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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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由于以前器件的存在,多是分離式器件(discrete device)或模塊(module)形式,而不是更習見的集成電路封裝;其生產(chǎn)工廠多為傳統(tǒng)的6吋廠、...
中環(huán)股份發(fā)布關(guān)于投資組建合資公司的公告
公告披露,根據(jù)中環(huán)股份發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃,為打造功率半導體器件與應用全產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新基地,促進行業(yè)內(nèi)聯(lián)盟企業(yè)協(xié)同發(fā)展。
臺基海德基金與天津銳芯簽署IGBT模塊項目合作協(xié)議
集微網(wǎng)消息,臺基股份發(fā)布公告,公司董事會審議通過了《關(guān)于公司擬參與投資設(shè)立臺基海德新興產(chǎn)業(yè)基金暨關(guān)聯(lián)交易的議案》。2018 年 7 月產(chǎn)業(yè)基金完成了工商...
2018-09-20 標簽:IGBT 4.6k 0
IGBT應用領(lǐng)域廣泛,堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。
比亞迪是做電池起家的。更鮮為人知的是,比亞迪還從事了二次充電池及光伏、手機部件及組裝,以及包含傳統(tǒng)燃油汽車及新能源汽車在內(nèi)的汽車等業(yè)務。此外,比亞迪在上...
比亞迪將加大IGBT模塊研究力度,拓展IGBT模塊的市場規(guī)模
新思界產(chǎn)業(yè)研究中心分析師認為:未來,比亞迪將加大IGBT模塊的研發(fā)力度,一方面提高電控性能,滿足新款車型的需求,另一方面拓展IGBT模塊的市場規(guī)模,實現(xiàn)...
在工業(yè)應用環(huán)境中,電子設(shè)備將面臨復雜的電磁干擾環(huán)境,電磁干擾會影響到電子組件的穩(wěn)定性,嚴重時會導致系統(tǒng)死機。
功率半導體元件或簡稱功率元件,是電子裝置的電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心;主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等,并同時可具有節(jié)能的功效,因此功率...
近年來,IGBT被廣泛關(guān)注,隨著技術(shù)的發(fā)展,其應用前景被廣泛看好,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)IGBT,在很多領(lǐng)域應用廣泛。
2018-07-15 標簽:IGBT 2.3萬 1
全球金氧半場效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能大缺,下半年恐現(xiàn)缺貨潮,ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能,臺廠大中、富鼎、尼克森、杰力等第3季訂單全滿,接單能...
英飛凌攜電能供應鏈產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應用解決方案 亮相PCIM Asia上海展
英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。
基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù),英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ,針對工業(yè)電機驅(qū)動應用進行芯片優(yōu)化,實現(xiàn)更高功率密度與更...
IDM廠及IC設(shè)計廠均大動作爭搶晶圓代工產(chǎn)能
據(jù)業(yè)界消息,茂矽通知至8月底前暫停工程實驗及新產(chǎn)品試產(chǎn),未滿25片的非完整批暫緩投片,未滿150片的爐管最小片數(shù)亦暫時降低生產(chǎn)排貨等級,交期將延長。同時...
英飛凌TRENCHSTOP? IGBT6將緊湊型電機控制器總損耗減少20%以上
電機作為智能家電的核心部件,對現(xiàn)代生活有著至關(guān)重要的影響。在家庭電能消耗比例中,電機耗電占家庭耗能20%以上,因此電機節(jié)能成為家庭節(jié)能中最為關(guān)注的問題。...
國外功率器件的供應緊張,國內(nèi)可替代的功率器件廠家又有哪些呢?
需求仍然強勁的ST,目前滿產(chǎn)能。M2、M5和K5系列的規(guī)格和價格較好。其是額定200攝氏度的碳化硅場效應管的唯一供應商。推出650V SiC,可與高性能...
中國IGBT的技術(shù)水平并不差,政府和企業(yè)缺乏投資IGBT的動力
由于IGBT集MOSFET和GTR的優(yōu)點于一體,具有開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動電流小、通態(tài)壓降小、耐壓高及承受電流大等優(yōu)點,因此在電機控...
創(chuàng)“芯”驅(qū)動,引領(lǐng)未來——青銅劍科技成功參展PCIM Asia
6月28日,為期三天的2018 PCIMAsia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會正式閉幕。這場電力電子行業(yè)盛宴吸引了行業(yè)內(nèi)的諸多關(guān)注,青銅劍科技再...
2018-07-02 標簽:MOSFETIGBTIGBT驅(qū)動 1.2k 0
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