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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對(duì)比

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功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路,是可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性,故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片,于車...

2024-04-09 標(biāo)簽:傳感器MOSFETIGBT 5.7k 0

三相調(diào)制逆變電路的基本工作

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本文將為您介紹第二個(gè)主題“三相調(diào)制逆變電路的基本工作”。在上一主題中已經(jīng)提到過,從本文開始我們將以電機(jī)驅(qū)動(dòng)中常用的“正弦波驅(qū)動(dòng)(三相調(diào)制)方式”為例進(jìn)行講解。

2024-01-17 標(biāo)簽:MOSFET正弦波電機(jī)驅(qū)動(dòng) 5.7k 0

什么是單極型晶體管?它有哪些優(yōu)勢(shì)?

單極型晶體管,也被稱為單極性晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor, FET),是一種在電子學(xué)中廣泛使用的半導(dǎo)體器件。它的...

2024-08-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 5.7k 0

如何使用示波器測(cè)量MOSFET尖峰電壓

在電子工程領(lǐng)域中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高集成度、低功耗等特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,MOSFET在開關(guān)過程中可能...

2024-05-30 標(biāo)簽:MOSFET示波器晶體管 5.7k 0

采用東芝DTMOSIV超級(jí)結(jié)MOSFET來解決這些問題

功率開關(guān)應(yīng)用電路的基本元件主要有MOSFET和快速恢復(fù)二極管。MOSFET和恢復(fù)二極管對(duì)于采用全橋或零電壓開關(guān)/相移拓?fù)涞碾娦藕头?wù)器電源、全橋電機(jī)控制...

2018-04-08 標(biāo)簽:MOSFET東芝功率開關(guān) 5.7k 0

MOSFET的定義及種類 N溝道和P溝道MOSFET的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路講解

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  MOSFET是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect T...

2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFET晶體管N溝道 5.7k 0

基于SiC的MOSFET器件在電源與電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的特點(diǎn)分析

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。

2019-12-03 標(biāo)簽:mosfet電機(jī)驅(qū)動(dòng)sic 5.7k 0

深入探討功率MOSFET變化對(duì)電流和電壓回路行為的影響

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討論功率MOSFET變化對(duì)兩個(gè)回路(電流和電壓)行為的影響。由于MOSFET只影響功率單元,所以理論研究只適用于功率單元模型。

2018-09-17 標(biāo)簽:電流MOSFET電壓 5.6k 0

節(jié)能性能優(yōu)異的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器——BD83070GWL

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BD83070GWL是一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC,適用于電池驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備。這款DC/DC轉(zhuǎn)換器IC不...

2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC轉(zhuǎn)換器可穿戴式設(shè)備 5.6k 0

拆解安森美11kW矩陣式OBC的實(shí)現(xiàn)路徑

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隨著全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)對(duì)充電效率與架構(gòu)靈活性的要求不斷提升,OBC技術(shù)正迎來從繁至簡(jiǎn)的變革。為了深度拆解這一前沿趨勢(shì),我們將通過兩篇系列文章介紹11 kW...

2026-04-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET安森美 5.6k 0

模擬開關(guān)和多路復(fù)用器基礎(chǔ)參數(shù)介紹

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在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中,模擬開關(guān)和多路復(fù)用器有著非常廣泛的應(yīng)用,例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)采集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的功能很簡(jiǎn)單,但是仍然有很多細(xì)...

2023-03-24 標(biāo)簽:傳感器MOSFETadc 5.6k 0

有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的電流輸出特性,如何增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)峰值電流?

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本文會(huì)著重介紹TI集成MOSFET的有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的電流輸出級(jí)特性,以及如何增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)峰值電流。

2023-07-04 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)電流輸出 5.6k 0

什么是FET?FinFET將半導(dǎo)體制程帶入新境界

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FET 的全名是“場(chǎng)效電晶體(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)”,先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來說明。

2023-07-12 標(biāo)簽:MOSFETMOS管FET 5.6k 0

四種類型的MOSFET的主要區(qū)別

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MOSFET (Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的...

2023-11-07 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 5.6k 0

Microchip電源管理MCP19111-MCP87000系列產(chǎn)品

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本視頻介紹了MCP19111/MCP87XXX 電源管理產(chǎn)品以及組成的靈活高校的電源方案。MCP19111是全球首款數(shù)字增強(qiáng)型的功率模擬轉(zhuǎn)換器,MCP8...

2018-06-06 標(biāo)簽:電源MOSFETmicrochip 5.6k 0

MOS管為什么需要柵極電阻?

MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作,但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的問題。一般為1000 Ω就可以。

2022-07-29 標(biāo)簽:電容器MOSFET柵極電阻 5.6k 0

?DRV10975 三相無傳感器BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

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DRV10975器件是一款集成功率MOSFET的三相無傳感器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,可提供高達(dá)1.5 A的連續(xù)驅(qū)動(dòng)電流。該器件專為成本敏感、低噪聲、低外部元件數(shù)量的...

2025-10-17 標(biāo)簽:MOSFETBLDC引腳 5.6k 0

采用NCPl337控制器實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)諧振式開關(guān)電源的應(yīng)用方案

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隨著全球業(yè)界對(duì)電源效率的要求越來越高,包括ATX電源、消費(fèi)類電子產(chǎn)品等在內(nèi)的電源需要更高的節(jié)能要求。

2021-03-09 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源控制器 5.6k 0

焊點(diǎn)空洞產(chǎn)生的原因及其危害

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隨著電子產(chǎn)品的集成度越來越高,器件的單位功率也越來越大,特別是在5G通信、汽車電子.軌道交通、光伏、軍工航天等領(lǐng)域,大功率晶體管、射頻元件、LED、IG...

2024-01-19 標(biāo)簽:pcbMOSFETIGBT 5.6k 0

Nand Flash基礎(chǔ)知識(shí)與壞塊管理機(jī)制的介紹

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Flash名稱的由來,F(xiàn)lash的擦除操作是以block塊為單位的,與此相對(duì)應(yīng)的是其他很多存儲(chǔ)設(shè)備,是以bit位為最小讀取/寫入的單位

2023-07-03 標(biāo)簽:MOSFETLinux系統(tǒng)MLC 5.6k 0

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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