳化硅還面臨著哪些挑戰(zhàn)?

隨著汽車電動化趨勢的崛起,2021年新賣出的車輛中,電動汽車已經(jīng)占據(jù)了5%的份額。據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)預(yù)估,到2030年電動汽車的份額將超過30%,上路的電動汽車...

2021-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT碳化硅 4.4k 0

2020年度上海市科學(xué)技術(shù)獎勵(lì)大會召開

2020年度上海市科學(xué)技術(shù)獎勵(lì)大會于2021年12月1日舉行,華虹集團(tuán)旗下華虹宏力“絕緣柵雙極型晶體管工藝技術(shù)開發(fā)”項(xiàng)目榮獲上海市科技進(jìn)步一等獎。

2021-12-21 標(biāo)簽:晶圓IGBT晶體管 3.3k 0

如何使用泰克示波器檢測維修焊機(jī)?

近期,某特種加工工廠客戶咨詢使用泰克示波器進(jìn)行焊機(jī)的維修檢測。由于客戶現(xiàn)有一臺逆變電焊機(jī)可正常通電開機(jī),但焊絲不化絲??蛻魧C(jī)器拆解后使用傳統(tǒng)萬用表進(jìn)行...

2021-12-15 標(biāo)簽:示波器IGBT焊機(jī) 2k 0

比亞迪對外釋放IGBT大額訂單,自主供應(yīng)鏈也無法滿足需求?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近日,有消息稱,比亞迪已經(jīng)正式向士蘭微下單車規(guī)級IGBT,訂單金額達(dá)到億元級。與此同時(shí),有知情人士表示,獲得訂單的不止是士...

2021-12-11 標(biāo)簽:比亞迪IGBT 5.7k 0

IGBT弧焊逆變電源的數(shù)字化控制技術(shù)

IGBT弧焊逆變電源的數(shù)字化控制技術(shù)

弧焊逆變電源是利用反饋網(wǎng)絡(luò)和電子控制系統(tǒng)對逆變主電路進(jìn)行閉環(huán)控制,來獲得不同的外特性?;『改孀冸娫吹耐馓匦灾饕泻銐禾匦浴⒑懔魈匦?、緩降特性等幾種。

2022-03-11 標(biāo)簽:電源IGBT控制技術(shù) 2.2k 0

車規(guī)級芯片的分類 2021年車規(guī)級IGBT芯片上市公司有哪些

車規(guī)級芯片是,汽車元件。車規(guī)級是適用于汽車電子元件的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。目前汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化,車規(guī)級芯片起著至關(guān)重要的存在。 車規(guī)級芯片的分類 ...

2021-12-09 標(biāo)簽:傳感器芯片mcu 2.2萬 0

淺析高壓大功率igbt驅(qū)動模塊的技術(shù)發(fā)展趨勢及功能

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IGBT作為一種復(fù)合型的功率半導(dǎo)體,由于其功率低、開關(guān)頻率高、電流容量大的特點(diǎn),已被眾多行業(yè)特別是大功率變換器行業(yè)廣泛的應(yīng)用,與此同時(shí)對其驅(qū)動電路的要求...

2022-03-11 標(biāo)簽:驅(qū)動IGBT高壓大功率 4.7k 0

自舉電容及柵極限流電阻的選取

自舉電容及柵極限流電阻的選取

自舉電路也叫升壓電路,是利用自舉升壓二極管,自舉升壓電容等電子元件,使電容放電電壓和電源電壓疊加,從而使電壓升高,其中有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。

2022-03-11 標(biāo)簽:電阻IGBT 3.9k 0

熱敏電阻: TDK推出可嵌入到IGBT模塊的高精度片式NTC熱敏電阻

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TDK 集團(tuán)隆重推出新型片式L860 NTC熱敏電阻。它可直接嵌入到電源模塊中,支持燒結(jié)和重質(zhì)鋁絲焊連接,并且特性和R100 =493 ?條件下的常見M...

2021-12-08 標(biāo)簽:熱敏電阻TDKIGBT 3k 0

比亞迪半導(dǎo)體參與完成的項(xiàng)目榮獲國家科技進(jìn)步二等獎

2021年11月3日上午,備受關(guān)注的2020年度國家科學(xué)技術(shù)獎在北京人民大會堂舉行。由比亞迪股份有限公司牽頭完成的《高性能電動汽車動力系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)...

2021-12-03 標(biāo)簽:芯片封裝IGBT 3.5k 0

比亞迪半導(dǎo)體榮獲2021金翎獎“年度最具影響力品牌”

11月4日,由旺材新媒體主辦的2021CIAS中國國際車規(guī)級功率半導(dǎo)體年會在上海隆重舉行。比亞迪半導(dǎo)體榮獲2021金翎獎車規(guī)級功率器件設(shè)計(jì)制造類“年度最...

2021-12-03 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體IGBT 2.4k 0

功率半導(dǎo)體是什么,igbt產(chǎn)品又是如何分類的

功率半導(dǎo)體是什么,igbt產(chǎn)品又是如何分類的

關(guān)于IGBT,小編已經(jīng)寫過很多篇文章了。今天主要來講講什么是功率半導(dǎo)體?IGBT產(chǎn)品又是如何分類的?與芯片又有哪些不同呢?

2022-03-11 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 1.8萬 0

東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。

2021-11-30 標(biāo)簽:MOSFET東芝IGBT 2.1k 0

再生功率效率正在成為真正的差異所在

這個(gè)電動機(jī)/發(fā)電機(jī)已經(jīng)過優(yōu)化,在電動機(jī)模式和發(fā)電機(jī)模式下都能高效工作。

2021-11-30 標(biāo)簽:整流器電動機(jī)逆變器 1.4k 0

東芝成功將控制下一代功率半導(dǎo)體的高性能驅(qū)動IC單芯片化

東芝成功將控制下一代功率半導(dǎo)體的高性能驅(qū)動IC單芯片化

突破性模擬。數(shù)字混合ic將噪聲降低51% 在控制下一代功率半導(dǎo)體的驅(qū)動IC方面,株式會社東芝(下稱“東芝”)成功實(shí)現(xiàn)了將模擬與數(shù)字高性能電路集成到單個(gè)芯...

2021-11-26 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體IGBT 7.1k 0

戶外電源需求轉(zhuǎn)旺,哪些器件需求會增加?

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,今年下半年開始,原本主要出口海外的移動儲能設(shè)備---戶外電源在國內(nèi)的銷量也開始轉(zhuǎn)旺。對于戶外電源,可能很多人都不是太熟悉,其實(shí)簡單來說,...

2021-11-26 標(biāo)簽:IGBT快充PD快充 7.5k 0

你真的了解IGBT高頻開關(guān)電源嗎?了解到什么程度呢?

你真的了解IGBT高頻開關(guān)電源嗎?了解到什么程度呢?

隨著高頻開關(guān)電路技術(shù)的成熟,IGBT高頻開關(guān)電源成功問世。一經(jīng)問世便在整個(gè)電鍍行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用。同普通整流電源相比,IGBT高頻開關(guān)電源具有以下顯著特點(diǎn)。

2022-03-11 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT 6.6k 0

IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢

IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢?IGBT模組靜態(tài)參數(shù)測試需要的儀器是一系列的

2021-11-16 標(biāo)簽:脈沖IGBT 2.9k 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
  • 數(shù)字隔離
    數(shù)字隔離
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊,屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層,功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊,內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng),是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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    MPU6050
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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