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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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4月,作為國(guó)內(nèi)深耕于IGBT、MOS管的廠家代表,飛虹半導(dǎo)體成功參加了第104屆中國(guó)電子展(深圳)以及慕尼黑上海電子展,兩大行業(yè)盛會(huì)圓滿落幕。
英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT...
2010-01-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源IGBT 1.2k 0
森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
新品 | TRENCHSTOP? IGBT 7 H7 750V分立器件
新品TRENCHSTOPIGBT7H7750V分立器件TRENCHSTOPIGBT7H7750V硬開(kāi)關(guān)型分立器件,是650V版本的升級(jí)產(chǎn)品,專為滿足綠色...
車規(guī)功率器件量?jī)r(jià)齊升市場(chǎng)規(guī)模已超過(guò)1000億元
按技術(shù)特點(diǎn)與功能的不同,功率半導(dǎo)體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線,總體占比超過(guò)70%...
新品 | 儲(chǔ)能用1200V 500A NPC2 三電平IGBT EasyPACK? 3B模塊
新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊,采用EasyPACK3B封裝和最新開(kāi)發(fā)的...
東京電子器件開(kāi)始在中國(guó)推IGBT柵極驅(qū)動(dòng)板
京電子器件有限公司將于2012年7月起開(kāi)始在中國(guó)銷售IGBT(絕緣柵雙級(jí)型晶體管)柵極驅(qū)動(dòng)板,并提供根據(jù)客戶要求進(jìn)行設(shè)計(jì)定制的服務(wù)。該產(chǎn)品的特點(diǎn)在于僅用...
2012-07-05 標(biāo)簽:IGBT電源芯片柵極驅(qū)動(dòng)板 1.2k 0
青銅劍技術(shù)獲智光電氣“質(zhì)量先鋒獎(jiǎng)”
11月22日,在智光電氣2024年度供應(yīng)鏈高峰論壇上,青銅劍技術(shù)憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn),喜獲智光電氣頒發(fā)的“質(zhì)量先鋒獎(jiǎng)”。 ? 青銅劍技術(shù)的高性能IGB...
2024-11-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT青銅劍技術(shù) 1.2k 0
全面解讀瑞薩汽車電子產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略
“在新的電子構(gòu)架的快速發(fā)展上,瑞薩的產(chǎn)品能夠完美的覆蓋不同等級(jí)的新電子構(gòu)架的需求,包括中央計(jì)算單元,大算力SoC等產(chǎn)品;域控方面有新一代的28nm的單片...
森國(guó)科近期推出的650V/60A IGBT(型號(hào):KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)性能,在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 標(biāo)簽:IGBT高速開(kāi)關(guān)森國(guó)科 1.1k 0
美高森美為非穿通型IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch thro...
SC5016大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng) 第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)設(shè)備
SC5016大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是專為?碳化硅(SiC)/氮化鎵(GaN)功率器件?設(shè)計(jì)的全自動(dòng)檢測(cè)平臺(tái),支持±5000V/2000A(可擴(kuò)展...
2025-03-13 標(biāo)簽:大功率測(cè)試系統(tǒng)IGBT 1.1k 0
中芯集成:正對(duì)IGBT產(chǎn)品進(jìn)行新舊換代
據(jù)介紹,目前中芯集成8英寸硅基礎(chǔ)產(chǎn)能仍保持在每月17萬(wàn)個(gè)。12英寸晶片加工技術(shù)和產(chǎn)品也在不斷驗(yàn)證中,生產(chǎn)能力也在不斷提高。同時(shí),公司將根據(jù)市場(chǎng)需求及時(shí)擴(kuò)大生產(chǎn)。
安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)前瞻
IGBT是中高壓應(yīng)用的主要器件。為滿足越來(lái)越多的對(duì)穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲(chǔ)存溝...
2024-12-09 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Nexperia 1.1k 0
國(guó)產(chǎn)車用IGBT迎來(lái)重大發(fā)展機(jī)遇
根據(jù)相關(guān)報(bào)道,此次英飛凌IGBT產(chǎn)品瑕疵問(wèn)題源于最新的制造工藝,在替代現(xiàn)有氮離子而注入最新工藝鋁離子的過(guò)程中出現(xiàn)了不良現(xiàn)象。
2022-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電驅(qū)動(dòng) 1.1k 0
Vishay 改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝 IGBT 功率模塊
Vishay推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊。新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、...
部分外資廠商IGBT模塊失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響
部分IGBT模塊廠商失效報(bào)告作假的根本原因及其對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響,可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)等多維度分析,并結(jié)合中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行...
錦浪科技入選2024年度質(zhì)量提升與品牌建設(shè)典型案例
近日,工業(yè)和信息化部辦公廳公布了2024年度質(zhì)量提升與品牌建設(shè)典型案例名單,錦浪科技股份有限公司的“IGBT全工況檢測(cè)系統(tǒng)提升核心器件可靠性”成功入選質(zhì)...
鋁箔和銅箔超聲波自動(dòng)焊接機(jī)驅(qū)動(dòng)發(fā)生器電源
鋁箔和銅箔超聲波自動(dòng)焊接機(jī)驅(qū)動(dòng)發(fā)生器電源一種適用于金屬領(lǐng)域的大功率、高頻數(shù)控超聲波電源。采用意法半導(dǎo)體的STM32F103為主控芯片,四路PWM波通過(guò)全...
2023-08-10 標(biāo)簽:電源驅(qū)動(dòng)發(fā)生器 1.1k 0
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