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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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深入剖析FQB55N10 N - 通道QFET? MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量
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2026-04-14 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用考量FQB55N10 428 0
雙相交錯(cuò)并聯(lián)Boost PFC憑借其輸入電流紋波小,EMI設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,器件應(yīng)力小等優(yōu)點(diǎn),成為大功率電源應(yīng)用的首選。但是目前市場(chǎng)上現(xiàn)有的雙相交錯(cuò)PFC控制器...
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選型手冊(cè):VSO012N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
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2025-12-25 標(biāo)簽:MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體 425 0
探索NTHL099N60S5:卓越性能的MOSFET利器 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天我們要深入了解的是安森美(on...
2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)NTHL099N60S5 424 0
深入剖析FQB34N20L N-Channel QFET? MOSFET
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2026-04-14 標(biāo)簽:MOSFET功率應(yīng)用FQB34N20L 423 0
onsemi N溝道UniFET MOSFET:FDP39N20與FDPF39N20的技術(shù)剖析
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2026-04-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源安森美 422 0
CSD17556Q5B 30 - V N - Channel NexFET? Power MOSFET 詳細(xì)解析
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2026-03-06 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換同步整流 421 0
SGMNE12220:20V 單 N 溝道 MOSFET 的特性與應(yīng)用解析
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2026-03-20 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)SGMNE12220 421 0
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Onsemi FDP075N15A與FDB075N15A MOSFET深度剖析
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2026-03-31 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)onsemi 421 0
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2026-04-15 標(biāo)簽:MOSFET電子應(yīng)用ON Semiconductor 418 0
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2026-04-02 標(biāo)簽:MOSFET安森美電子設(shè)計(jì) 418 0
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2026-04-08 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)NVMTS1D5N08H 417 0
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2026-03-06 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換CSD17322Q5A 414 0
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2026-04-08 標(biāo)簽:MOSFETonsemiNVTFS8D1N08H 414 0
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2026-04-16 標(biāo)簽:MOSFET移動(dòng)設(shè)備FDMC8200S 414 0
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