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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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效率一直以來都是電源領(lǐng)域的研究重點,尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如,適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來,第三代GaN半導(dǎo)...
Buck變換器MOSFET開關(guān)過程分析與損耗計算
前言:為了方便理解MOSFET的開關(guān)過程及其損耗,以Buck變換器為研究對象進(jìn)行說明(注:僅限于對MOSFET及其驅(qū)動進(jìn)行分析,不涉及二極管反向恢復(fù)等損耗。)
電源管理芯片U6620S為產(chǎn)品品質(zhì)加持
睡眠儀是一種緩解焦慮、輔助治療失眠物理療法,安全、非侵入性、非藥物,沒有局限性和副作用,而且適用的人群更為廣泛,是現(xiàn)下正火熱的智能電子產(chǎn)品。
引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮...
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 2.6k 0
概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1.2k 0
安森美M1 1200 V SiC MOSFET動態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必...
芯片DNA如何物理不可克隆的功能技術(shù)保護(hù)嵌入式系統(tǒng)
基于硬件的安全性提供了針對網(wǎng)絡(luò)攻擊的強(qiáng)大保護(hù),當(dāng)實現(xiàn)加密功能的芯片使用時,物理不可克隆功能(PUF)技術(shù)可以進(jìn)一步增強(qiáng)該級別的保護(hù)。本應(yīng)用筆記討論了一種...
電源作為家電產(chǎn)品的重要部件,不僅需要適應(yīng)家電智能化發(fā)展的功耗、安全等要求
下一代隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何改進(jìn)系統(tǒng)級電流測量
隔離調(diào)制器廣泛用于需要高精度電流測量和電流隔離的電機(jī)/逆變器。隨著電機(jī)/逆變器系統(tǒng)向高集成度和高效率轉(zhuǎn)變,SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高開...
如何應(yīng)對艱巨的耐輻射電源電子系統(tǒng)設(shè)計
太空中的電子系統(tǒng)暴露在大量危險之中。除此之外,如果沒有地球保護(hù)磁場使粒子偏轉(zhuǎn),沒有地球大氣層吸收太陽及宇宙射線,系統(tǒng)將暴露在更大強(qiáng)度的波輻射及粒子輻射中...
在有些電子系統(tǒng)中,需要斷開電源線路的連接。例如,可能是切斷電池電壓,以保持電池電量,或者是斷開負(fù)載與帶電線路的連接。理想情況下,可以使用機(jī)械開關(guān)來實現(xiàn)這...
如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后,源極信號耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器(如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器...
高效DC/DC轉(zhuǎn)換器從15.3V背板提供兩個3A輸出
3.3V 直流母線在寬帶網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中廣受歡迎,用于各種較低電壓,為 DSP、ASIC 和 FPGA 供電。這些較低的電壓范圍為1V至2.5V,通常需要高負(fù)...
2023-06-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETasic 1.3k 0
單片驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計
本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和...
2023-06-13 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1.7k 0
IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復(fù)合型開關(guān)器件,是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功...
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