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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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TrendForce集邦咨詢調(diào)查,2021~2024年全球晶圓代工產(chǎn)能年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)11%,其中28nm產(chǎn)能在2024年將達(dá)到2022年的1.3倍,是成...
攬獲殊榮!普賽斯儀表榮獲“金翎獎(jiǎng)”功率半導(dǎo)體領(lǐng)域2024年度優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)
全球半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展,暢通著能源產(chǎn)業(yè)的命脈。新能源時(shí)代,功率半導(dǎo)體成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的名片之一。4月23日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展...
11月25日,時(shí)代電氣發(fā)布公告稱,公司擬對(duì)控股子公司株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中車時(shí)代”半導(dǎo)體”)增資人民幣24.6億元,增資的資金用于中車...
2022-12-01 標(biāo)簽:IGBT 1.7k 0
Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊,其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT1...
本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局,以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等,探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因,助力車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的...
2023-11-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車IGBT 1.7k 0
安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級(jí)性能的IGBT
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容,應(yīng)用于消費(fèi)類電器及工...
意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器概述
意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0
革新驅(qū)動(dòng),智控未來(lái)——2QP0225Txx雙通道門極驅(qū)動(dòng)器為高可靠性工業(yè)應(yīng)用賦能
革新驅(qū)動(dòng),智控未來(lái)——2QP0225Txx雙通道門極驅(qū)動(dòng)器為高可靠性工業(yè)應(yīng)用賦能 在工業(yè)自動(dòng)化、新能源及高端電力電子領(lǐng)域,驅(qū)動(dòng)器的性能直接決定系統(tǒng)效率與...
2025-07-31 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.7k 0
e絡(luò)盟攜手60家行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商為亞太區(qū)擴(kuò)展分立元件產(chǎn)品系列
[中國(guó) 2015年1月28日] e絡(luò)盟日前宣布供應(yīng)來(lái)自全球60家行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商的分立元件產(chǎn)品,進(jìn)一步豐富已超過(guò)2.6萬(wàn)種分立元件的產(chǎn)品庫(kù)存,其中涵蓋Di...
車規(guī)級(jí)功率器件市場(chǎng)爆發(fā)燒結(jié)銀成新寵
所謂的燒結(jié)銀,又叫燒結(jié)銀膏,銀焊膏等,就是將納米級(jí)銀顆粒燒結(jié)成銀塊的一種新的高導(dǎo)通銀材料,燒結(jié)銀燒結(jié)技術(shù)也被稱為低溫連接技術(shù),產(chǎn)品具有低溫?zé)Y(jié),高溫服役...
新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所...
佳恩半導(dǎo)體IGBT項(xiàng)目科技成果達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平
日前,中科知慧(北京)科技成果評(píng)價(jià)有限公司組織專家,對(duì)青島佳恩半導(dǎo)體有限公司完成的“IGBT1200V40A 芯片的研究與應(yīng)用”項(xiàng)目科技成果進(jìn)行了評(píng)審。...
2023 年 9 月 11 日,中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶...
2023-09-12 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT晶體管 1.7k 0
PI子公司成立設(shè)計(jì)中心將提供定制IGBT驅(qū)動(dòng)器解決方案
Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動(dòng)器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國(guó)Ense開設(shè)一家新的設(shè)計(jì)中心...
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