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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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隔離式反激開關(guān)電源設(shè)計中計算變壓器的參數(shù)設(shè)置
MOSFET選型,吸收電路器件選型,輸出二極管選型,輸入輸出電容等重要器件參數(shù)計算。
2019-05-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電壓 7.5k 0
MOSFET,IGBT和三極管的優(yōu)缺點分析(視頻分析)
設(shè)計開關(guān)電源要選擇合適的元器件,元器件多種多樣,要如何選,元器件的優(yōu)缺點都是怎么樣的就是本節(jié)課程要跟大家講解的。
2019-04-25 標(biāo)簽:三極管MOSFET開關(guān)電源 1.2萬 0
把學(xué)到的運放的知識用來在實際原理圖的設(shè)計中進(jìn)行運用。對于運放來講,用哪種的輸入形態(tài)是根據(jù)我們的實際項目的需要所進(jìn)行的。
空氣凈化器系統(tǒng)之MOSFET的電路設(shè)計
什么叫MOSFET,作為電子硬件設(shè)計中非常重要的器件MOSFET有怎樣的特性?MOSFET體二極管的作用?4、 N型MOSFET和N型三極管作為開關(guān)管用...
PCB設(shè)計中如何提高超級結(jié)MOSFET的性能
為驅(qū)動快速開關(guān)超級結(jié)MOSFET,必須了解封裝和PCB布局寄生效應(yīng)對開關(guān)性能的影響,以及為使用超級結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-60...
2019-05-13 標(biāo)簽:mosfetpcb設(shè)計 1.9k 0
功率MOSFET的技術(shù)和市場及發(fā)展等資料的詳細(xì)分析
根據(jù)IHS及Gartner的相關(guān)統(tǒng)計,功率MOSFET占據(jù)約40%的全球功率器件市場規(guī)模??梢园l(fā)現(xiàn),功率MOSFET的電壓驅(qū)動、全控式和單極型特性決定了...
探析在ON狀態(tài)下的MOSFET和三極管有何區(qū)別
本篇文章主要介紹了在ON狀態(tài)下,MOSFET和三極管的區(qū)別。并對其中的一些細(xì)節(jié)進(jìn)行了深入的分析和講解。希望大家在閱讀過本篇文章之后能對著兩種晶體管在ON...
散熱器的選擇與設(shè)備應(yīng)用的規(guī)格分析
散熱片很重要!電路設(shè)計的一個重要方面是,它們提供了一種有效的熱量輸送路徑,可以將電子設(shè)備(例如BJT,MOSFET和線性穩(wěn)壓器)轉(zhuǎn)移到環(huán)境空氣中。
柵極驅(qū)動器在太陽能收集設(shè)計中的應(yīng)用
雖然數(shù)字邏輯電路在太陽能收集設(shè)計中提供關(guān)鍵的監(jiān)控和控制功能,但功率晶體管為電力輸送提供了基礎(chǔ)。在這些數(shù)字和電源域之間,柵極驅(qū)動器提供關(guān)鍵接口功能,在太陽...
在高頻率下切換高輸入電壓降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的利弊分析
為了解釋這些權(quán)衡,德州儀器工程師建造了三個獨立的電源,每個電源的開關(guān)頻率分別為100,300和750 kHz。如應(yīng)用筆記“設(shè)計高頻,高輸入電壓DC/DC...
2019-01-28 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器mosfet 5.2k 0
在幾十年的時間里,制造商對基本設(shè)計進(jìn)行了改進(jìn),設(shè)置導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的新標(biāo)準(zhǔn)。然而,這些參數(shù)通常需要在MOSFET設(shè)計中相互折衷。增加擊穿電壓的技術(shù)往往...
利用無光反激轉(zhuǎn)換器芯片簡化隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計
除了用于電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)外,許多其他噪聲敏感應(yīng)用也需要隔離直流輸出,如汽車電池充電,各種電子負(fù)載的中間總線電壓和工業(yè)輸入。雖然反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在隔離式D...
2019-03-15 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器mosfet 5.3k 0
有源鉗位吸收器電路設(shè)計與數(shù)字實現(xiàn)方式
隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大,導(dǎo)通電阻也會增大。在這樣場景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴,另外有源-鉗位方案優(yōu)勢有哪些?
深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實現(xiàn)方式
本文將深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實現(xiàn)方式,該吸 收器電路可以避免電壓偏移,特別是能消除MOSFET中寄生二極 管的反向恢復(fù)損耗,還具有多種其他優(yōu)...
汽車控制單元模塊主要集中在比如電機(jī)控制、EPS、新能源車的輕混水泵、油泵等上面。富士通的代理品牌 SHINDENGEN(新電元)目前在市場主推的除了小功...
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動過程中非常顯著。基于門極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高...
2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 4.1萬 0
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