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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術

詳解MOS管的特性曲線

從轉移特性曲線可以看出：當Vgs上升到Vth時，MOS管開始導通電流。

2022-08-29 標簽：MOSFET MOS管特性曲線 5.1萬 0

米勒平臺形成的基本原理

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2022-08-29 標簽：MOSFET 電容米勒平臺 4.7萬 1

MOSFET簡介、主要參數(shù)及驅(qū)動技術

耐壓：通常所說的VDS，或者說是擊穿電壓。那么一般MOS廠家是如何來定義這個參數(shù)的呢？

2022-08-29 標簽：二極管 MOSFET 晶體管 5.5k 0

功率MOSFET的常見封裝與布局配置

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BLDC電機換向的原理三相BLDC電機設計解析

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2022-08-25 標簽：微控制器 MOSFET 無傳感器 1.0萬 0

一鍵開關機電路方案分析

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2022-08-24 標簽：單片機 MOSFET 開關機電路 3.1k 0

是否有適合汽車應用的過壓和欠壓保護器件

啟動期間的點火起動和關斷期間的負載突降是造成汽車電源線路中產(chǎn)生電壓瞬變的常見起因。這些欠壓(UV)和過壓(OV)瞬變的幅度很大，可能會對并非專用于極端條...

2022-08-23 標簽：MOSFET 比較器保護器件 1.5k 0

MOS管損壞的五種原因

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V（BR）DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。

2022-08-23 標簽：電流 MOSFET MOS管 4.6k 0

大電流IGBT驅(qū)動器在現(xiàn)代工業(yè)電機應用中的作用

為了保障高頻開關所需的快速上升和下降時間，載流導體應保持長度最小。每厘米長度增加約 8 nH 的電感，因此 95 A/μs 的 di/dt 會產(chǎn)生每厘米...

2022-08-23 標簽：MOSFET 控制器 BLDC 3.3k 0

MOSFET柵極電路的常見作用

MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點，因...

2022-08-23 標簽：MOSFET 開關電源電源IC 2.6k 0

自保護MOSFET提高了汽車電子設備的可靠性

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有源橋優(yōu)化以太網(wǎng)供電設計

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2022-08-22 標簽：二極管 MOSFET 以太網(wǎng) 1.9k 0

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DC/DC開關控制器的MOSFET選擇

DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)...

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MOSFET特性參數(shù)說明

2022-08-22 標簽：MOSFET 參數(shù) 3.4k 0

MOSFET晶體管的制造工藝

MOS場效應管（以下簡稱MOS管）中間是部分是金屬-絕緣體-半導體組成的MOS電容結構，是上圖中的中間柵極-絕緣層和n-Si襯底部分的結構。

2022-08-20 標簽：集成電路 MOSFET 場效應管 1.0萬 0

徹底了解MOS管，我們應從兩點入手

MOS管的開關損耗跟設計有直接的關系，縮短導通和關斷時間可有效降低開關損耗；最后，驅(qū)動MOS管的推挽電路很多都已集成在驅(qū)動芯片內(nèi)部，輸出能力很強，通常電...

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BUCK電路的組成及工作原理

　　? 如圖1所示、異步BUCK電路主要有MOSFET場效應管(Q1)、功率二極管(D1)、電感(L1)、輸入電容(C1)、輸出電容(C2)、負載(R1...

2022-08-18 標簽：MOSFET PWM DC-DC 3.1萬 0

了解有關齊納二極管的基礎知識

齊納二極管是電子電路的一個基本構建模塊，其作用是在達到特定反向電壓（常稱為齊納電壓）時允許大量電流反向流動。達到或超過此反向擊穿電壓后，齊納二極管便以恒...

2022-08-17 標簽：MOSFET 齊納二極管 3.4k 0

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2022-08-16 標簽：MOSFET 驅(qū)動器電機驅(qū)動器 7.7k 0

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