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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點。根據(jù)任務(wù)壽命和配置文件,設(shè)計人員在某些情況下可能會考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 ...
傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)(即碳化硅)已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由...
MOSFET是一種利用場效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,它有一個柵極。為簡單起見,您可以將這個門想象成一個水龍頭,您逆時針旋...
2022-08-03 標簽:開關(guān)電路MOSFET晶體管 1.5萬 0
說明:功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān),驅(qū)動電壓升高,該電阻變小。詳細...
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實際應(yīng)用中無法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率,但是,一個高質(zhì)量的電源效率可以達到非常高的水平,效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC 的...
2022-08-03 標簽:MOSFET開關(guān)電源降壓轉(zhuǎn)換器 3.4k 0
用于改善SiC MOSFET導(dǎo)通瞬態(tài)的電荷泵柵極驅(qū)動
用于高功率和高頻應(yīng)用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的結(jié)溫,其特點包括低導(dǎo)通電阻和更高的開關(guān)。SiC MOSFET 允許...
半導(dǎo)體是電子電路中使用最廣泛的元件之一,它們保證了可靠性、高電阻和低成本。半導(dǎo)體器件的制造過程通常用于創(chuàng)建集成電路,包括一系列多個照相和化學(xué)處理步驟,在...
面向xEV和工業(yè)應(yīng)用的新一代SiC MOSFET
數(shù)據(jù)中心、光伏以及大量其他可再生能源和工業(yè)應(yīng)用也是如此。這些新的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需要在固態(tài)電源開關(guān)器件方面取得突破,以高效可靠地處理高功率、快速開關(guān)速度和寬...
一種新型3.6-kV/400-A SiC IPM可提升電源應(yīng)用的性能
高能效對于多種大電流電源應(yīng)用至關(guān)重要,包括工業(yè)電機驅(qū)動器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器。盡管硅長期以來一直是這些應(yīng)用中使用的主要半導(dǎo)體,但由于SiC提供的...
輔助電源是電機驅(qū)動、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源,為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)...
MOSFET的驅(qū)動難道不是VGS大于開啟電壓就可以了嗎
負載切換的原理很簡單,主要通過PWM控制MOS管導(dǎo)通截止來使下圖右側(cè)的電阻R5短路和斷路,其中TP2為DCDC輸出電壓。
列舉一些在單火智能開關(guān)EMI調(diào)試過程中的改善經(jīng)驗案例
在燈具處于閉態(tài)時,閉態(tài)取電電路選取可提供足夠功率的開關(guān)電源方案,例如采用5V/1A隔離輸出的反激式開關(guān)電源方案。
如何使用BLDC電機克服緊湊電機控制系統(tǒng)面臨的設(shè)計挑戰(zhàn)
當更改柵極驅(qū)動器狀態(tài)時,IDRIVE 會應(yīng)用于 tDRIVE 周期,該周期必須足夠長,才能確保柵極電容完全充電或放電。根據(jù)經(jīng)驗,選擇 tDRIVE 時應(yīng)...
基于p型V-WSe2和n型MoS2的可編程FET的異質(zhì)集成
CMOS技術(shù)是無數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品、儀器和計算工具的大腦。60多年來,CMOS技術(shù)在性能、能效和單位功能成本方面持續(xù)增長,這得益于遵循摩爾定律的硅基MOSF...
【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進一...
雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的基礎(chǔ)實驗方法,貫穿器件的研發(fā),應(yīng)用和驅(qū)動保護電路的設(shè)計。合理采用雙脈沖測試平臺,你可以在系統(tǒng)設(shè)計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路,...
如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
為了實現(xiàn)在圖騰柱PFC使用常見的開關(guān)器件,本文介紹預(yù)充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導(dǎo)體,此方案的功率半導(dǎo)體器件較普遍且容易取得,提供給使用者做為...
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