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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動中臭名昭著,他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng),在MOS管開通過程中,GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值,過后GS電...
在有刷電機(jī)中,磁極方向的跳轉(zhuǎn)是通過移動固定位置的接觸點(diǎn)來完成的,該接觸點(diǎn)在電機(jī)轉(zhuǎn)子上與電觸點(diǎn)相對連接。這種固定觸點(diǎn)通常由石墨制成,與銅或其他金屬相比,在...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
從發(fā)射極注入的hole電流,將分成1和2兩個部分。由于base為n摻雜,所以當(dāng)hole電流流經(jīng)base的時候,將會有電子空穴對的復(fù)合產(chǎn)生,消耗空穴電流,...
基于SiC的MOSFET器件在電源與電機(jī)驅(qū)動電路設(shè)計中的特點(diǎn)分析
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動等電路設(shè)計。
2019-12-03 標(biāo)簽:mosfet電機(jī)驅(qū)動sic 5.6k 0
在汽車環(huán)境中,它們必須能夠以可接受的可靠性水平耗散能量。因此,有了非常好的可靠性級別,就有必要定義這種強(qiáng)大的功能(多虧了SOA)。
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計算,柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中,那么模塊將總是能夠在...
MOSFET的結(jié)構(gòu)和重點(diǎn)參數(shù)介紹及應(yīng)用前景如何?
最近,國內(nèi)對MOSFET的需求大漲,導(dǎo)致業(yè)內(nèi)缺貨,很多廠商有錢買不到貨,這是MOSFET廠商最愿意看到的。MOSFET需求增長源于物聯(lián)網(wǎng)、3C產(chǎn)品、云端...
2018-09-15 標(biāo)簽:CMOSMOSFET物聯(lián)網(wǎng) 5.9k 0
東芝推出新一代超結(jié)功率MOSFET,進(jìn)一步提高電源效率
東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET,新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代,還有什么是高效率不能解決的呢?
淺析IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動進(jìn)行輔助。
三菱電機(jī)開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)?,一般的大功率?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行,需要考慮模塊自...
近年來,以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件越來越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管,以其寬帶隙,高電場強(qiáng)度...
開關(guān)電源損耗知識點(diǎn)之開關(guān)電源產(chǎn)品各個部分的損耗計算
學(xué)電源電源看這里,這次我們分享一下開關(guān)電源功率損耗及熱耗的工程估算! 電源在為負(fù)載提供能量的同時也在燃燒自己,在電源設(shè)計時大家會很仔細(xì)的去分析負(fù)載的需求...
2018-09-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源 1.9萬 0
低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)的關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢分析
功率半導(dǎo)體開關(guān)通常在用于電路設(shè)計時,能夠在不增加開關(guān)損耗的情況下減小電流傳導(dǎo)期間的損耗,這是其一大優(yōu)勢。在各種電路保護(hù)應(yīng)用中,器件需要連續(xù)傳送電流,較低...
基于IR2130驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計
功率場效應(yīng)管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn),但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時過載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場合,所以在應(yīng)用功率MOSFET對必須為其設(shè)計合理的保護(hù)...
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài),工作頻率較高,發(fā)熱量大,因此其故障率較高,又由于其價格較高,故代換IGBT管時,應(yīng)遵循以下原則:首先,盡量用原型...
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