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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

使用555定時(shí)器構(gòu)建一個(gè)升壓轉(zhuǎn)換器電路

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在本文中,我們將了解降壓轉(zhuǎn)換器并使用 555 定時(shí)器和設(shè)計(jì)一個(gè)非常簡(jiǎn)單的升壓轉(zhuǎn)換器IRFZ44N,N 溝道 MOSFET。您可以在這里查看簡(jiǎn)單有趣的電力...

2022-07-28 標(biāo)簽:MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器555定時(shí)器 8.8k 0

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2:短路保護(hù)—軟關(guān)斷

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想象一個(gè)場(chǎng)景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)...

2023-05-30 標(biāo)簽:MOSFET比較器SiC 8.8k 1

 GaN功率電子器件的技術(shù)路線

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目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線,一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線,另一是在Si襯底上制作平面...

2019-08-01 標(biāo)簽:MOSFETGaN 8.8k 0

使用KickStart軟件對(duì)MOSFET進(jìn)行脈沖I-V特性表征

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在晶體管器件的研發(fā)階段,制造商通常需要對(duì)設(shè)計(jì)原型進(jìn)行電學(xué)特性評(píng)估。直流(DC)測(cè)試是最常見的方法,但對(duì)于許多半導(dǎo)體器件而言,只有脈沖或短時(shí)導(dǎo)通(開關(guān))激...

2026-01-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體封裝 8.8k 0

MOSFET器件參數(shù):TJ、TA、TC到底講啥

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在本文中,我將分享關(guān)于MOSFET中幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法:TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。 1. MOSFET溫度參數(shù)的重要性 ...

2024-08-15 標(biāo)簽:MOSFET元器件 8.8k 0

如何判斷在什么合適時(shí)間應(yīng)當(dāng)使用PWM控制器?

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PWM是一種適用于多種電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的控制方法。任何拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電源都有非常廣泛的用途,可謂無處不在;而PWM的應(yīng)用范圍也頗為廣泛。 PWM是脈沖寬度調(diào)制的...

2018-07-26 標(biāo)簽:MOSFETuc3842UC3843 8.8k 0

LLC諧振變換器中MOSFET失效模式分析

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提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢(shì)。為達(dá)到 這個(gè)目標(biāo),需要提高開關(guān)頻率,從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。

2018-04-27 標(biāo)簽:MOSFETLLC 8.7k 0

半橋驅(qū)動(dòng)器的工作原理和應(yīng)用

半橋驅(qū)動(dòng)器是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路驅(qū)動(dòng)器,主要用于控制電機(jī)、電源轉(zhuǎn)換和其他負(fù)載設(shè)備。以下是對(duì)半橋驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)解析,包括其定義、工作原理及相關(guān)應(yīng)用。

2024-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動(dòng)器 8.7k 0

英飛凌公司獨(dú)特的封裝技術(shù):最新CoolMOS系列MOSFET問世

20世紀(jì)80年代末期和90年代初期發(fā)展起來的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件,表明傳統(tǒng)電源技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入...

2018-06-26 標(biāo)簽:mosfet封裝技術(shù)infineon 8.7k 0

單相PFC電路設(shè)計(jì)

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功率因數(shù)校正(Power Factor Correction,PFC)技術(shù)分為無源功率因校正數(shù)和有源功率因數(shù)校正兩種,其中有源功率因數(shù)校正方式應(yīng)用最為廣泛。

2023-10-16 標(biāo)簽:二極管MOSFET升壓電路 8.7k 0

思睿達(dá)CR6267SK與X1135N有區(qū)別?測(cè)試報(bào)告新鮮出爐

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上一篇報(bào)告我們將思睿達(dá)主推的CR6248和XX33AP進(jìn)行了對(duì)比,得出的結(jié)論是思睿達(dá)主推的CR6248會(huì)比XX33AP的效率高,功耗小。本篇文章,我們將...

2021-04-23 標(biāo)簽:電源芯片MOSFET 8.7k 0

各類MOSFET電路資料

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功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?):等效電路(2):說明:功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效

2018-07-21 標(biāo)簽:二極管MOSFET等效電路 8.7k 0

IGBT模塊的常規(guī)檢查以及常見故障問題維修方法

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;

2023-07-14 標(biāo)簽:RCD吸收電路二極管MOSFET 8.7k 0

采用先進(jìn)的MOSFET技術(shù)來應(yīng)對(duì)電動(dòng)工具的挑戰(zhàn)

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無繩電動(dòng)工具具有易用、便攜和更安全等特性,越來越受到專業(yè)人士和個(gè)人用戶的青睞。但是制造商們也面臨著持續(xù)降低工具重量和減小尺寸的壓力。面對(duì)此種壓力,來看看...

2018-04-12 標(biāo)簽:MOSFET東芝電動(dòng)工具 8.7k 0

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器基本參數(shù)定義

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器基本參數(shù)定義

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。

2018-07-26 標(biāo)簽:MOSFETEMI柵極驅(qū)動(dòng)器 8.7k 0

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET設(shè)計(jì)

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET設(shè)計(jì)

DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。

2020-04-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器DCDC 8.7k 0

SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?

碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 8.7k 0

電池測(cè)試設(shè)備實(shí)現(xiàn)電池化成分容技術(shù)要點(diǎn)

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電池測(cè)試單元的功率部分主要包括模擬控制器,半橋驅(qū)動(dòng),MOSFET,輸入輸出保護(hù)器。

2021-02-17 標(biāo)簽:鋰電池MOSFET功率變換 8.6k 0

前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的自舉電容

前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的自舉電容

一個(gè)電源正端的一個(gè)電源,那么我們說這里應(yīng)該用P管,對(duì)吧?那么如果呢這個(gè)管子放在D端,它的下面直接通D的話,那么這個(gè)時(shí)候我們說應(yīng)該用N管。那么這樣子的話,...

2019-04-17 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路 8.6k 0

開關(guān)電源中Y電容的作用

開關(guān)電源是一種常見的電源類型,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在開關(guān)電源中,電容器是一種非常重要的元件,它們可以提供穩(wěn)定的電壓輸出和濾波功能。其中,Y電容是一...

2023-09-12 標(biāo)簽:電容器MOSFET開關(guān)電源 8.6k 0

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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