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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效
2023 年 9 月 11 日,中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶...
2023-09-19 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT晶體管 767 0
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):M...
大功率IGBT模塊/在線測(cè)試/檢修/失效分析IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀SC5016
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀SC5016 一、產(chǎn)品技術(shù)概述 SC5016是面向第三代半導(dǎo)體測(cè)試需求開(kāi)發(fā)的高精度自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái),采用專利型多級(jí)程控電源架構(gòu),實(shí)現(xiàn)...
簡(jiǎn)述IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心功率器件,是新能源、工控、充電樁等設(shè)備的“功率心臟”,而驅(qū)動(dòng)電路則是其穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)一旦出錯(cuò),輕則損耗增大、干擾...
2026-03-16 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路 727 0
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面替代進(jìn)口IGBT模塊的戰(zhàn)略價(jià)值
傾佳楊茜-追夢(mèng)赤子心:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面替代進(jìn)口IGBT模塊的戰(zhàn)略價(jià)值與前沿應(yīng)用解析 在全球能源結(jié)構(gòu)向分布式、清潔化、低碳化轉(zhuǎn)型的宏大歷史背景...
汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變,碳化硅是否隨著更改?
汽車一直是碳化硅(SiC)的主要應(yīng)用市場(chǎng)。在整個(gè)汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變的情況下,碳化硅是否還會(huì)延續(xù)此前供不應(yīng)求的市場(chǎng)行情?
? -共/創(chuàng)/共/享.同/芯/同/行- 2022年慕尼黑華南電子展圓滿落幕! ? 合作共贏 2022年11月15-17日,為期三天的“2022慕尼黑華南...
為高壓應(yīng)用注入“強(qiáng)心劑” 1QP0650V45-Q IGBT驅(qū)動(dòng)器——高可靠性驅(qū)動(dòng)解決方案
為高壓應(yīng)用注入“強(qiáng)心劑”1QP0650V45-Q IGBT驅(qū)動(dòng)器——高可靠性驅(qū)動(dòng)解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)...
2025-05-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 661 0
國(guó)產(chǎn)SiC模塊破局策略:堅(jiān)持“技術(shù)定力+供應(yīng)鏈韌性+場(chǎng)景深耕”三位一體協(xié)同
以“他強(qiáng)任他強(qiáng),清風(fēng)拂山崗;他橫任他橫,明月照大江”為核心理念,結(jié)合當(dāng)前進(jìn)口IGBT模塊降價(jià)30%的價(jià)格戰(zhàn)背景,國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊行業(yè)的發(fā)展需以內(nèi)在定力...
使用電力驅(qū)動(dòng)的車輛而不是化石燃料可以減少CO 2 的產(chǎn)生,有助于保持城市的空氣更健康、更清潔。環(huán)境優(yōu)勢(shì)與經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)相結(jié)合:與“傳統(tǒng)”汽車相比,電動(dòng)汽車(E...
2022-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 633 0
華大半導(dǎo)體入選2024年版中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果推薦目錄
近日,國(guó)務(wù)院國(guó)資委正式印發(fā)《中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果推薦目錄(2024年版)》(以下簡(jiǎn)稱《目錄》),旨在加快中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果應(yīng)用推廣,促進(jìn)成果轉(zhuǎn)化落地。...
2026-02-25 標(biāo)簽:mcuIGBT華大半導(dǎo)體 612 0
分立晶體管是電子設(shè)計(jì)中最常見(jiàn)的元器件之一。該產(chǎn)品適用于眾多應(yīng)用,從簡(jiǎn)單的小信號(hào)晶體管到大型高功率器件,以及高頻/高功率器件。
英飛凌最新IGBT賦能奇瑞鯤鵬系列混動(dòng)車型的底層技術(shù)揭秘
本篇為知識(shí)星球節(jié)選,完整版報(bào)告與解讀在知識(shí)星球發(fā)布-1200+最新電動(dòng)汽車前瞻技術(shù)報(bào)告與解析已上傳知識(shí)星球,歡迎學(xué)習(xí)交流導(dǎo)語(yǔ):在上一篇文章中,我們對(duì)英飛...
歐盟提出力爭(zhēng)在2030年前將碳排放水平降低62%。也就是說(shuō),要在7年時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。顯然,全球朝著可再生能源邁進(jìn)已成必然趨勢(shì),全世界都在探索如何利用...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的寄生電感抑制技巧
在全球向高頻、高效、高功率密度電力電子系統(tǒng)邁進(jìn)的背景下,碳化硅(Silicon Carbide, SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)憑...
2026-03-18 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路寄生電感 566 0
解決SiC模塊取代IGBT模塊的最后痛點(diǎn):基于2LTO驅(qū)動(dòng)技術(shù)的SiC模塊短路耐受時(shí)間延展
攻克SiC模塊取代IGBT模塊的最后壁壘:基于2LTO驅(qū)動(dòng)技術(shù)的SiC模塊短路耐受時(shí)間延展研究報(bào)告 ——以BASiC BMF540R12MZA3與2LT...
2026-02-03 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)技術(shù) 550 0
SiC MOSFET模塊與專用驅(qū)動(dòng)方案全面替代傳統(tǒng)IGBT模塊的系統(tǒng)性分析
工業(yè)功率半導(dǎo)體技術(shù)變革研究報(bào)告:SiC MOSFET模塊與專用驅(qū)動(dòng)方案全面替代傳統(tǒng)IGBT模塊的系統(tǒng)性分析 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC S...
2026-02-16 標(biāo)簽:IGBTSiC MOSFET 543 0
碳化硅(SiC)MOSFET驅(qū)動(dòng)回路寄生電感的量化評(píng)估與關(guān)斷過(guò)沖抑制技術(shù)綜合研究
在現(xiàn)代高功率密度與高頻電力電子變換系統(tǒng)(如電動(dòng)汽車牽引逆變器、光伏逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng))的演進(jìn)過(guò)程中,碳化硅(SiC)寬禁帶半導(dǎo)體器件已經(jīng)成為取代傳統(tǒng)硅(S...
在現(xiàn)代高功率密度與高效率電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,LLC 諧振變換器因其卓越的軟開(kāi)關(guān)特性與極高的轉(zhuǎn)換效率而成為數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(EV)車載充電機(jī)以及高頻工業(yè)電源的...
龍騰半導(dǎo)體推出新款1200V/25A IGBT LKB25N120UM1
在便攜儲(chǔ)能、變頻家電、小型工業(yè)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景持續(xù)爆發(fā)的當(dāng)下,中小功率 1200V IGBT 的市場(chǎng)需求迎來(lái)高速增長(zhǎng)。如何在有限的體積內(nèi),實(shí)現(xiàn)更低損耗、更高可...
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