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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告,電動(dòng)汽車充電市場的增長將非常強(qiáng)...
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀,以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如,2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功...
2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFET電纜半導(dǎo)體器件 613 0
關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護(hù)設(shè)計(jì)
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...
MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作,但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的問題。一般為1000 Ω就可以。
電源設(shè)計(jì)說明:線性方案中的SiC MOSFET
SiC MOSFET 在開關(guān)狀態(tài)下工作。然而,了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的,這可能發(fā)生在驅(qū)動(dòng)器發(fā)生故障的情況下,或者出于某些目的,當(dāng)設(shè)計(jì)者編程時(shí)會(huì)發(fā)...
2022-07-29 標(biāo)簽:電流MOSFET電源設(shè)計(jì) 1.4k 0
整個(gè)電力電子行業(yè),包括射頻應(yīng)用和涉及高速信號的系統(tǒng),都在朝著在越來越小的空間內(nèi)提供越來越復(fù)雜的功能的解決方案發(fā)展。設(shè)計(jì)人員在滿足系統(tǒng)尺寸、重量和功率要求...
使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC)...
使用最新的SiC FET封裝選項(xiàng)提高車載充電器性能
在電動(dòng)汽車中,功率轉(zhuǎn)換效率是解決續(xù)航里程和充電時(shí)間問題的關(guān)鍵。為了最大限度地提高效率,交流輸出牽引逆變器很少在 10 kHz 以上運(yùn)行,因?yàn)樵谳^高頻率下...
毫無疑問,所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力,在過去五年中,汽車行業(yè)一直是該材料的公開試驗(yàn)場?;?SiC 的傳動(dòng)系統(tǒng)逆變器——將來...
盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體,但最近的研究表明它有一些局限性,特別是在高功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的一個(gè)相關(guān)因素,因?yàn)楦邘对诟邷亍㈦妷?..
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)損耗 2.2k 0
碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...
下一代高壓SiC MOSFET的可靠性和穩(wěn)健性測試
在當(dāng)今這一代,電力電子設(shè)備幾乎在從交流適配器到傳輸系統(tǒng)的各個(gè)領(lǐng)域都有應(yīng)用。這些器件包含硅 (Si) 作為低壓和高壓器件的主要元素。然而,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的...
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展,對具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中,源極和漏極構(gòu)成硅化物...
碳化硅和氮化鎵開關(guān)器件是所有電源電路中主要使用的元件。盡管它們在運(yùn)行速度、高電壓、處理電流和低功耗等固有特性方面取得了優(yōu)異的成績,但設(shè)計(jì)人員將所有注意力...
2022-07-29 標(biāo)簽:電源MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 3.4k 0
使用555定時(shí)器構(gòu)建一個(gè)升壓轉(zhuǎn)換器電路
在本文中,我們將了解降壓轉(zhuǎn)換器并使用 555 定時(shí)器和設(shè)計(jì)一個(gè)非常簡單的升壓轉(zhuǎn)換器IRFZ44N,N 溝道 MOSFET。您可以在這里查看簡單有趣的電力...
2022-07-28 標(biāo)簽:MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器555定時(shí)器 8.8k 0
使用功率MOSFET的強(qiáng)大30A直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
在本文中,我們將討論如何構(gòu)建功能強(qiáng)大的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,該驅(qū)動(dòng)器可以使用 Arduino 或 Raspberry Pi 等微控制器,甚至是獨(dú)立的 PWM ...
2022-07-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī) 6k 0
用于電力電子設(shè)計(jì)的高性能SiC MOSFET技術(shù)
一個(gè)合適的設(shè)備概念應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度,以便適應(yīng)各種任務(wù)配置文件的需求,而無需對處理和布局進(jìn)行重大更改。然而,關(guān)鍵性能指標(biāo)仍將是所選設(shè)備概念的低面積...
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動(dòng)下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及...
2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓 2k 0
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