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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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選擇合適的柵極驅(qū)動器來解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
Balogh還指出了其他需要考慮的問題,例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn),這些都會對功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明,例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個 MOSFET由貝爾實(shí)驗(yàn)室研究員 John Atalla ...
使用LTspice估算SiC MOSFET的開關(guān)損耗
為了正確利用這種能源,必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器,其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天,這些公司專注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積,以及提高...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.6萬 0
幾十年來,基于硅的半導(dǎo)體開關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而,當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2...
1200V 300A SiC MOSFET開關(guān)性能評估
由于快速開關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加,碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán),該框架減小了尺寸并提高了...
如何將SiC庫導(dǎo)入LTspice并對其進(jìn)行仿真
碳化硅 (SiC)是一種越來越重要的半導(dǎo)體材料:用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫,這些組件現(xiàn)在在...
MOSFET如何定義 MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)詳解
功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorol...
電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員正在尋找提高效率同時增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...
工業(yè)電源應(yīng)用基于強(qiáng)大的電動機(jī),可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱中找到。三相電動機(jī)是最常見的電動機(jī)類型,它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動器驅(qū)動。...
四十年來,隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步,電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而,在新千年中,隨著硅功率 MO...
SiC基DNPC轉(zhuǎn)換器器件電壓不平衡問題分析與解決
SiC、GaN MOSFET等寬帶隙器件的進(jìn)步,給電力電子領(lǐng)域帶來了一場革命。這些器件具有快速開關(guān)、高電荷密度和高效設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。它們在高功率應(yīng)用中非常有...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 3.6k 0
如何為中壓SiC-MOSFET轉(zhuǎn)換器的濾波電感器的接地電流建模
在設(shè)計(jì)使用寬帶隙 (WBG)的電子轉(zhuǎn)換器時,高 dv/dt 瞬變是挑戰(zhàn)背后的原因通常以存在于它們的有源和無源組件中的寄生參數(shù)的形式引起的設(shè)備 [1][2...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電感器 2.4k 0
在CCM圖騰柱PFC設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)最高效率
采用 Si 超結(jié) (SJ) CoolMOS? MOSFET 的創(chuàng)新解決方案 介紹 在服務(wù)器和電信 SMPS應(yīng)用中,最高效率和功率密度不僅是流行語,而且是...
基于有限狀態(tài)機(jī)(FSM)的SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)建模
在航空、艦載系統(tǒng)和電動汽車領(lǐng)域已經(jīng)觀察到,[1][2][3] 可用的最佳解決方案之一是碳化硅 (SiC) MOSFET,因?yàn)樗哂懈哳l HF 和高-其轉(zhuǎn)...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETASIC芯片 1.6k 0
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