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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

MOS管封裝分析報(bào)告

MOS管封裝分析報(bào)告

在完成MOS管芯片在制作之后,需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼,這就是MOS管封裝。

2023-06-26 標(biāo)簽:芯片pcbMOSFET 5.6k 0

SiC MOSFET進(jìn)入主流市場(chǎng),功率器件新局面正式開(kāi)啟

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進(jìn)一步提高切換頻率會(huì)導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低,但SiC MOSFET的低切換損耗不會(huì)有此問(wèn)題。透過(guò)此范例的證明,工作頻率高達(dá)72kHz...

2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 5.6k 0

晶體管的類(lèi)型和工作狀態(tài)判斷

晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中,作為電子開(kāi)關(guān)或放大器使用。根據(jù)其結(jié)構(gòu)和工作原理的不同,晶體管可以分為多種類(lèi)型。以下主要介紹雙極型晶體管(B...

2024-07-29 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 5.6k 0

淺談汽車(chē)PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器IC的作用分析

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分立式電路的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動(dòng)器IC集成了對(duì)于確保可預(yù)測(cè)和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)非常重要的功能。

2021-05-31 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開(kāi)關(guān) 5.6k 0

SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基...

2023-09-12 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 5.6k 0

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要: 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能,表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景,其中金屬-氧化物-場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 標(biāo)簽:MOSFET光伏晶體管 5.6k 0

MOSFET簡(jiǎn)介、主要參數(shù)及驅(qū)動(dòng)技術(shù)

耐壓:通常所說(shuō)的VDS,或者說(shuō)是擊穿電壓。那么一般MOS廠家是如何來(lái)定義這個(gè)參數(shù)的呢?

2022-08-29 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 5.5k 0

開(kāi)關(guān)管MOSFET的損耗分析及其優(yōu)化方法

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本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點(diǎn),提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。

2023-08-17 標(biāo)簽:變壓器MOSFETemi 5.5k 0

晶體管BJT和MOSFET的工作原理

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件,可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。

2022-04-26 標(biāo)簽:MOSFET晶體管BJT 5.5k 0

請(qǐng)問(wèn)怎么去測(cè)隔離芯片的關(guān)鍵指標(biāo)CMTI呢?

請(qǐng)問(wèn)怎么去測(cè)隔離芯片的關(guān)鍵指標(biāo)CMTI呢?

CMTI:Common mode transient immunity(共模瞬變抗擾度)是指對(duì)施加在隔離電路間的高速瞬變共模電壓的上升/下降容許速率dV...

2024-03-07 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 5.5k 0

多層外延工藝超結(jié)MOS在電源中的應(yīng)用

多層外延工藝超結(jié)MOS在電源中的應(yīng)用

超結(jié)也稱(chēng)為超級(jí)結(jié),是英文Super Junction 的直譯,而英飛凌之前將這種技術(shù)稱(chēng)之為CoolMOS。因而超結(jié)(Super Junction,Coo...

2022-10-14 標(biāo)簽:電源MOSFETMOS 5.5k 0

電源管理芯片怎么測(cè)好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)

電源管理芯片怎么測(cè)好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)

電源管理芯片(PMIC)是在單片芯片內(nèi)包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路,主要功用為在存在多個(gè)電源的情況下,選取、分配電力給主系統(tǒng)各部分使用。

2024-03-29 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 5.5k 0

IGBT組成的H橋功率單元和級(jí)聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有什么不同?

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子設(shè)備中常用的高效能開(kāi)關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導(dǎo)通壓降特點(diǎn)。

2024-05-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 5.5k 0

ACPL-P349/W349評(píng)估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器配置分析

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本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以...

2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 5.5k 0

橫向型與垂直型MOSFET簡(jiǎn)介

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橫向型MOSFET,又稱(chēng)之為橫向?qū)щ娦偷腗OSFET,結(jié)構(gòu)如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動(dòng)方向與晶圓襯底之間的方向。

2023-06-25 標(biāo)簽:MOSFET晶圓電壓源 5.5k 1

什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解

IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。

2023-03-17 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFETIGBT 5.5k 0

四種負(fù)電壓電源的產(chǎn)生原理及其應(yīng)用場(chǎng)景

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在系統(tǒng)應(yīng)用場(chǎng)景中,受限于體積、成本及上電時(shí)序等要求,有時(shí)僅能采用單一正電源供電。然而,運(yùn)算放大器、通信接口及傳感器驅(qū)動(dòng)等模塊的正常運(yùn)行,往往需要額外配置...

2025-08-16 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器負(fù)電壓 5.5k 0

高功率電動(dòng)機(jī)各種元件所面臨的挑戰(zhàn)

對(duì)于緊湊型且性能強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī)的強(qiáng)烈需求給設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了新的挑戰(zhàn),為了最大限度的提高小型電動(dòng)機(jī)的輸出功率,工程師們正考慮采用高壓和高頻的方式。

2019-01-04 標(biāo)簽:MOSFET電動(dòng)機(jī)GaN 5.5k 0

RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹

RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹

IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車(chē)這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。

2023-11-24 標(biāo)簽:MOSFETVDMOSIGBT 5.5k 0

精華!兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案

晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題,BP3216內(nèi)部集成MOSFET,體積小,特別適合燈絲燈的應(yīng)用;采用源極驅(qū)動(dòng),DC...

2016-05-25 標(biāo)簽:MOSFET可控硅調(diào)光LED燈絲燈 5.5k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱(chēng)傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    Nexperia
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    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專(zhuān)家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    LM2596
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    COMSOL
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  • CD4046
    CD4046
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    基站測(cè)試
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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
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    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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