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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業(yè) IGBT選型

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e絡盟攜手60家行業(yè)領先供應商為亞太區(qū)擴展分立元件產品系列

［中國 2015年1月28日］ e絡盟日前宣布供應來自全球60家行業(yè)領先供應商的分立元件產品，進一步豐富已超過2.6萬種分立元件的產品庫存，其中涵蓋Di...

2015-01-28 標簽：英飛凌 MOSFET NXP 1.7k 0

英飛凌推出高功率模塊平臺，為業(yè)界提供免授權費封裝設計許可

2014年12月17日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）今日宣布推出兩款全新功率模塊平臺，用...

2014-12-18 標簽：英飛凌 IGBT 功率模塊 2.8k 0

IR為混合動力汽車和電動車推出600V車用IGBT

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日發(fā)布600V車用IGBT產品AUI...

2014-12-11 標簽：IR IGBT 3.9k 0

IR為高功率工業(yè)應用推出新IGBT模塊系列

2014年11月10日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出...

2014-11-11 標簽：IR IGBT 太陽能逆變器 4k 0

IR推出650V器件以擴充超高速溝道IGBT系列

2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出...

2014-10-21 標簽：IGBT IR公司 IRGP47xx 2.5k 0

Vishay新款IGBT模塊為太陽能逆變器和UPS提供集成方案

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月16 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：...

2014-10-16 標簽：IGBT 太陽能逆變器 2.5k 0

IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出高性能600V超高速溝道場截止絕...

2014-08-19 標簽：IGBT IR公司 IR66xx 4.3k 0

IGBT的崛起——國產功率器件的曙光

IGBT是功率器件技術演變的最新產品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。

2014-08-05 標簽：智能電網電機控制 IGBT 2.5k 0

IR擴充堅固可靠的600V節(jié)能溝道IGBT系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）宣布擴充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管...

2014-05-14 標簽：IR IGBT 1.8k 0

專有的 Optoplanar 封裝技術助力高級 2.5 A 輸出光電耦合器

該光電耦合器可實現(xiàn)快速開關驅動功率 IGBT 和 MOSFET ，同時提高系統(tǒng)效率，絕緣工作電壓額定值（VIORM）為 1，414 V，比競爭產品高...

2014-03-25 標簽：MOSFET IGBT 光電耦合器 1.1k 0

Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅動器可用于高壓應用領域

日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及...

2014-03-25 標簽：MOSFET Vishay IGBT 1k 0

國產IGBT功率器件步入快速發(fā)展階段

在中國，為了適應大環(huán)境的需求，扶持相關企業(yè)的健康發(fā)展，國家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面出臺了一系列支持性的政策措施，在政府和市場的雙重推動下，功率半導體行業(yè)正...

2014-03-11 標簽：IGBT 功率器件 1.9k 0

IR推超高速IGBT 為感應加熱和軟開關應用作出優(yōu)化

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）宣布推出堅固可靠的超高速1400V溝...

2014-03-10 標簽：IR IGBT 2.1k 1

英飛凌為感應加熱應用推出新一代逆導IGBT

英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導二極管的20A 1350V器件，再次擴充逆導（RC）軟開關IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）產品組合。新的20A RC-...

2014-02-24 標簽：英飛凌 IGBT 1.2k 0

國家政策支持，中國功率半導體將迎來黃金發(fā)展期

據中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關人士透露，有關促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路...

2014-01-21 標簽：IGBT SiC 功率半導體 2.3k 0

2013年度大事記：藍牙/IGBT/802.11p全面爆發(fā)

4G商用帶動產業(yè)鏈大發(fā)展網絡建設成關鍵，新能源應用加持IGBT市場商機無限，藍牙4.0超越過往三大操作系統(tǒng)支持飛速發(fā)展，

2013-12-13 標簽：4G 藍牙 IGBT 2k 0

飛兆半導體的1200V溝槽型場截止IGBT提供更快速的開關性能和改進的可靠性

飛兆半導體是全球領先的高性能電源和移動半導體解決方案的提供商，其推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關工業(yè)應用為目標，如太陽能逆變器、不間...

2013-12-05 標簽：飛兆半導體 IGBT 1.5k 0

利用安森美半導體IGBT實現(xiàn)高能效的高性能開關應用

今天，不論是用在工業(yè)領域還是民用產品的開關應用，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）都可以提供有效的解決方案，以實現(xiàn)最終產品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場上...

2013-11-20 標簽：IGBT 安森美半導體 1.5k 0

揭秘IGBT市場成長的動力來源

IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。

2013-11-11 標簽：IGBT 馬達驅動器 1.7k 2

Amantys加快在中國的發(fā)展并宣布實力強勁的分銷網絡伙伴

2013年10月22日 – 繼今年6月在上海設立銷售辦事處之后，Amantys又宣布了三家主要分銷和代理合作伙伴，以推廣和銷售其IGBT柵極驅動器系列產品。

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